Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов
Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрац...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130319 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 6. — С. 733-742. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130319 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. 2018-02-10T15:12:07Z 2018-02-10T15:12:07Z 2017 Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 6. — С. 733-742. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 61.72.jd, 62.23.St, 68.47.Gh, 73.40.Ns, 84.32.Dd, 84.32.Ff, 85.25.Hv DOI: doi.org/10.15407/mfint.39.06.0733 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130319 Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превосходит период переменного тока. Проаналізовано частотну залежність двозначних вольт-амперних характеристик мемристорних структур, утворених металевим інжектором і плівкою складного оксиду перехідних металів. Запропонований теоретичний модель ґрунтується на припущенні про дифузію Оксиґенових вакансій, локальна концентрація яких повністю визначає електричні характеристики металооксидної сполуки. Показано, що зі збільшенням частоти змінного струму, що пропускається через даний контакт, відношення його максимального опору до мінімального падає, в той час як вплив процесу релаксації вакансійної підсистеми до вихідного стану не є істотним у випадку, коли характерний час релаксації помітно перевершує період змінного струму. The frequency dependence of double-valued current–voltage characteristics of memristor structures formed by a metal counter-electrode and a complex transition-metal oxide film is analysed. The proposed theoretical model is based on the assumption of the diffusion of oxygen vacancies, the local concentration of which completely determines electrical characteristics of the metal-oxide compound. As shown, the increasing of frequency of the alternating current passed through a given contact decreases the ratio of its maximum resistance to the minimum value, while the influence of the vacancy-subsystem relaxation to the initial state is not significant in the case when the characteristic relaxation time substantially exceeds the period of the alternating current. Авторы признательны М. А. Белоголовскому за ценные замечания и советы. Данная работа выполнена в рамках программы фундаментальных исследований Министерства образования и науки Украины (проект № 0117U002360). ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов Частотні характеристики мемристорних структур на основі складних оксидів перехідних металів Frequency Characteristics of Memristor Structures Based on the Complex Transition-Metal Oxides Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| spellingShingle |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. Электронные структура и свойства |
| title_short |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| title_full |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| title_fullStr |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| title_full_unstemmed |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| title_sort |
частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов |
| author |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| author_facet |
Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
| topic |
Электронные структура и свойства |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| publishDate |
2017 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Частотні характеристики мемристорних структур на основі складних оксидів перехідних металів Frequency Characteristics of Memristor Structures Based on the Complex Transition-Metal Oxides |
| description |
Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превосходит период переменного тока.
Проаналізовано частотну залежність двозначних вольт-амперних характеристик мемристорних структур, утворених металевим інжектором і плівкою складного оксиду перехідних металів. Запропонований теоретичний модель ґрунтується на припущенні про дифузію Оксиґенових вакансій, локальна концентрація яких повністю визначає електричні характеристики металооксидної сполуки. Показано, що зі збільшенням частоти змінного струму, що пропускається через даний контакт, відношення його максимального опору до мінімального падає, в той час як вплив процесу релаксації вакансійної підсистеми до вихідного стану не є істотним у випадку, коли характерний час релаксації помітно перевершує період змінного струму.
The frequency dependence of double-valued current–voltage characteristics of memristor structures formed by a metal counter-electrode and a complex transition-metal oxide film is analysed. The proposed theoretical model is based on the assumption of the diffusion of oxygen vacancies, the local concentration of which completely determines electrical characteristics of the metal-oxide compound. As shown, the increasing of frequency of the alternating current passed through a given contact decreases the ratio of its maximum resistance to the minimum value, while the influence of the vacancy-subsystem relaxation to the initial state is not significant in the case when the characteristic relaxation time substantially exceeds the period of the alternating current.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130319 |
| citation_txt |
Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 6. — С. 733-742. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT šamaevvv častotnyeharakteristikimemristornyhstrukturnaosnovesložnyhoksidovperehodnyhmetallov AT žitluhinaes častotnyeharakteristikimemristornyhstrukturnaosnovesložnyhoksidovperehodnyhmetallov AT šamaevvv častotníharakteristikimemristornihstrukturnaosnovískladnihoksidívperehídnihmetalív AT žitluhinaes častotníharakteristikimemristornihstrukturnaosnovískladnihoksidívperehídnihmetalív AT šamaevvv frequencycharacteristicsofmemristorstructuresbasedonthecomplextransitionmetaloxides AT žitluhinaes frequencycharacteristicsofmemristorstructuresbasedonthecomplextransitionmetaloxides |
| first_indexed |
2025-11-24T04:28:57Z |
| last_indexed |
2025-11-24T04:28:57Z |
| _version_ |
1850842125442220032 |
| fulltext |
PACS numbers: 61.72.jd, 62.23.St, 68.47.Gh, 73.40.Ns, 84.32.Dd, 84.32.Ff, 85.25.Hv
Частотные характеристики мемристорных структур
на основе сложных оксидов переходных металлов
В. В. Шамаев, Е. С. Житлухина*,**
Донецкий национальный технический университет,
пл. Шибанкова, 2,
85300 Покровск, Украина
*Донецкий национальный университет имени Васыля Стуса,
ул. 600-летия, 21,
21021 Винница, Украина
**Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины,
просп. Науки, 46,
03028 Киев, Украина
Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных
характеристик мемристорных структур, образованных металлическим
инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предло-
женная теоретическая модель основана на предположении о диффузии
кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью
определяет электрические характеристики металлооксидного соедине-
ния. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускае-
мого через данный контакт, отношение его максимального сопротивле-
ния к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации
вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является суще-
ственным в случае, когда характерное время релаксации заметно превос-
ходит период переменного тока.
Corresponding author: Elena Sergeevna Zhitlukhina
E-mail: elena_zhitlukhina@ukr.net
Donetsk National Technical University, 2 Shybankov Sqr., 85304 Pokrovsk, Ukraine
*Vasyl’ Stus Donetsk National University, 21 600-richchya Str., 21021 Vinnytsia, Ukraine
**Donetsk Institute for Physics and Engineering Named after O. O. Galkin, N.A.S. of Ukraine,
46 Nauky Ave., 03028 Kyiv, Ukraine
Please cite this article as: V. V. Shamaev and E. S. Zhitlukhina, Frequency
Characteristics of Memristor Structures Based on the Complex Transition-Metal
Oxides, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 39, No. 6: 733–742 (2017) (in Russian),
DOI: 10.15407/mfint.39.06.0733.
Ìеталлофиз. новейøие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2017, т. 39, № 6, сс. 733–742 / DOI: 10.15407/mfint.39.06.0733
Îттиски доступны непосредственно от издателя
Ôотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2017 ÈÌÔ (Èнститут металлофизики
им. Ã. В. Êурдюмова ÍÀÍ Óкраины)
Íапечатано в Óкраине.
733
734 В. В. ШÀÌÀЕВ, Е. С. ЖÈТЛÓХÈÍÀ
Ключевые слова: мемристор, кислородные вакансии, гистерезис, частот-
ный эффект, влияние релаксации.
Проаналізовано частотну залежність двозначних вольт-амперних харак-
теристик мемристорних структур, утворених металевим інжектором і
плівкою складного оксиду перехідних металів. Запропонований теорети-
чний модель ґрунтується на припущенні про дифузію Îксиґенових вака-
нсій, локальна концентрація яких повністю визначає електричні харак-
теристики металооксидної сполуки. Показано, що зі збільшенням часто-
ти змінного струму, що пропускається через даний контакт, відношення
його максимального опору до мінімального падає, в той час як вплив про-
цесу релаксації вакансійної підсистеми до вихідного стану не є істотним у
випадку, коли характерний час релаксації помітно перевершує період
змінного струму.
Ключові слова: мемристор, Îксиґенові вакансії, гістереза, частотний
ефект, вплив релаксації.
The frequency dependence of double-valued current–voltage characteristics
of memristor structures formed by a metal counter-electrode and a complex
transition-metal oxide film is analysed. The proposed theoretical model is
based on the assumption of the diffusion of oxygen vacancies, the local con-
centration of which completely determines electrical characteristics of the
metal-oxide compound. As shown, the increasing of frequency of the alter-
nating current passed through a given contact decreases the ratio of its max-
imum resistance to the minimum value, while the influence of the vacancy-
subsystem relaxation to the initial state is not significant in the case when
the characteristic relaxation time substantially exceeds the period of the al-
ternating current.
Key words: memristor, oxygen vacancies, hysteresis, frequency effect, re-
laxation impact.
(Получено 5 апреля 2017 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Ìемристор (от memory — память и resistor — электрическое сопро-
тивление) — это новый пассивный элемент в микроэлектронике,
основным свойством которого является способность менять своё со-
противление в зависимости от протекавшего через него заряда [1].
Ôактически мемристор представляет собой двухполюсник с нели-
нейной и гистерезисной вольт-амперной (I–V) характеристикой.
Следует отметить существенные различия между концепцией
мемристора, которая была предложена теоретически Леоном Чуа в
1971 году [2], и тем реальным устройством, которое в 2008 году бы-
ло описано в статье исследователей из HP Labs [3]. В отличие от ги-
потетического мемристора, работа которого должна была быть ос-
нована на магнитном потоке, наноразмерная гетероструктура,
ЧÀСТÎТÍЫЕ ХÀРÀÊТЕРÈСТÈÊÈ ÌЕÌРÈСТÎРÍЫХ СТРÓÊТÓР 735
предложенная в работе [3], — это фактически аналоговое запоми-
нающее устройство, создание которого положило начало новому
направлению в информатике, получившему название «мемкомпь-
ютинг» [4]. Его преимущество заключается в том, что компоненты
электронных схем с памятью («мем-элементы») могут одновремен-
но выполнять как обработку, так и хранение информации [4].
Ìемристоры, прежде всего, являются чрезвычайно перспектив-
ными элементами бинарной энергонезависимой памяти, в которых
информация записывается путём переключения электрического
сопротивления между резистивными состояниями с малым (ON) и
большим (OFF) сопротивлениями. Более того, их электронные со-
стояния «подстраиваются» под входные сигналы подобно тому, как
это делают живые организмы. Èменно поэтому мемристоры могут
имитировать работу биологических синапсов, соединяющих нейро-
ны в мозгу [3]. Îсновная функция последних состоит в передаче
сигнала от одного нейрона к другому, при этом величина связи
между нейронами зависит от относительного времени их «срабаты-
вания». Èменно этот механизм отвечает за ассоциативное обучение,
то есть за способность мозга находить связи между разными собы-
тиями, поэтому мемристор можно рассматривать как прототип
«электронного синапса».
Что касается конкретной реализации мемристора, то в настоящее
время открытым остаётся вопрос выбора его оптимальных струк-
турных параметров и, в частности, частотной зависимости отклика
данного устройства. Эта задача рассмотрена в данной публикации
для гетероконтакта, образованного металлическим электродом с
плёнкой сложного оксида переходных металлов, материалов со
сложной взаимосвязью между решёточными, зарядовыми, орби-
тальными и спиновыми степенями свободы. Режим сильных элек-
тронных корреляций в этих проводниках приводит к возникнове-
нию пространственно-неоднородного состояния с зарядовым или
магнитным расслоением фаз, определяющим их необычные макро-
скопические свойства (магнитострикцию, магнитоэлектрические
эффекты, колоссальное магнетосопротивление и пр.) [5–7].
В настоящей работе обсуждаются физические свойства и струк-
турные характеристики сложных оксидов переходных металлов с
перовскитоподобной структурой, нестехиометрия которых прояв-
ляется в дефиците кислорода, зависит от процедуры приготовления
образцов и может быть реализована целенаправленным образом.
Êонкретным примером таких соединений являются плёночные
кристаллические образцы иттрий-бариевого купрата YBa2Cu3O7−c
(YBCO), 0 < c < 1 [8]. В предыдущей статье [9] нами была предложе-
на физическая модель, которая связывает изменения в сопротивле-
нии гетероконтактов с миграцией атомных дефектов (вакансий
атомов кислорода) в результате приложения электрического напря-
736 В. В. ШÀÌÀЕВ, Е. С. ЖÈТЛÓХÈÍÀ
жения V к тонкоплёночной слоистой структуре на основе YBCO.
При этом мы предполагали, что (i) вакансионная подсистема «успе-
вает» подстраиваться под действующее в данный момент электри-
ческое поле и (ii) при выключении напряжения практически отсут-
ствует миграция дефектов к своим начальным положениям, и вся
система в целом остаётся в том состоянии, которое существовало на
момент отключения V. Целью данной работы является, во-первых,
определение оптимальных рабочих частот мемристоров на основе
металлооксидных материалов с помощью численного моделирова-
ния их функциональных характеристик, а во-вторых, теоретиче-
ское исследование влияния релаксационных явлений в кислород-
ной подсистеме на число циклов перезаписи данных.
2. ОПИСАНИЕ МОДЕЛИ
Êак было указано выше, теоретическое моделирование свойств
мемристоров основано большей частью на предположении о диффу-
зии кислородных вакансий, локальная концентрация которых с(r)
полностью определяет электрические характеристики металлоок-
сидного соединения. При этом существенным обстоятельством, ко-
торое и приводит к гистерезису I–V-кривых, является нелинейный
характер диффузии зарядов [3] и изменение валентного состояния
атомов, поставляющих электроны в подсистему носителей тока [9].
В частности, в иттрий-бариевом купрате YBa2Cu3O7−c при наличии
дефицита кислорода, т.е. при с > 0, валентность ионов меди умень-
шается от +2 до +1. При этом помимо изменения концентрации но-
сителей тока увеличиваются размеры элементарной ячейки вдоль
оси c [10].
Результатом влияния этих двух факторов является нелинейный
рост удельного сопротивления ρ соединения YBa2Cu3O7−c с увеличе-
нием относительного числа кислородных вакансий c:
0( ) exp( / ),с c cρ = ρ
где экспериментально определённый параметр 0,2c ≅ , а ρ0 — это
удельное электросопротивление оксида стехиометрического соста-
ва YBa2Cu3O7 [11]. Предложенная в работе [9] модель мемристора
представляет собой два резистивных участка, соединённых после-
довательно. Сопротивление той области металлооксидной плёнки
( d — её толщина), которая прилегает к подложке, будем считать
постоянным и равным R0, в то время как сопротивление другой ча-
сти образца (толщиной d d− , d — полная толщина плёнки) меняет-
ся со временем при подаче на контакт переменного напряжения.
Îграничимся, как и в [9], одномерным приближением, тогда общее
сопротивление гетероструктуры будет равным:
ЧÀСТÎТÍЫЕ ХÀРÀÊТЕРÈСТÈÊÈ ÌЕÌРÈСТÎРÍЫХ СТРÓÊТÓР 737
0( ) ( , ) .
d
d
R t R x t dx= + ρ∫
Ìы также предположим, что эмпирическая зависимость ρ(c) вы-
полняется локально, т.е. локальное сопротивление образца в пере-
счёте на единицу длины ρ(x, t) определяется соответствующей кон-
центрацией кислородных вакансий c(x, t):
0( , ) exp[ ( , ) / ].x t c x t cρ = ρ (1)
Èзменение концентрации c со временем обусловлено наличием
внешнего источника тока I(t) = I0sin(2πft), где f — его частота.
Базовым уравнением, которое определяет динамику подсистемы
кислородных вакансий, является уравнение непрерывности [9]:
dif drift in( , ) ( , ) ( , ) ( )( , )
,
J x t J x t c x t c xc x t
t x x
∂ ∂ −∂
+ + = −
∂ ∂ ∂ t
где t — характерное время релаксации вакансионной подсистемы к
исходному состоянию, описываемому распределением cin(x). При
достаточно больших напряжениях диффузионным вкладом в сум-
марный ток можно пренебречь. Тогда с помощью (1) мы получим
следующее дифференциальное уравнение в частных производных
для концентрации вакансий c(x, t) (см. подробнее [9]):
*
in( , ) ( )( , ) ( ( , ) ( , ))
.
B
c x t c xc x t Dq c x t E x t
t k T x
−∂ ∂
+ = −
∂ ∂ t
(2)
Здесь q
*
— эффективный заряд дефекта, произведение его фактиче-
ской валентности на элементарный электрический заряд, D — ко-
эффициент диффузии кислородных вакансий, а T — температура
окружающей среды.
Êак было указано в работе [9], нелинейная зависимость локаль-
ной напряжённости электрического поля E(x, t) = ρ(x, t)I(t) от кон-
центрации кислородных вакансий c(x, t) в данной точке и приводит
к появлению двузначной вольт-амперной кривой. Для численных
расчётов введём безразмерную величину β = q
*Dρ0I0/(dfkBT). Все
длины далее будем измерять в единицах d, времена — в единицах
t0 = 1/f, удельные сопротивления — в единицах ρ0, а токи — в еди-
ницах I0 (соответствующие переменные будем обозначать штрихо-
ванными величинами). Óчитывая это, получим следующее уравне-
ние с единственным подгоночным параметром β и граничным усло-
вием c(x = 0, t) = 0,2, следующим из условий экспериментов [12, 13]:
in( , ) ( )( , )
( ( , ) ( , )) ( ) .
c x t c xc x t
c x t x t I t
t x
′ ′ −∂ ∂ ′ ′ ′ ′ ′ ′+ β ρ = −
′ ′ ′∂ ∂ t
(3)
738 В. В. ШÀÌÀЕВ, Е. С. ЖÈТЛÓХÈÍÀ
3. ЧИСЛЕННЫЕ РАСЧЁТЫ
При изменении частоты f меняется не только период переменного
тока I(t), но и параметр β, обратно пропорциональный частоте пе-
ременного тока, пропускаемого через контакт металлического ин-
жектора с купратом. Рисунок 1 демонстрирует влияние частоты f
источника тока на вольт-амперные кривые контакта нормального
металлического инжектора с плёнкой иттрий-бариевого оксида.
Численные расчёты выполнены по формуле (3) с параметром β(f) =
= β(f0)/(f/f0), где значение β(f0) полагалось равным 0,05. Íа рисун-
Рис. 1. Влияние частоты f источника тока на вольт-амперные характери-
стики контакта металла с плёнкой YBCO; параметры β(f0) = 0,05, d =
= 0,75d, t → ∞, сопротивление R0 считаем пренебрежимо малым, cin(x) =
= 0,2 + 0,5x5, что соответствует экспериментальным данным [14]. Íа
вставке показана зависимость сопротивления контакта от времени для
трёх частот.
Fig. 1. Influence of a current-source frequency f on the current–voltage char-
acteristics of a contact formed by a metal with an YBCO film; parameters
β(f0) = 0.05, d = 0.75d, t → ∞, and resistance R0 is assumed negligibly small,
cin(x) = 0.2 + 0.5x5
that corresponds to the experimental data [14]. In the inset,
we show temporal dependence of the contact resistance for three frequencies.
ЧÀСТÎТÍЫЕ ХÀРÀÊТЕРÈСТÈÊÈ ÌЕÌРÈСТÎРÍЫХ СТРÓÊТÓР 739
ке 1 эффектами релаксации вакансионной подсистемы к исходному
состоянию мы пренебрегали (их влияние на гистерезисные кривые
рассмотрено ниже). Êак и следовало ожидать, с увеличением часто-
ты f отношение максимального сопротивления Roff контакта к его
минимальному значению Ron падает (см. вставку на рис. 1). Это
означает, что область рабочих частот обсуждаемого мемристора су-
щественно ограничена сверху. Для её расширения необходимо уве-
личивать параметр β, т.е. повышать коэффициент диффузии кис-
лородных вакансий D и понижать толщину плёнки d сложного ок-
сида.
Рассмотрим теперь, к чему приводит появление в обсуждаемой
структуре эффектов релаксации, т.е. конечной величины t. Соот-
ветствующие результаты, приведённые на рис. 2, демонстрируют
слабое влияние релаксационных процессов на работу мемристора
даже в том случае, когда t меняется на несколько порядков. Релак-
сация становится существенной только тогда, когда время t срав-
нимо с периодом пропускаемого через контакт переменного тока. È
даже в этом случае через несколько периодов изменения тока си-
стема переходит в стабильное во времени состояние с чётко опреде-
лённым периодом изменения её сопротивления. Этот вывод имеет
Рис. 2. Влияние конечного времени релаксации t на зависимость сопро-
тивления контакта металла с плёнкой YBCO от времени при фиксирован-
ной частоте переменного тока f = f0.
Fig. 2. Influence of finite relaxation time t on the temporal dependence of the
resistance of contact between the metal and the YBCO film for the fixed AC
frequency f = f0.
740 В. В. ШÀÌÀЕВ, Е. С. ЖÈТЛÓХÈÍÀ
важное практическое значение для проектирования новых элемен-
тов бинарной энергонезависимой памяти.
4. ВЫВОДЫ
Теоретически исследована частотная зависимость двузначных
вольт-амперных кривых для контакта металла с плёнкой сложного
оксида переходных металлов. Показано, что с увеличением частоты
переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отноше-
ние его максимального сопротивления к минимальному значению
падает. Для увеличения рабочей частоты такого мемристора необ-
ходимо повышать коэффициент диффузии кислородных вакансий
и уменьшать толщину оксидной плёнки. В то же время влияние ре-
лаксационных процессов в вакансионной подсистеме не является
существенным в том случае, когда характерное время релаксации
существенно превосходит период пропускаемого через контакт то-
ка.
Численные расчёты были выполнены нами для контактов на ос-
нове иттрий-бариевого купрата. Îднако основные выводы данной
работы имеют гораздо более широкую область применимости. В
частности, как нам представляется, они могут быть использованы
для объяснения резистивных переключений в контактах металла с
манганитами и другими представителями класса окислов переход-
ных металлов [15, 16].
Àвторы признательны Ì. À. Белоголовскому за ценные замеча-
ния и советы.
Данная работа выполнена в рамках программы фундаменталь-
ных исследований Ìинистерства образования и науки Óкраины
(проект № 0117U002360).
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Y. V. Pershin and M. Di Ventra, Adv. Phys., 60, No. 2: 145 (2011).
2. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, No. 5: 507 (1971).
3. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature, 453,
No. 7191: 80 (2008).
4. M. Di Ventra and Y. V. Pershin, Nature Physics, 9, No. 4: 200 (2013).
5. J. B. Goodenough, Rep. Prog. Phys., 67, No. 11: 1915 (2004).
6. Е. С. Житлухина, Ê. В. Ламонова, С. Ì. Îрел, Ю. Ã. Пашкевич, Физика
низких температур, 31, № 11: 1266 (2005).
7. V. A. Shapovalov, E. S. Zhitlukhina, K. V. Lamonova, V. V. Shapovalov,
M. Rafailovich, S. A. Schwarz, R. Jahoda, V. J. Reidy, S. M. Orel, and
Yu. G. Pashkevich, J. Phys.: Condens. Matter, 22, No. 24: 245504 (2010).
8. В. Ì. Свистунов, Ì. À. Белоголовский, À. È. Хачатуров, Успехи
физических наук, 163, № 2: 61 (1993).
ЧÀСТÎТÍЫЕ ХÀРÀÊТЕРÈСТÈÊÈ ÌЕÌРÈСТÎРÍЫХ СТРÓÊТÓР 741
9. Э. Ì. Руденко, Ì. À. Белоголовский, È. В. Êороташ, Д. Ю. Полоцкий,
À. À. Êраковный, Е. С. Житлухина, Ìеталлофиз. новейøие технол., 38,
№ 8: 995 (2016).
10. R. J. Cava, B. Batlogg, C. H. Chen, E. A. Rietman, S. M. Zahurak, and
D. Werder, Nature, 329, No. 6138: 423 (1987).
11. K. Yamamoto, B. M. Lairson, J. C. Bravman, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys.,
69, No. 10: 7189 (1991).
12. A. Plecenik, M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, M. Zahoran,
T. Roch, M. Belogolovskii, M. Spankova, S. Chromik, and P. Kus, Appl. Surf.
Sci., 256, No. 18: 5684 (2010).
13. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor,
J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Špankova, Š. Chromik, P. Kúš,
and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012).
14. M. Truchly, T. Plecenik, E. Zhitlukhina, M. Belogolovskii, M. Dvoranova,
P. Kus, and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 120, No. 18: 185302 (2016).
15. M. A. Belogolovskii, Centr. Eur. J. Phys., 7, Iss. 2: 304 (2009).
16. X.-F. Wu, L. Yuan, K.-K. Huang, and S.-H. Feng, Chin. J. Inorg. Chem., 31,
No. 9: 1726 (2015).
REFERENCES
1. Y. V. Pershin and M. Di Ventra, Adv. Phys., 60, No. 2: 145 (2011).
2. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, No. 5: 507 (1971).
3. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature, 453,
No. 7191: 80 (2008).
4. M. Di Ventra and Y. V. Pershin, Nature Physics, 9, No. 4: 200 (2013).
5. J. B. Goodenough, Rep. Prog. Phys., 67, No. 11: 1915 (2004).
6. E. S. Zhitlukhina, K. V. Lamonova, S. M. Orel, and Yu. G. Pashkevich, Fizika
Nizkikh Temperatur, 31, No. 11: 1266 (2005) (in Russian).
7. V. A. Shapovalov, E. S. Zhitlukhina, K. V. Lamonova, V. V. Shapovalov,
M. Rafailovich, S. A. Schwarz, R. Jahoda, V. J. Reidy, S. M. Orel, and
Yu. G. Pashkevich, J. Phys.: Condens. Matter, 22, No. 24: 245504 (2010).
8. V. M. Svistunov, M. A. Belogolovskiy, and A. I. Khachaturov, Uspekhi
Fizicheskikh Nauk, 163, No. 2: 61 (1993) (in Russian).
9. E. M. Rudenko, M. A. Belogolovskiy, I. V. Korotash, D. Yu. Polotskiy,
A. A. Krakovnyy, and E. S. Zhitlukhina, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 38,
No. 8: 995 (2016) (in Russian).
10. R. J. Cava, B. Batlogg, C. H. Chen, E. A. Rietman, S. M. Zahurak, and
D. Werder, Nature, 329, No. 6138: 423 (1987).
11. K. Yamamoto, B. M. Lairson, J. C. Bravman, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys.,
69, No. 10: 7189 (1991).
12. A. Plecenik, M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, M. Zahoran,
T. Roch, M. Belogolovskii, M. Spankova, S. Chromik, and P. Kus, Appl. Surf.
Sci., 256, No. 18: 5684 (2010).
13. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor,
J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Špankova, Š. Chromik, P. Kúš,
and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012).
14. M. Truchly, T. Plecenik, E. Zhitlukhina, M. Belogolovskii, M. Dvoranova,
P. Kus, and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 120, No. 18: 185302 (2016).
https://doi.org/10.1080/00018732.2010.544961
https://doi.org/10.1109/TCT.1971.1083337
https://doi.org/10.1038/nature06932
https://doi.org/10.1038/nature06932
https://doi.org/10.1038/nphys2566
https://doi.org/10.1088/0034-4885/67/11/R01
https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/24/245504
https://doi.org/10.3367/UFNr.0163.199302c.0061
https://doi.org/10.3367/UFNr.0163.199302c.0061
https://doi.org/10.15407/mfint.38.08.0995
https://doi.org/10.15407/mfint.38.08.0995
https://doi.org/10.1038/329423a0
https://doi.org/10.1063/1.347612
https://doi.org/10.1063/1.347612
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.03.018
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.03.018
https://doi.org/10.1063/1.3691598
https://doi.org/10.1063/1.4967392
742 В. В. ШÀÌÀЕВ, Е. С. ЖÈТЛÓХÈÍÀ
15. M. A. Belogolovskii, Centr. Eur. J. Phys., 7, Iss. 2: 304 (2009).
16. X.-F. Wu, L. Yuan, K.-K. Huang, and S.-H. Feng, Chin. J. Inorg. Chem., 31,
No. 9: 1726 (2015).
https://doi.org/10.2478/s11534-009-0012-1
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <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>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <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>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <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>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <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>
/LVI <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>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/POL <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>
/PTB <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>
/RUM <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>
/RUS <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>
/SKY <FEFF0054006900650074006f0020006e006100730074006100760065006e0069006100200070006f0075017e0069007400650020006e00610020007600790074007600e100720061006e0069006500200064006f006b0075006d0065006e0074006f0076002000410064006f006200650020005000440046002c0020006b0074006f007200e90020007300610020006e0061006a006c0065007001610069006500200068006f0064006900610020006e00610020006b00760061006c00690074006e00fa00200074006c0061010d00200061002000700072006500700072006500730073002e00200056007900740076006f00720065006e00e900200064006f006b0075006d0065006e007400790020005000440046002000620075006400650020006d006f017e006e00e90020006f00740076006f00720069016500200076002000700072006f006700720061006d006f006300680020004100630072006f00620061007400200061002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000610020006e006f0076016100ed00630068002e>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/TUR <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>
/UKR <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|