Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2002
• Автор: Жернов, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
• Теми: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130157
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 183-193. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры. The influence of the isotopic composition of the components of semiconductor compounds on the structure of the energy bands Ef,n is discussed. The respective roles of changes in the volume of the unit cell of the crystal and of renormalization of the electron–phonon interaction upon changes in the isotopic composition are considered. For the case of monoatomic systems in the virtual crystal approximation a universal relation is obtained for the dependence of the bands on the composition and temperature.