Безотражательное прохождение электромагнитных волн при нормальном падении на симметричную трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью

• Date: 2017
• Main Author: Белецкий, Н.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2017
• Series: Радіофізика та електроніка
• Subjects: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130141
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Безотражательное прохождение электромагнитных волн при нормальном падении на симметричную трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 2. — С. 66-71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Эффект безотражательного нормального прохождения электромагнитных волн через симметричные трехслойные структуры, содержащие слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, вызывает большой интерес. Это обусловлено как необычным характером этого эффекта, так и его уникальными техническими приложениями. Вместе с тем эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн исследован еще недостаточно хорошо и не все его особенности найдены и описаны. К настоящему времени эффект безотражательного прохождения рассмотрен лишь для некоторых конкретных значений диэлектрических проницаемостей и толщин симметричной трехслойной структуры. В данной работе использован общий подход, основанный на введении безразмерных толщин слоев структуры. Он позволяет исследовать эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн безотносительно к какому-то конкретному диапазону длин волн. Показано, что наличие в трехслойной структуре слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью приводит к существенному изменению спектра отражения электромагнитных волн. Найдено, что в спектре отражения электромагнитных волн существуют широкие области слабого отражения. Шириной этих областей можно эффективно управлять, изменяя величину отрицательной диэлектрической проницаемости среднего слоя трехслойной структуры. Изучено влияние потерь энергии в среднем слое трехслойной структуры на спектр отражения электромагнитных волн. Полученные результаты имеют важное прикладное значение для создания новых устройств электроники, фотоники и фотовольтаики.