Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектрического фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализирована при помощи фото...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130259 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |