Carbon nanowalls in field emission cathodes
The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW l...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130112 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862583519304220672 |
|---|---|
| author | Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. |
| author_facet | Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. |
| citation_txt | Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW layer (Si/CNW/Ni/CNW and Si/CNW/NiO/CNW structures). The composition and structure of the resulting layered structures were studied using scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffractometry. It was found that annealing of Si/CNW structure in vacuum, growing of the second CNW layer on Si/CNW, as well as deposition of Ni or NiO films prior to the growing of the second CNW layer improve functional properties of field emission cathodes based on the electron-emitting CNW layers.
Слои углеродных наностенок (СН) выращивали из газовой смеси водорода и метана, активированной тлеющим разрядом постоянного тока, на подложках из Si (слоистая структура Si/СН). Второй слой СН выращивали на первом слое (структура Si/СН/СН) или на пленках Ni или NiO, осажденных на первом слое СН (структуры Si/СН/Ni/СН и Si/СН/NiO/СН). Методами растровой электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии исследованы состав и строение полученных слоистых структур. Установлено, что отжиг в вакууме структуры Si/СН, наращивание на Si/СН второго слоя СН, а также нанесение пленок Ni или NiO перед наращиванием второго слоя СН приводят к улучшению функциональных свойств автоэмиссионных катодов на основе слоев СН, эмитирующих электроны.
Шари СН для досліджень вирощували з газової суміші Н₂ і СН₄, активованої тліючим розрядом постійного струму, на підкладках з Si. Перед нарощуванням СН на підкладках створювалися вуглецеві затравочні центри шляхом обробки поверхні іонами Н+ та СхНу+. Емісійні характеристики отриманих шаруватих структур Si/СН контролювали півгодинними випробуваннями. Піддані випробуванням та/або тривалому зберіганню на відкритому повітрі шаруваті структури Si/СН або відпалювали в вакуумі (1,5 години при 720 К), або на їх поверхні нарощували другий шар СН (Si/СН/СН) за тих же умов, що і перший. Другий шар СН нарощували також на поверхні першого шару СН, вкритого плівкою Ni або NiO (структури Si/СН/Ni/СН та Si/СН/NiO/СН). Плівки Ni отримували методом магнетронного розпилення, а плівки NiO — термічною обробкою в розчині Ni(NO₃)₂. Максимальна висота першого шару СН щодо підкладки становила 2—4 мкм, сумарна висота першого і другого шарів — 8,5 мкм. Склад і будову шаруватих структур досліджували з використанням растрової електронної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії і спектрометрії комбінаційного розсіювання світла.
|
| first_indexed | 2025-11-27T00:38:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130112 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-27T00:38:19Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. 2018-02-06T12:20:20Z 2018-02-06T12:20:20Z 2017 Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.6.34 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130112 538.911: 538.975 The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW layer (Si/CNW/Ni/CNW and Si/CNW/NiO/CNW structures). The composition and structure of the resulting layered structures were studied using scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffractometry. It was found that annealing of Si/CNW structure in vacuum, growing of the second CNW layer on Si/CNW, as well as deposition of Ni or NiO films prior to the growing of the second CNW layer improve functional properties of field emission cathodes based on the electron-emitting CNW layers. Слои углеродных наностенок (СН) выращивали из газовой смеси водорода и метана, активированной тлеющим разрядом постоянного тока, на подложках из Si (слоистая структура Si/СН). Второй слой СН выращивали на первом слое (структура Si/СН/СН) или на пленках Ni или NiO, осажденных на первом слое СН (структуры Si/СН/Ni/СН и Si/СН/NiO/СН). Методами растровой электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии исследованы состав и строение полученных слоистых структур. Установлено, что отжиг в вакууме структуры Si/СН, наращивание на Si/СН второго слоя СН, а также нанесение пленок Ni или NiO перед наращиванием второго слоя СН приводят к улучшению функциональных свойств автоэмиссионных катодов на основе слоев СН, эмитирующих электроны. Шари СН для досліджень вирощували з газової суміші Н₂ і СН₄, активованої тліючим розрядом постійного струму, на підкладках з Si. Перед нарощуванням СН на підкладках створювалися вуглецеві затравочні центри шляхом обробки поверхні іонами Н+ та СхНу+. Емісійні характеристики отриманих шаруватих структур Si/СН контролювали півгодинними випробуваннями. Піддані випробуванням та/або тривалому зберіганню на відкритому повітрі шаруваті структури Si/СН або відпалювали в вакуумі (1,5 години при 720 К), або на їх поверхні нарощували другий шар СН (Si/СН/СН) за тих же умов, що і перший. Другий шар СН нарощували також на поверхні першого шару СН, вкритого плівкою Ni або NiO (структури Si/СН/Ni/СН та Si/СН/NiO/СН). Плівки Ni отримували методом магнетронного розпилення, а плівки NiO — термічною обробкою в розчині Ni(NO₃)₂. Максимальна висота першого шару СН щодо підкладки становила 2—4 мкм, сумарна висота першого і другого шарів — 8,5 мкм. Склад і будову шаруватих структур досліджували з використанням растрової електронної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії і спектрометрії комбінаційного розсіювання світла. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Carbon nanowalls in field emission cathodes Углеродные наностенки в автоэмиссионных катодах Вуглецеві наностінки в автоемісійних катодах Article published earlier |
| spellingShingle | Carbon nanowalls in field emission cathodes Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. Материалы электроники |
| title | Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_alt | Углеродные наностенки в автоэмиссионных катодах Вуглецеві наностінки в автоемісійних катодах |
| title_full | Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_fullStr | Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_full_unstemmed | Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_short | Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_sort | carbon nanowalls in field emission cathodes |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130112 |
| work_keys_str_mv | AT belyaninaf carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT borisovvv carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT daghetsyansa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT evlashinsa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT pilevskyaa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT samorodovva carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT belyaninaf uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT borisovvv uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT daghetsyansa uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT evlashinsa uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT pilevskyaa uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT samorodovva uglerodnyenanostenkivavtoémissionnyhkatodah AT belyaninaf vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah AT borisovvv vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah AT daghetsyansa vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah AT evlashinsa vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah AT pilevskyaa vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah AT samorodovva vuglecevínanostínkivavtoemísíinihkatodah |