Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn
Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к пря...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130251 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130251 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. 2018-02-09T13:00:50Z 2018-02-09T13:00:50Z 2002 Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.35.Cc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130251 Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к прямозонным диэлектрикам, несмотря на сходство кристаллических структур этих соединений. Введение атомов Zn в катионную подрешетку CdI₂ при концентрациях x ⩾1% приводит к исчезновению поглощения, связанного с непрямыми переходами, и возникновению сильной экситонной полосы на краю собственной полосы поглощения. Параметры экситонных полос (спектральное положение, полуширина Г, сила осциллятора f ) измерены в интервале температур 80-330 К. Измеренная темпеpатуpная зависимость Г типична для трехмерных экситонов в обоих соединениях. В ZnI₂ величина силы осциллятора уменьшается с ростом T из-за фактора Дебая-Валлера, в то время как в CdI₂:Zn увеличивается. Последний результат свидетельствует о запрещенном характере оптического прямого перехода на краю межзонного поглощения в CdI₂, частично разрешенного из-за экситон-фононного взаимодействия. The fundamental electronic absorption spectra in the layered compounds ZnI₂ and Zn-doped CdI₂ are investigated in the spectral interval 3–5.9 eV. The samples are thin grain-oriented films deposited on quartz substrates. It is found that ZnI₂, unlike CdI₂, is a direct-gap insulator, despite the similarity of the crystal structures of these compounds. The introduction of Zn atoms into the cation sublattice of CdI₂ at concentrations x⩾1% leads to the vanishing of the absorption from indirect transitions and to the appearance of a strong exciton band at the fundamental absorption band edge. The parameters of the exciton bands (spectral position, half-width Γ, oscillator strength f) are measured in the temperature interval 80–330 K. The measured temperature dependence of Γ in both compounds is typical for three-dimensional excitons. In ZnI₂ the oscillator strength decreases with increasing T because of the Debye–Waller factor, while in CdI₂:Zn it increases. This last result is evidence of the forbidden character of the direct optical transition at the interband absorption edge in CdI₂, which is partially allowed because of the exciton–phonon interaction. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn Excitons in the layered insulators ZnI₂ and CdI₂:Zn Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
| spellingShingle |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
| title_full |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
| title_fullStr |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
| title_full_unstemmed |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
| title_sort |
экситоны в слоистых диэлектриках zni₂ и cdi₂:zn |
| author |
Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. |
| author_facet |
Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Excitons in the layered insulators ZnI₂ and CdI₂:Zn |
| description |
Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к прямозонным диэлектрикам, несмотря на сходство кристаллических структур этих соединений. Введение атомов Zn в катионную подрешетку CdI₂ при концентрациях x ⩾1% приводит к исчезновению поглощения, связанного с непрямыми переходами, и возникновению сильной экситонной полосы на краю собственной полосы поглощения. Параметры экситонных полос (спектральное положение, полуширина Г, сила осциллятора f ) измерены в интервале температур 80-330 К. Измеренная темпеpатуpная зависимость Г типична для трехмерных экситонов в обоих соединениях. В ZnI₂ величина силы осциллятора уменьшается с ростом T из-за фактора Дебая-Валлера, в то время как в CdI₂:Zn увеличивается. Последний результат свидетельствует о запрещенном характере оптического прямого перехода на краю межзонного поглощения в CdI₂, частично разрешенного из-за экситон-фононного взаимодействия.
The fundamental electronic absorption spectra in the layered compounds ZnI₂ and Zn-doped CdI₂ are investigated in the spectral interval 3–5.9 eV. The samples are thin grain-oriented films deposited on quartz substrates. It is found that ZnI₂, unlike CdI₂, is a direct-gap insulator, despite the similarity of the crystal structures of these compounds. The introduction of Zn atoms into the cation sublattice of CdI₂ at concentrations x⩾1% leads to the vanishing of the absorption from indirect transitions and to the appearance of a strong exciton band at the fundamental absorption band edge. The parameters of the exciton bands (spectral position, half-width Γ, oscillator strength f) are measured in the temperature interval 80–330 K. The measured temperature dependence of Γ in both compounds is typical for three-dimensional excitons. In ZnI₂ the oscillator strength decreases with increasing T because of the Debye–Waller factor, while in CdI₂:Zn it increases. This last result is evidence of the forbidden character of the direct optical transition at the interband absorption edge in CdI₂, which is partially allowed because of the exciton–phonon interaction.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130251 |
| citation_txt |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ûnakovaon éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn AT miloslavskiivk éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn AT kovalenkoen éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn AT ûnakovaon excitonsinthelayeredinsulatorszni2andcdi2zn AT miloslavskiivk excitonsinthelayeredinsulatorszni2andcdi2zn AT kovalenkoen excitonsinthelayeredinsulatorszni2andcdi2zn |
| first_indexed |
2025-12-07T19:22:48Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:22:48Z |
| _version_ |
1850878583675813888 |