Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2017
• Автори: Цибрий, З.Ф., Андреева, Е.В., Апатская, М.В., Бунчук, С.Г., Вуйчик, Н.В., Голенков, А.Г., Дмитрук, Н.В., Забудский, В.В., Лысюк, И.А., Свеженцова, Е.В., Смолий, М.И., Сизов, Ф.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
• Теми: Новые компоненты для электронной аппаратуры
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130108
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фото...