Товщинні залежності характеристик високочастотного магнітного гістерезису в монокристалічному барієвому гексафериті
Предметом даного дослідження є характеристики гістерезису частотно-польової залежності феромагнітного резонансу в зразках барієвого гексафериту. Мета полягає в експериментальному дослідженні характеристик високочастотного магнітного гістерезису в широкому діапазоні зміни товщини зразків. Експеримен...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Нікитенко, А.Л., Костенко, В.І., Григорук, В.І., Романюк, В.Ф. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130190 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Товщинні залежності характеристик високочастотного магнітного гістерезису в монокристалічному барієвому гексафериті / А.Л. Нікитенко, В.І. Костенко, В.І. Григорук, В.Ф. Романюк // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 3. — С. 33-36. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Феноменологическое моделирование магнитного порядка в гранулярной наноструктуре на основе результатов ЭСР - эксперимента
von: Багмут, Т.В.
Veröffentlicht: (2008) -
Об интерпретации процесса возбуждения поверхностных электромагнитных волн призменным способом в слоях плазмоподобных сред
von: Максименко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Нормальная и аномальная дисперсия слабонелинейных локализованных мод в пластине слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Температурное изменение в СВЧ-диапазоне магнитных свойств нанопорошков Fe₃O₄, синтезированных разными методами
von: Вакула, А.С.
Veröffentlicht: (2015) -
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)