Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe

Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фото...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2017
Hauptverfasser: Цибрий, З.Ф., Андреева, Е.В., Апатская, М.В., Бунчук, С.Г., Вуйчик, Н.В., Голенков, А.Г., Дмитрук, Н.В., Забудский, В.В., Лысюк, И.А., Свеженцова, Е.В., Смолий, М.И., Сизов, Ф.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Schlagworte:
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130108
record_format dspace
spelling Цибрий, З.Ф.
Андреева, Е.В.
Апатская, М.В.
Бунчук, С.Г.
Вуйчик, Н.В.
Голенков, А.Г.
Дмитрук, Н.В.
Забудский, В.В.
Лысюк, И.А.
Свеженцова, Е.В.
Смолий, М.И.
Сизов, Ф.Ф.
2018-02-06T11:55:24Z
2018-02-06T11:55:24Z
2017
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2017.6.08
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108
621.383.522
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим).
Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5 1,5 мм) для середнього інфрачервоного діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртутьтелур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3 5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим).
The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (∅ = 0,5—1,5 mm) for the mid wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
Дискретні фотоприймачі середнього ІЧ-діапазону спектра на основі HgCdTe
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
spellingShingle Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
Цибрий, З.Ф.
Андреева, Е.В.
Апатская, М.В.
Бунчук, С.Г.
Вуйчик, Н.В.
Голенков, А.Г.
Дмитрук, Н.В.
Забудский, В.В.
Лысюк, И.А.
Свеженцова, Е.В.
Смолий, М.И.
Сизов, Ф.Ф.
Новые компоненты для электронной аппаратуры
title_short Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
title_full Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
title_fullStr Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
title_full_unstemmed Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
title_sort дискретные фотоприемники средневолнового ик-диапазона спектра на основе hgcdte
author Цибрий, З.Ф.
Андреева, Е.В.
Апатская, М.В.
Бунчук, С.Г.
Вуйчик, Н.В.
Голенков, А.Г.
Дмитрук, Н.В.
Забудский, В.В.
Лысюк, И.А.
Свеженцова, Е.В.
Смолий, М.И.
Сизов, Ф.Ф.
author_facet Цибрий, З.Ф.
Андреева, Е.В.
Апатская, М.В.
Бунчук, С.Г.
Вуйчик, Н.В.
Голенков, А.Г.
Дмитрук, Н.В.
Забудский, В.В.
Лысюк, И.А.
Свеженцова, Е.В.
Смолий, М.И.
Сизов, Ф.Ф.
topic Новые компоненты для электронной аппаратуры
topic_facet Новые компоненты для электронной аппаратуры
publishDate 2017
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дискретні фотоприймачі середнього ІЧ-діапазону спектра на основі HgCdTe
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
description Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим). Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5 1,5 мм) для середнього інфрачервоного діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртутьтелур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3 5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим). The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (∅ = 0,5—1,5 mm) for the mid wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108
citation_txt Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT cibriizf diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT andreevaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT apatskaâmv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT bunčuksg diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT vuičiknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT golenkovag diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT dmitruknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT zabudskiivv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT lysûkia diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT svežencovaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT smoliimi diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT sizovff diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte
AT cibriizf diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT andreevaev diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT apatskaâmv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT bunčuksg diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT vuičiknv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT golenkovag diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT dmitruknv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT zabudskiivv diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT lysûkia diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT svežencovaev diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT smoliimi diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT sizovff diskretnífotopriimačíserednʹogoíčdíapazonuspektranaosnovíhgcdte
AT cibriizf mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT andreevaev mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT apatskaâmv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT bunčuksg mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT vuičiknv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT golenkovag mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT dmitruknv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT zabudskiivv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT lysûkia mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT svežencovaev mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT smoliimi mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT sizovff mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
first_indexed 2025-12-01T07:27:24Z
last_indexed 2025-12-01T07:27:24Z
_version_ 1850859512040259584

Ähnliche Einträge