Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фото...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радіофізика та електроніка
Дата:2017
Автори: Чернишов, Б.В., Головащенко, Р.В., Деркач, В.М., Тарапов, С.І.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2017
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130259
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130259
record_format dspace
spelling Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
2018-02-09T15:35:02Z
2018-02-09T15:35:02Z
2017
Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
1028-821X
PACS: 41.20.Jb, 71.20.Mq, 72.40. +w
DOI: doi.org/10.15407/rej2017.04.049
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130259
537.876.46
Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников.
Метою роботи є експериментальне дослідження впливу властивостей кремнієвого дефектного шару діелектричного фотонного кристалу на спектральні властивості піку проход­ження. Показано вплив товщини дефектного шару на частоту дефектної моди. Показано та проаналізовано за допомогою фотонного кристалу можливість змінення характеристик піку проходження шляхом опромінення кремнієвого шару зеленим лазером. Експериментально знайдено, що опромінення призводить до зменшення коефіцієнта проходження на частоті дефектної моди, але не змінює частоту піка. Проведено чисельне оцінювання концентрації нерівноважних носіїв заряду та їх часу життя. Результати цієї роботи можуть бути використані у виробництві керованих пристроїв мілі­метрового діапазону довжин хвиль та в якості методу неруй­нівного контролю властивостей при виробництві напівпровідників.
The purpose of this paper is an experimental investigation of the influence of properties of the silicon defect layer in a dielectric photonic crystal on the transmission peak spectral properties. The influence of the defect layer thickness on the defect mode frequency is shown. The possibility of changing characteristics of transmission peak by green laser illumination of the silicon layer is demonstrated and analyzed using a photonic crystal approach. It is experimentally found that illumination leads to a decrease of transmission coefficient value at the defect mode frequency, but does not lead to a change of this peak frequency. The non-equilibrium carriers concentration and their lifetime have been evaluated. The results of this paper can be used in manufacturing controllable circuits in millimeter waveband and the approach can be used in semiconductors manufacture as non-destructive control of semiconductors properties method.
uk
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Вакуумная и твердотельная электроника
Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Метод измерения концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике и их времени жизни при помощи фотонного кристалла с дефектной модой
Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
spellingShingle Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
Вакуумная и твердотельная электроника
title_short Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_full Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_fullStr Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_full_unstemmed Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_sort метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
author Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
author_facet Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
publishDate 2017
language Ukrainian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Метод измерения концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике и их времени жизни при помощи фотонного кристалла с дефектной модой
Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
description Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников. Метою роботи є експериментальне дослідження впливу властивостей кремнієвого дефектного шару діелектричного фотонного кристалу на спектральні властивості піку проход­ження. Показано вплив товщини дефектного шару на частоту дефектної моди. Показано та проаналізовано за допомогою фотонного кристалу можливість змінення характеристик піку проходження шляхом опромінення кремнієвого шару зеленим лазером. Експериментально знайдено, що опромінення призводить до зменшення коефіцієнта проходження на частоті дефектної моди, але не змінює частоту піка. Проведено чисельне оцінювання концентрації нерівноважних носіїв заряду та їх часу життя. Результати цієї роботи можуть бути використані у виробництві керованих пристроїв мілі­метрового діапазону довжин хвиль та в якості методу неруй­нівного контролю властивостей при виробництві напівпровідників. The purpose of this paper is an experimental investigation of the influence of properties of the silicon defect layer in a dielectric photonic crystal on the transmission peak spectral properties. The influence of the defect layer thickness on the defect mode frequency is shown. The possibility of changing characteristics of transmission peak by green laser illumination of the silicon layer is demonstrated and analyzed using a photonic crystal approach. It is experimentally found that illumination leads to a decrease of transmission coefficient value at the defect mode frequency, but does not lead to a change of this peak frequency. The non-equilibrium carriers concentration and their lifetime have been evaluated. The results of this paper can be used in manufacturing controllable circuits in millimeter waveband and the approach can be used in semiconductors manufacture as non-destructive control of semiconductors properties method.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130259
citation_txt Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT černišovbv metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT golovaŝenkorv metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT derkačvm metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT tarapovsí metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT černišovbv metodizmereniâkoncentraciineravnovesnyhnositeleizarâdavpoluprovodnikeiihvremenižiznipripomoŝifotonnogokristallasdefektnoimodoi
AT golovaŝenkorv metodizmereniâkoncentraciineravnovesnyhnositeleizarâdavpoluprovodnikeiihvremenižiznipripomoŝifotonnogokristallasdefektnoimodoi
AT derkačvm metodizmereniâkoncentraciineravnovesnyhnositeleizarâdavpoluprovodnikeiihvremenižiznipripomoŝifotonnogokristallasdefektnoimodoi
AT tarapovsí metodizmereniâkoncentraciineravnovesnyhnositeleizarâdavpoluprovodnikeiihvremenižiznipripomoŝifotonnogokristallasdefektnoimodoi
AT černišovbv methodofmeasuringnonequilibriumcarriersconcentrationandtheirlifetimeinasemiconductorusingtheapproachofaphotoniccrystalwithadefectmode
AT golovaŝenkorv methodofmeasuringnonequilibriumcarriersconcentrationandtheirlifetimeinasemiconductorusingtheapproachofaphotoniccrystalwithadefectmode
AT derkačvm methodofmeasuringnonequilibriumcarriersconcentrationandtheirlifetimeinasemiconductorusingtheapproachofaphotoniccrystalwithadefectmode
AT tarapovsí methodofmeasuringnonequilibriumcarriersconcentrationandtheirlifetimeinasemiconductorusingtheapproachofaphotoniccrystalwithadefectmode
first_indexed 2025-12-07T19:39:06Z
last_indexed 2025-12-07T19:39:06Z
_version_ 1850879609726304256

Схожі ресурси