Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектрического фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализирована при помощи фото...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Чернишов, Б.В., Головащенко, Р.В., Деркач, В.М., Тарапов, С.І. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130259 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
von: Онищенко, В.Ф.
Veröffentlicht: (2015)
von: Онищенко, В.Ф.
Veröffentlicht: (2015)
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії
von: Onyshchenko, V. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Onyshchenko, V. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
von: Karachevtseva, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Karachevtseva, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
von: Заболотний, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Заболотний, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Мінімальна провідність графену, обумовлена ефективним загасанням носіїв заряду внаслідок ефекту «дрижання» Шредінгера
von: Рувінський, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Рувінський, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вплив глибини макропор на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії
von: Onyshchenko, V. F., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Onyshchenko, V. F., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
von: Бомба, Андрій, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Бомба, Андрій, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Апаратно-програмний комплекс «Аналізатор ІХП» для вимірювання масової концентрації токсичних елементів
von: Суровцев, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Суровцев, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Солітоноподібні хвилі в нерівноважних середовищах
von: Даниленко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Даниленко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Статистичне описання нерівноважних багаточастинкових систем
von: Lev, B.I., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Lev, B.I., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
von: Чекурін, В.
Veröffentlicht: (2009)
von: Чекурін, В.
Veröffentlicht: (2009)
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Структура та електрооптичний відгук рідкого кристалу з неґативною діелектричною анізотропією, допованого вуглецевими нанотрубками
von: Долгов, Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Долгов, Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Механохімічний синтез карбіду NiCx з дефектною структурою типу сфалериту
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Магнітні властивості карбіду NiCx з дефектною структурою типу сфалериту
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Наконечна, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Дослідження електрофізичних властивостей, фазових діаграм та переносу носіїв заряду в нанопорошках Bi1 – xSmxFeO3
von: Pylypchuk, O.S., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Pylypchuk, O.S., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Роль нерівноважних вакансій у процесі спінодального розпаду
von: Tyutyunnyk, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Tyutyunnyk, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
von: Осадчук, Александр Владимирович, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Осадчук, Александр Владимирович, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Флуктуації нерівноважних електронів та магнонів у феромагнітних напівпровідниках
von: Semchuk, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Semchuk, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Флуктуації та степеневі функції розподілу в нерівноважних системах
von: Lev, B., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Lev, B., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Моделювання обернення руху броунівської частинки під дією нерівноважних флуктуацій
von: Terets, A. D., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Terets, A. D., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Рівняння електродинаміки у гідродинамічному середовищі з урахуванням нерівноважних флуктуацій
von: Соколовський, О.Й., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Соколовський, О.Й., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Резонансная прозрачность фотонного кристалла с дефектом в виде слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Мисливство носіїв юхнівської культури
von: Горбаненко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Горбаненко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
von: Гончарук, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гончарук, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
О влиянии формы импульса анодного напряжения на устойчивость работы магнетрона на пространственной гармонике с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Марков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Марков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
О возможности создания коаксиальных магнетронов на высших пространственных гармониках в двухмиллиметровом диапазоне длин волн
von: Скрипкин, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Скрипкин, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Многопучковый двухкаскадный умножитель частоты О-типа
von: Одаренко, Е.Н.
Veröffentlicht: (2010)
von: Одаренко, Е.Н.
Veröffentlicht: (2010)
Сверхизлучение нанолазеров в информационно-измерительных процедурах
von: Мачехин, Ю.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Мачехин, Ю.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
О физических процессах при образовании пространственного заряда в безнакальном магнетроне с автоэмиссионным запуском
von: Гурко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Гурко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Активное сопротивление факельного разряда и частотная зависимость наименьшего для его поддержания напряжения ВЧ-генератора
von: Пузанов, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Пузанов, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Динамика интенсивного электронного пучка в круглом диафрагмированном волноводе с переменной фазовой скоростью
von: Жигло, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Жигло, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Асимптотические разложения в нелинейной теории лучевых приборов М-типа
von: Алексеев, Г.А.
Veröffentlicht: (2012)
von: Алексеев, Г.А.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
von: Онищенко, В.Ф.
Veröffentlicht: (2015) -
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії
von: Onyshchenko, V. F., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
von: Karachevtseva, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)