Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фото...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862642758074761216 |
|---|---|
| author | Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. |
| author_facet | Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. |
| citation_txt | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим).
Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5 1,5 мм) для середнього інфрачервоного діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртутьтелур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3 5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим).
The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (∅ = 0,5—1,5 mm) for the mid wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters.
|
| first_indexed | 2025-12-01T07:27:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130108 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T07:27:24Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. 2018-02-06T11:55:24Z 2018-02-06T11:55:24Z 2017 Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.6.08 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108 621.383.522 Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим). Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5 1,5 мм) для середнього інфрачервоного діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртутьтелур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3 5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим). The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (∅ = 0,5—1,5 mm) for the mid wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые компоненты для электронной аппаратуры Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe Дискретні фотоприймачі середнього ІЧ-діапазону спектра на основі HgCdTe Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors Article published earlier |
| spellingShingle | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_alt | Дискретні фотоприймачі середнього ІЧ-діапазону спектра на основі HgCdTe Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors |
| title_full | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_fullStr | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_full_unstemmed | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_short | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_sort | дискретные фотоприемники средневолнового ик-диапазона спектра на основе hgcdte |
| topic | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108 |
| work_keys_str_mv | AT cibriizf diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT andreevaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT apatskaâmv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT bunčuksg diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT vuičiknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT golenkovag diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT dmitruknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT zabudskiivv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT lysûkia diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT svežencovaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT smoliimi diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT sizovff diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT cibriizf diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT andreevaev diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT apatskaâmv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT bunčuksg diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT vuičiknv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT golenkovag diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT dmitruknv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT zabudskiivv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT lysûkia diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT svežencovaev diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT smoliimi diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT sizovff diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte AT cibriizf mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT andreevaev mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT apatskaâmv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT bunčuksg mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT vuičiknv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT golenkovag mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT dmitruknv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT zabudskiivv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT lysûkia mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT svežencovaev mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT smoliimi mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors AT sizovff mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors |