Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью
В работе представлены результаты изучения влияния условий получения образцов на величину переохлаждения легкоплавкого сплава в многослойных плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Путём прямых insituinsitu электронографических исследований установлено, что отжиг плёнок Cu/Bi, выполняемый перед осаждением сло...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130397 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью / С.В. Дукаров, С.И. Петрушенко, В.Н. Сухов, Р.И. Бигун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 8. — С. 1069-1086. — Бібліогр.: 42 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860055697693081600 |
|---|---|
| author | Дукаров, С.В. Петрушенко, С.И. Сухов, В.Н. Бигун, Р.И. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| author_facet | Дукаров, С.В. Петрушенко, С.И. Сухов, В.Н. Бигун, Р.И. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| citation_txt | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью / С.В. Дукаров, С.И. Петрушенко, В.Н. Сухов, Р.И. Бигун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 8. — С. 1069-1086. — Бібліогр.: 42 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | В работе представлены результаты изучения влияния условий получения образцов на величину переохлаждения легкоплавкого сплава в многослойных плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Путём прямых insituinsitu электронографических исследований установлено, что отжиг плёнок Cu/Bi, выполняемый перед осаждением слоя олова, увеличивает величину переохлаждения от 65 К в неотожжённых плёнках до 140 К в образцах, отожжённых при 300°С в течение 5 минут. Это связано с последующим диспергированием отожжённых плёнок, происходящим в первом цикле нагрева плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Так, легкоплавкий сплав в неотожжённых образцах присутствует в виде частиц размером более 50 мкм. Кристаллизация таких частиц будет происходить на сторонних центрах. Однако в диспергированных плёнках условия метода микрообъёмов оказываются выполненными, и имеется возможность регистрировать переохлаждения, характерные для контактной пары Cu/(Bi + 7% масс. Sn).
У роботі представлено результати вивчення впливу умов одержання зразків на величину переохолодження легкотопкого стопу в багатошарових плівках Cu/(Bi + 7% мас. Sn). Шляхом прямих іnsіtuіnsіtu електронографічних досліджень встановлено, що відпал плівок Cu/Bі, виконаний перед осадженням шару цини, збільшує величину переохолодження від 65 К в невідпалених плівках до 140 К у зразках, відпалених при 300°С впродовж 5 хвилин. Це пов’язано з наступним дисперґуванням відпалених плівок, що відбувається в першому циклі нагрівання плівок Cu/(Bi + 7% мас. Sn). Так, легкотопкий стоп у невідпалених зразках присутній у вигляді частинок розміром більше 50 мкм. Кристалізація таких частинок буде відбуватися на сторонніх центрах. Однак у дисперґованих плівках умови методи мікрооб’ємів виявляються виконаними, і є можливість реєструвати переохолодження, характерні для контактної пари Cu/(Bi + 7% мас. Sn).
The results of studies of supercooling of the Bi + 7% wt. Sn alloy in multi-layer Cu/Bi/Sn films are presented. The crystallization temperature is determined by direct insituinsitu electron diffraction methods during heating and cooling of the samples. Effects of the distinctions in conditions of samples’ fabrication on both the temperature of supercooling of a low-melting alloy and the pattern of its crystallization are revealed. Annealing of Cu/Bi films at 300°C for 5 minutes, performed before the deposition of the tin layer, increases the supercooling value from 65 K to 140 K. Additionally, because of intermediate annealing, crystallization becomes diffusive instead of avalanche-like one, and crystallization period stretches to a 20 K interval. This is due to the dispersion of the pre-annealed samples that occurs in the first heating cycle of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:00:53Z |
| format | Article |
| fulltext |
МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ И ПЛЁНКИ
PACS numbers: 64.70.D-, 64.70.kd, 68.35.Dv, 68.37.-d, 68.55.J-, 73.61.At, 81.15.Ef, 81.40.Ef
Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв
сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте
с кристаллической медью
С. В. Дукаров, С. И. Петрушенко, В. Н. Сухов,
Р. И. Бигун*, З. В. Стасюк*, Д. С. Леонов**
Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина,
пл. Свободы, 4,
61022 Харьков, Украина
*Львовский национальный университет имени Ивана Франко,
ул. Университетская, 1,
79000 Львов, Украина
**Технический центр НАН Украины,
ул. Покровская, 13,
04070 Киев, Украина1
В работе представлены результаты изучения влияния условий получения
образцов на величину переохлаждения легкоплавкого сплава в много-
слойных плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Путём прямых in situ электроно-
графических исследований установлено, что отжиг плёнок Cu/Bi, выпол-
няемый перед осаждением слоя олова, увеличивает величину переохла-
ждения от 65 К в неотожжённых плёнках до 140 К в образцах, отожжён-
ных при 300°С в течение 5 минут. Это связано с последующим дисперги-
рованием отожжённых плёнок, происходящим в первом цикле нагрева
плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Так, легкоплавкий сплав в неотожжённых
образцах присутствует в виде частиц размером более 50 мкм. Кристалли-
зация таких частиц будет происходить на сторонних центрах. Однако в
Corresponding authors: Roman Ivanovych Bihun
E-mail: bihun28@ukr.net
V. N. Karazin Kharkiv National University, 4 Svobody Sqr., 61022 Kharkiv, Ukraine
*Ivan Franko National University of Lviv, 1 Universytetska Str., 79000 Lviv, Ukraine
**Technical Centre, N.A.S. of Ukraine, 13 Pokrovs’ka Str., 04070 Kyiv, Ukraine
Please cite this article as: S. V. Dukarov, S. I. Petrushenko, V. M. Sukhov, R. I. Bihun,
Z. V. Stasyuk, and D. S. Leonov, Supercooling During a Crystallization of Thin Layers
of the Bi + 7% wt. Sn Alloy Being Contact to Crystalline Copper, Metallofiz. Noveishie
Tekhnol., 39, No. 8: 1069–1086 (2017) (in Russian), DOI: 10.15407/mfint.39.08.1069.
Ìеталлоôиз. новейøие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2017, т. 39, № 8, сс. 1069–1086 / DOI: 10.15407/mfint.39.08.1069
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Ôотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2017 ИÌÔ (Институт металлофизики
им. Ã. В. Курдюмова НÀН Óкраины)
Напечатано в Óкраине.
1069
mailto:bihun28@ukr.net
1070 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
диспергированных плёнках условия метода микрообъёмов оказываются
выполненными, и имеется возможность регистрировать переохлаждения,
характерные для контактной пары Cu/(Bi + 7% масс. Sn).
Ключевые слова: переохлаждение сплавов, многослойные плёнки, усло-
вия конденсации, термическое воздействие.
Ó роботі представлено результати вивчення впливу умов одержання зраз-
ків на величину переохолодження легкотопкого стопу в багатошарових
плівках Cu/(Bi + 7% мас. Sn). Шляхом прямих іn sіtu електронографічних
досліджень встановлено, що відпал плівок Cu/Bі, виконаний перед оса-
дженням шару цини, збільшує величину переохолодження від 65 К в не-
відпалених плівках до 140 К у зразках, відпалених при 300°С впродовж 5
хвилин. Це пов’язано з наступним дисперґуванням відпалених плівок,
що відбувається в першому циклі нагрівання плівок Cu/(Bi + 7% мас. Sn).
Так, легкотопкий стоп у невідпалених зразках присутній у вигляді час-
тинок розміром більше 50 мкм. Кристалізація таких частинок буде відбу-
ватися на сторонніх центрах. Однак у дисперґованих плівках умови мето-
ди мікрооб’ємів виявляються виконаними, і є можливість реєструвати
переохолодження, характерні для контактної пари Cu/(Bi + 7% мас. Sn).
Ключові слова: переохолодження стопів, багатошарові плівки, умови
конденсації, термічний вплив.
The results of studies of supercooling of the Bi + 7% wt. Sn alloy in multi-
layer Cu/Bi/Sn films are presented. The crystallization temperature is de-
termined by direct in situ electron diffraction methods during heating and
cooling of the samples. Effects of the distinctions in conditions of samples’
fabrication on both the temperature of supercooling of a low-melting alloy
and the pattern of its crystallization are revealed. Annealing of Cu/Bi films
at 300°C for 5 minutes, performed before the deposition of the tin layer, in-
creases the supercooling value from 65 K to 140 K. Additionally, because of
intermediate annealing, crystallization becomes diffusive instead of ava-
lanche-like one, and crystallization period stretches to a 20 K interval. This is
due to the dispersion of the pre-annealed samples that occurs in the first
heating cycle of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films.
Key words: supercooling of alloys, multilayer films, condensation conditions,
thermal effect.
(Получено 15 июля 2017 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Дальнейшее развитие современных технологий требует всё большей
миниатюризации всевозможных исполнительных устройств и их
компонентов [1–3]. Действие многих наноразмерных структур,
например, датчиков, ключей и элементов памяти может быть осно-
вано на протекающих в них фазовых переходах, что делает задачу
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1071
определения границ стабильности жидкой фазы актуальной. В этой
связи особое значение приобретает изучение переохлаждения спла-
вов, поскольку можно ожидать, что изменяя их состав можно варьи-
ровать не только температуру плавления, но и кристаллизации об-
разца. Также сведения о величине переохлаждений представляются
актуальными в связи с разработкой различных нанокомпозитных
материалов, свойства которых могут в значительной степени опреде-
ляться кинетикой кристаллизации [4, 5]. С общенаучной точки зре-
ния изучение переохлаждения позволяет получить информацию о
термодинамических процессах, происходящих при фазовых перехо-
дах, и об их влиянии на свойства закристаллизовавшегося материа-
ла. В образцах, находящихся в условиях экстремально больших пе-
реохлаждений, возможны различные метастабильные состояния,
оказывающие влияние на процессы кристаллизации. Исследование
переохлаждения расплавов, находящихся в контакте с другими ве-
ществами, позволяет понять процессы, происходящие на интерфей-
сах. В свою очередь информация о смачивании в различных систе-
мах (особенно тех, которые рассматриваются в качестве перспектив-
ной замены свинцовых припоев) является необходимой для развития
экологически чистых технологий.
На сегодняшний день достаточно подробно исследовано пере-
охлаждение при кристаллизации свободных однокомпонентных ча-
стиц. При исследовании переохлаждения расплавов металлов, нахо-
дящихся в контакте с твёрдой фазой другого вещества, роль которого
может играть как материал тигля, так и присутствующие в расплаве
нерастворимые примеси, установлено, что при наличии в образце
интерфейса «твёрдое тело–жидкость» достижимая величина пере-
охлаждения обычно оказывается меньше, чем в случае свободных
частиц [6, 7]. Эффект металл-индуцированной кристаллизации мо-
жет не только уменьшить величину достижимого переохлаждения,
но и привести к переходу аморфного образца в кристаллическое со-
стояние [8, 9, 10]. Обычно повышение температуры фазового перехо-
да объясняется тем, что на межфазной границе снижается работа об-
разования зародыша новой фазы, что закономерно уменьшает вели-
чины максимального переохлаждения в таких системах. В качестве
численной меры такого взаимодействия обычно используется крае-
вой угол смачивания расплавом твёрдого вещества, с которым он
контактирует. В частности установлено, что переохлаждение возрас-
тает с увеличением краевого угла смачивания и при углах более 120°
выходит на постоянное значение равное примерно одной трети от
равновесной температуры плавления [6, 11].
Таким образом, исследование переохлаждений при кристалли-
зации требует использования образцов максимально свободных от
примесей. Для достижения этого применяются методы химической
и зонной очистки, которые сочетаются с получением образцов в
1072 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
условиях высокого вакуума. Весьма эффективным способом созда-
ния образцов для исследования переохлаждения является метод
микрообъёмов. Суть данного метода заключается в разбиении ис-
ходного, уже максимально очищенного образца на отдельные ча-
стицы. Поскольку число сторонних центров кристаллизации в ис-
ходном веществе конечно, при должной степени диспергирования
возможно появление частиц, вообще не содержащих примесей. В
[6, 11–15] при помощи сочетания метода микрообъёмов с вакуум-
ными способами препарирования для островковых плёнок метал-
лов, находящихся на аморфной углеродной или оксидной подлож-
ке, достигнуты величины максимальных переохлаждений на
уровне 0,3–0,4 температуры плавления Ts.
Исследование влияния условий препарирования образцов на ве-
личины переохлаждений проведено в работах [16, 17]. Óстановле-
но, что температура и характер кристаллизации висмута в плёнках
Cu–Bi–Cu и Mo–Bi–Mo, которые моделируют системы вида «легко-
плавкая частица в тугоплавкой матрице», зависят от температуры
подложки при конденсации образцов. Это связывается с изменени-
ем морфологии плёнок при изменении температуры осаждения.
Отметим, что нанокомпозитные материалы, в которых наноча-
стицы внедрены в массивную матрицу, достаточно сложны для
изучения. Так, в ряде работ [18, 19, 20] отмечается, что в подобных
системах может наблюдаться явление перегрева, т.е. увеличение
температуры плавления по сравнению со свободными частицами.
Перегрев обычно объясняется механическими напряжениями на
границе между внедрёнными расплавленными частицами и окру-
жающей их твёрдой матрицей [19, 20]. Благодаря перегреву темпе-
ратура плавления частиц, внедрённых в более массивную матрицу,
может увеличиваться с уменьшением их размера [20]. Это само по
себе усложняет интерпретацию результатов исследований и опре-
деление понижения температуры кристаллизации легкоплавкого
компонента. À литературные данные о размерном эффекте величи-
ны переохлаждения неоднозначны и подчас противоречивы. В раз-
личных работах отмечается как возрастание, так и неизменность
или даже уменьшение относительного переохлаждения с уменьше-
нием размера частиц [21–23].
Ещё более ограниченными представляются сведения о пере-
охлаждении сплавов. В [24] отмечается, что кристаллизация пере-
охлаждённого расплава In–Sn (при эвтектической концентрации
компонентов) в алюминиевой матрице происходит в три этапа.
Схожие результаты также получены в работе [25], в которой пока-
зано, что кристаллизация переохлаждённых сплавов Pb–Sn, нахо-
дящихся в контакте с алюминием, также является многоэтапной.
Сложный характер кристаллизации в таких системах связывается
авторами с зернограничной кристаллизацией [26–29] части распла-
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1073
ва, которая наблюдается при более высоких температурах, и после-
дующей кристаллизацией отдельных фаз, каждая из которых ха-
рактеризуется собственной величиной переохлаждения. В то же
время плавление легкоплавкого сплава, согласно [24, 25], происхо-
дит в рамках одного этапа. Однако, исходя из предложенного авто-
рами объяснения причин многоэтапного характера кристаллиза-
ции, следовало бы ожидать, что плавление также будет происхо-
дить в несколько этапов.
В этой связи представляется интересным изучение переохлажде-
ния при кристаллизации в тонких слоях легкоплавких сплавов,
находящихся в контакте с кристаллической фазой более тугоплав-
ких веществ. Данная работа посвящена исследованию переохла-
ждения в многослойных плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn).
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Основным объектом исследования были поликристаллические плён-
ки меди толщиной 30 нм, на которые наносился сплав Bi + 7% масс.
Sn. Содержание легкоплавкого сплава в этих плёнках составляло
60% масс. В отдельных случаях для выяснения особенностей измене-
ния морфологии плёнок в процессе термического воздействия иссле-
довались образцы с другими толщинами слоёв и соотношениями
компонентов. Образцы для исследований получались методом после-
довательной вакуумной конденсации компонентов из независимых
источников в вакууме 10−6
мм. рт. ст. Ìассовая толщина каждого из
слоёв определялась в процессе их получения при помощи кварцевого
резонатора. Плёнки конденсировались на находящиеся при комнат-
ной температуре свежие сколы монокристаллов KCl с предварительно
осаждённым подслоем аморфного углерода. Были получены две се-
рии образцов: в первой из них до полной конденсации всех компонен-
тов плёнки не подвергались термическому воздействию. Во второй
серии после последовательной конденсации слоёв Cu и Bi образцы в
течение 10 мин отжигались при температуре, обеспечивающей плав-
ление висмута. После отжига образцы второй серии охлаждались до
комнатной температуры, и на них конденсировался слой олова требу-
емой толщины. Далее образцы извлекались из вакуумной камеры и
исследовались методами растровой и просвечивающей электронной
микроскопии и in situ электронной дифракции.
In situ дифракционные исследования проводились в просвечива-
ющем электронном микроскопе СЕЛÌИ ЭÌВ-100БР, оснащённом
оригинальной системой для нагрева образцов непосредственно в
колонне электронного микроскопа. Электронно-микроскопические
исследования выполнялись при помощи просвечивающего микро-
скопа СЕЛÌИ ПЭÌ-125 и растрового JEOL JSM840. Для построе-
ния температурной зависимости сопротивления плёнок использо-
1074 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
валась методика, описанная в работах [11, 16, 17]. Соответствую-
щие образцы конденсировались на низкоинерционные нагрева-
тельные ячейки с предварительно нанесёнными медными электри-
ческими контактами. Нагрев ячейки осуществлялся излучением
вольфрамовой спирали, а её температура измерялась термопарой K-
типа. Регистрация сопротивления и температуры выполнялась при
помощи прецизионного ÀЦП Advantech USB 4718.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
На рисунке 1 представлены электронограммы, соответствующие
плёнкам Cu/(Bi + 7% масс. Sn), которые в процессе послойной кон-
денсации не подвергались отжигу. Электронограммы были получе-
ны в третьем цикле нагрев–охлаждение. Видно, что дифракцион-
ные рефлексы, соответствующие висмуту, присутствуют при нагре-
ве образца до температуры около 270°C. Дифракционные линии
олова ввиду его низкой концентрации обнаруживаются на электро-
а б
в г
Рис. 1. Электронограммы плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn), которые до завер-
шения конденсации не подвергались отжигу. Температуры образцов ука-
заны на изображениях; а и б соответствуют нагреву, в и г — охлаждению.
Fig. 1. Electron diffraction patterns of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films, which were
not annealed before the end of condensation. Temperatures of the samples are
shown on the patterns. The images correspond to heating (а, б) and cooling (в,
г) of samples.
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1075
нограммах в виде следов. При больших температурах на месте ди-
фракционных линий от висмута наблюдается диффузное гало, что
указывает на полное плавление сплава. Однако при охлаждении
рефлексы, свидетельствующие о кристаллизации расплава, появ-
ляются при значительно меньшей температуре — около 200°C. Та-
ким образом, при охлаждении образцов, конденсированных таким
способом, исследуемый сплав в интервале температур 200–270°C
присутствует в них в переохлаждённом жидком состоянии. При
этом дифракционные рефлексы появляются практически мгновен-
но, что свидетельствует о лавинообразной кристаллизации, проис-
ходящей в интервале температур, меньшем 0,1 К. Отметим, что по-
лученная температура кристаллизации при переохлаждении лег-
коплавкого компонента в этой системе и характер его кристаллиза-
ции в целом соответствуют тем, которые наблюдались в работах [16,
17] для плёнок Cu–Bi–Cu и Mo–Bi–Mo, конденсированных по меха-
низму пар–кристалл. При этом температура кристаллизации спла-
вов Bi–Sn содержащих от 0 до 15% олова практически не зависит от
его концентрации, а сама кристаллизация имеет лавинообразный
характер и происходит в интервале температур, меньшем 0,1 К.
При дальнейшем увеличении содержания олова величина пере-
охлаждения возрастает, а кристаллизация происходит диффузион-
но. В частности, кристаллизация в образцах Cu/(Bi + 20% масс. Sn)
растягивается в интервале температур около 20 К, т.е. имеет диф-
фузионный характер и завершается при температуре 105°C.
Наличие на электронограммах (рис. 1, а, г) прерывистых линий
указывает на то, что в образцах этой серии формируется крупно-
кристаллитная структура. В то же время до проведения первого
цикла нагрев–охлаждение, на электронограммах наблюдаются
сплошные однородные дифракционные линии (рис. 2, а). Это сви-
детельствует о мелкодисперсной структуре плёнок. Образование
крупных кристаллитов происходит в первом цикле нагрев–охлаж-
дение непосредственно при первой кристаллизации переохлаждён-
ного расплава (рис. 2, б). Отметим, что на электронограммах от
плёнок, содержащих в легкоплавком сплаве более 15% масс. олова,
даже после нескольких циклов нагрев–охлаждение, не появляются
прерывистые линии, наблюдаемые в образцах с меньшей концен-
трацией олова.
В то же время при исследовании переохлаждения в плёнках
Cu/(Bi + 7% масс. Sn) второй серии, т.е. в образцах, которые после
конденсации слоёв Cu и Bi подвергались отжигу, установлено, что их
кристаллизация растягивается в интервале температур около 20 К,
т.е. происходит диффузионно, и завершается при более низкой тем-
пературе: 130°C (рис. 3). Это соответствует относительному пере-
охлаждению на уровне 0,25Ts и несколько превышает значения,
характерные для чистого висмута в контакте с медью [17]. Отме-
1076 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
тим, что на увеличение относительного переохлаждения сплавов в
сравнении с чистыми веществами указывается в работах [4, 30]. В
образцах этой серии как до (рис. 3, а), так и после (рис. 3, г) нагрева
электронографические картины представлены непрерывными
кольцами, которые не распадаются на отдельные рефлексы.
Электронно-микроскопические исследования плёнок выполня-
лись при помощи растровой и просвечивающей электронной мик-
роскопии. На рисунке 4 представлены электронно-микроскопичес-
кие изображения плёнок Cu/Bi, компоненты которых осаждались
на подложки комнатной температуры, после чего образцы подвер-
гались серии циклов нагрев-охлаждение. Видно, рис. 4, а, что вис-
мут, конденсированный на плёнку меди при комнатной температу-
ре, после проведения циклов нагрев–охлаждение растекается по
всей её поверхности, а не собирается в отдельные частицы, которые
наблюдаются после плавления легкоплавкого компонента в других
контактных парах [6, 11, 31]. Отметим, что первый нагрев, как од-
нослойных плёнок меди, так и плёнок Cu/Bi, сопровождается рез-
ким и необратимым снижением их электросопротивления, а также
уменьшением ширины дифракционных колец на электронограм-
мах [17, 33]. Это связано с тем, что свежесконденсированные мед-
ные слои одно- и многослойных плёнок содержат большое количе-
ство неравновесных дефектов, которые отжигаются в первом цикле
нагрева при температуре 100–200°C [33].
На рисунке 5 приведены электронно-микроскопические изобра-
жения свежесконденсированных плёнок (Bi + 7% масс. Sn) (рис. 5,
а б
Рис. 2. Электронограммы, полученные в первом цикле нагрев–охлаждение
плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn), которые в процессе конденсации не подверга-
лись отжигу; а соответствует первому нагреву: б — охлаждению образца
после плавления сплава.
Fig. 2. Electron diffraction patterns obtained in the first heating–cooling cy-
cle of processing Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films, which were not annealed during
the condensation process; а corresponds to the first sample heating, б corre-
sponds to the sample cooling after alloy melting.
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1077
а), и таких же образцов после проведения пяти циклов нагрев-ох-
лаждение (рис. 5, б). Содержание сплава (Bi + 7% масс. Sn) в этих
плёнках составляет 60% масс. Видно, что свежесконденсированные
плёнки являются мелкодисперсными с множеством кристаллитов,
соотнести которые с тем или иным компонентом затруднительно. В
то же время микроструктура плёнок после пяти циклов нагрев–
охлаждение существенно меняется. Так, поскольку во время прове-
дения циклов нагрев–охлаждение плёнки находились в нагретом
состоянии около двух часов, в них происходила рекристаллизация
медного слоя, и размер кристаллитов меди увеличивался до 100–
200 нм.
Рост зёрен закономерно приводит к уменьшению площади их
границ, с которой связана значительная избыточная энергия [32].
Это соответствует результатам работ [33, 34], согласно которым от-
жиг плёнок меди при температуре 150°C в течение двух часов при-
водит к такому же эффекту. Кроме того, поверхность образцов, под-
вергшихся нескольким циклам нагрева–охлаждения, оказывается
практически полностью покрытой легкоплавким сплавом, что
а б
в г
Рис. 3. Электронограммы плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn), которые после
конденсации слоёв Cu и Bi подвергались отжигу; а, б соответствуют нагре-
ву; б, в — охлаждению.
Fig. 3. Electron diffraction patterns of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films, which were
exposed to annealing after condensation of the Cu and Bi layers. The images
correspond to heating (а, б) and cooling (в, г) of the sample.
1078 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
наряду с дифракционными исследованиями, позволяет предполо-
жить формирование в этих плёнках крупных кристаллитов Bi–Sn.
Отметим, что в отдельных местах наблюдаются разрывы сплош-
ной плёнки (рис. 6). В отличие от сквозных пор, возникающих пу-
тём твердофазной диффузии в одно- и многокомпонентных плёнках
[11, 33, 34], в данных разрывах наблюдается множество отдельных
частиц, форма которых характерна для объектов, находившихся в
жидком состоянии. Отметим, что согласно [33], жидкая фаза лег-
а б
Рис. 4. СЭÌ- (а) и ПЭÌ- (б) изображения плёнок Cu/Bi после нескольких
циклов нагрев-охлаждение; а соответствует плёнкам Cu/Bi, содержащим
70% масс., б — 15% масс. висмута.
Fig. 4. SEM (а) and TEM (б) images of Cu/Bi films after several heating-
cooling cycles. The samples contain 70% wt. (а) and 15% wt. (б) Bi.
а б
Рис. 5. Электронно-микроскопические изображения плёнки Cu/(Bi + 7
мас.% Sn) до (а) и после (б) проведения пяти циклов нагрев–охлаждение.
Содержание сплава (Bi + 7% масс. Sn) в плёнке Cu/(Bi + 7% масс. Sn) со-
ставляет 60% масс. Образец при конденсации не подвергался отжигу.
Fig. 5. TEM images of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) film before (а) and after (б) five
heating–cooling cycles. The Cu/(Bi + 7 wt.% Sn) film contains 60% wt. of fu-
sible alloy. The sample was not annealed during condensation.
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1079
коплавкого компонента, если её концентрация превышает 3%, мо-
жет существенно интенсифицировать распад поликристаллических
плёнок меди на отдельные островки. Это может быть обусловлено
возрастанием растворимости, которое наблюдается в тонкоплёноч-
ных структурах [35–37]. Таким образом, можно предположить, что
важную роль в образовании таких отдельных разрывов, как и в
диспергировании образцов в целом, играет расплав, возникающий
при нагреве плёнок.
На рисунке 7 представлены электронно-микроскопические изоб-
ражения плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn) второй серии, которые перед
осаждением олова подвергались отжигу при температурах, превы-
шающих температуру плавления висмута. Как видно из сравнения
рисунков 5, а и 7, а, изначально образцы Cu/(Bi + 7% масс. Sn) обе-
их серий являются мелкодисперсными, а рост кристаллитов, про-
исходящий при однократном нагреве плёнок Cu/Bi, незначителен.
Однако, в отличие от плёнок первой серии, образцы Cu/(Bi + 7%
масс. Sn) второй серии после пяти циклов нагрев–охлаждение рас-
падаются на отдельные островки. При этом, как следует из элек-
тронографических исследований, в плёнках этой серии не образует-
ся крупнокристаллических включений висмута. Отметим, что воз-
можность, варьируя условия препарирования, облегчить дисперги-
рование изначально сплошных плёнок имеет самостоятельный при-
кладной интерес. Так, многими исследователями массивы метал-
лических частиц и частиц оксидов, легированных металлическими
или редкоземельными элементами, рассматриваются как основа
датчиков, биосенсоров, фотокаталитических генераторов и иных
элементов современной электроники [38–40].
Рис. 6. Электронно-микроскопическое изображение плёнки Cu/(Bi + 7%
масс. Sn) после пяти циклов нагрев–охлаждение. Образец при конденсации
не подвергался отжигу.
Fig. 6. TEM image of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) film after five heating–cooling cy-
cles. The sample was not annealed during condensation.
1080 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
Таким образом, изменение температуры и характера кристалли-
зации в образцах, которые подверглись предварительному отжигу,
по сравнению с плёнками первой серии, выглядит закономерным.
Так, в образцах первой серии легкоплавкий сплав представлен пре-
имущественно частицами с характерным размером более 50 мкм.
Соответственно, в них не реализуются условия метода микрообъё-
мов. Сплошные участки плёнки, на которые приходится основная
масса легкоплавкого компонента в образцах этой серии, будут пол-
ностью кристаллизоваться после появления одного зародыша кри-
сталлической фазы критического размера. Óчитывая достаточно
большой объём структурных объектов в этих плёнках, такой заро-
дыш с высокой вероятностью возникнет на сторонних примесях.
Это обуславливает небольшую величину переохлаждения и лавино-
образную кристаллизацию, наблюдаемую в многослойных плён-
ках, полученных по такой методике. В то же время в образцах вто-
рой серии, в которых плёнка распадается на отдельные островки с
характерным размером не более сотен нанометров, условия метода
микрообъёмов уже будут выполнены. Кристаллизация отдельных
островков, содержащих сторонние центры зародышеобразования,
не приведёт к кристаллизации соседних. В результате степень мак-
симального переохлаждения в образцах этой серии возрастает, а
сама кристаллизация становится диффузионной. Подобное явление
обнаружено и в работах [16, 17]. Àвторы [16, 17] показали, что кри-
сталлизация единой системы включений, характерной для плёнок
Cu/Bi/Cu и Mo/Bi/Mo, полученных конденсацией компонентов по
а б
Рис. 7. Электронно-микроскопические изображения свежесконденсиро-
ванных плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn) (а) и образцов после проведения пяти
циклов нагрев–охлаждение (б). Содержание сплава (Bi + 7% масс. Sn) в
плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn) составляет 60% масс. Образцы подверглись
отжигу перед осаждением олова.
Fig. 7. TEM images of as-deposited (а) Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films and of samples
after five heating–cooling cycles (б). The sample contained 60% wt. of fusible
alloy. Samples were exposed to annealing before condensation of Sn.
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1081
механизму пар–кристалл, происходит лавинообразно при неболь-
ших степенях переохлаждения, которые в целом не зависят от ма-
териала тугоплавкой матрицы. В то же время кристаллизация вис-
мута в плёнках Cu/Bi/Cu и Mo/Bi/Mo, полученных по механизму
конденсации пар–жидкость, в которых висмут присутствует в виде
отдельных частиц, растягивается в некотором интервале темпера-
тур, и завершается при более низких температурах.
Относительно причин, по которым отожжённые образцы в отли-
чие от неотожжённых распадаются при нагреве на отдельные ост-
ровки, можно высказать следующие соображения. Вначале отме-
тим, что сплошность плёнок Cu/(Bi–Sn), в которых легкоплавкий
сплав содержит более 20% масс. олова, частично нарушается уже
при первом нагреве. Об этом свидетельствует необратимый рост
электросопротивления таких образцов (рис. 8), начинающийся при
температуре близкой к эвтектической. В то же время сплошность
плёнок, не содержащих олова, при таком нагреве сохраняется [34].
Следовательно, именно олово приводит к диспергированию изна-
чально сплошных плёнок, а увеличение его концентрации законо-
мерно интенсифицирует этот процесс.
В то же время необходимо напомнить, что свежесконденсирован-
ные плёнки меди являются неравновесными структурами, содержа-
щими множество дефектов, которые являются путями ускоренной
диффузии. Кроме того, тонкие плёнки сами по себе являются струк-
турами, для которых характерна высокая диффузионная активность
[41, 42]. В результате при первом нагреве плёнок Cu–Bi происходит
не только отжиг дефектов медных слоёв, но и проникновение висму-
та в медную плёнку по неравновесным путям ускоренной диффузии.
Так, из рис. 4, а и 5, б видно, что поверхность плёнок Cu/Bi и Cu/(Bi +
Рис. 8. Зависимость сопротивления от температуры плёнок Cu/(Bi + 20%
масс. Sn) при первом нагреве.
Fig. 8. Dependence of the Cu/(Bi + 20% wt. Sn) film resistance on temperature
during the first heating.
1082 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
+ 20% масс. Sn), содержащих 60–70% масс. легкоплавкого компо-
нента, остаётся покрытой сплошным слоем висмута даже после про-
ведения нескольких циклов нагрев–охлаждение. В плёнках, содер-
жащих лишь 15% масс. висмута (рис. 4, б), после циклов нагрев-
охлаждение такого поверхностного слоя висмута уже не обнаружи-
вается. Это можно объяснить диффузией висмута по межзёренным
границам и другим путям ускоренной диффузии, которая приводит
к уменьшению концентрации висмута на поверхности медной плён-
ки.
Также на существенную роль миграции висмута в поликристал-
лические слои более тугоплавких металлов при формировании внут-
ренней структуры образцов указывают результаты работы [17]. Àв-
торы [17] отмечают, что именно висмут обеспечивает наибольшее по
сравнению с другими легкоплавкими металлами изменение сопро-
тивления многослойных плёнок при плавлении и кристаллизации
легкоплавкого компонента. Поскольку состояние межзёренных гра-
ниц вносит существенный вклад в общее электросопротивление по-
ликристаллических плёнок, отмеченный факт можно также рас-
сматривать как указание на то, что значительная доля висмута в
плёнках Cu/Bi/Cu [17] и Mo/Bi/Mo [16] сосредоточенна на межзё-
ренных границах меди или молибдена.
Таким образом, относительно влияния предварительно отжига
плёнок Cu/Bi на диспергирование образцов Cu/(Bi + 7% масс. Sn),
можно высказать следующие соображения. Поскольку увеличение
содержания олова закономерно интенсифицирует диспергирование
плёнок, можно предположить, что его концентрация в этих образ-
цах оказывается недостаточной для распада образцов, не подвер-
гавшихся предварительному нагреву после конденсации висмута.
Однако при первом нагреве плёнок Cu/Bi происходит не только от-
жиг медного слоя, но и диффузия висмута вглубь медной плёнки.
При этом концентрация висмута на поверхности образца снижает-
ся. В результате относительное содержание олова в поверхностном
слое этих плёнок оказывается достаточным для диспергирования. В
дальнейшем, после плавления легкоплавкого сплава, благодаря
высокой скорости диффузии компонентов, находящихся в жидком
состоянии, можно ожидать, что указанное локальное возрастание
концентрации нивелируется, и концентрация олова в образце при-
обретает равновесное значение, соответствующее массовым кон-
центрациям компонентов.
4. ВЫВОДЫ
Определена величина переохлаждения при кристаллизации сплава
(Bi + 7% масс. Sn), находящегося в контакте с медью. Показано, что
небольшие добавки олова способствуют диспергированию единой
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1083
системы включений, возникающей в плёнках Cu/Bi.
Óстановлено, что термическая обработка образцов в процессе
конденсации оказывает существенное влияние на величину пере-
охлаждения и характер кристаллизации переохлаждённого рас-
плава. Так, температура кристаллизации сплава Bi–Sn в плёнках
Cu–Bi–Sn, которые после осаждения меди и висмута перед конден-
сацией олова подвергались отжигу, составляет 130°C, а сама кри-
сталлизация растягивается в некотором интервале температур. В то
же время кристаллизация в плёнках, которые до полного формиро-
вания образца не подвергались термическому воздействию, проис-
ходит лавинообразно при температуре 200°C.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, О. В. Строганов, В. Ì. Ãаврилюх, Д. С. Леонов,
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 13, № 3: 459 (2015).
2. Р. І. Бігун, В. Ì. Ãаврилюх, З. В. Стасюк, Д. С. Леонов, Ìеталлоôиз.
новейøие технол., 38, № 3: 329 (2016).
3. R. I. Bihun, Z. V. Stasyuk, and O. A. Balitskii, Physica B: Condensed Matter,
487: 73 (2016).
4. L. Hu, W. L. Wang, S. J. Yang, L. H. Li, D. L. Geng, L. Wang, and B. Wei,
J. Appl. Phys., 121, No. 8: 085901 (2017).
5. J. Chang, H. P. Wang, K. Zhou, and B. Wei, Appl. Phys. A, 109, No. 1: 139
(2012).
6. Н. Т. Ãладких, С. В. Дукаров, В. Н. Сухов, Физика металлов и металловедение,
78, № 3: 87 (1994).
7. С. И. Богатыренко, À. В. Возный, Н. Т. Ãладких, À. П. Крышталь, Физика
металлов и металловедение, 97, № 3: 54 (2004).
8. V. Neimash, V. Poroshin, P. Shepeliavyi, V. Yukhymchuk, V. Melnyk,
A. Kuzmich, V. Makara, and A. O. Goushcha, J. Appl. Phys., 114, No. 21:
213104 (2013).
9. A. P. Kryshtal, A. A. Minenkov, and P. J. Ferreira, Appl. Surf. Sci., 409: 343
(2017).
10. V. Neimash, P. Shepelyavyi, G. Dovbeshko, A. O. Goushcha, M. Isaiev,
V. Melnyk, O. Didukh, and A. Kuzmich, Journal of Nanomaterials, 2016:
7920238 (2016).
11. С. И. Петрушенко, С. В. Дукаров, В. Н. Сухов, Вопросы атомной науки и
техники, 104, № 4: 118 (2016).
12. Н. Т. Ãладких, С. В. Дукаров, À. П. Крышталь, В. И. Ларин, Физика
металлов и металловедение, 85, № 5: 51 (1998).
13. S. V. Dukarov, Thin Solid Films, 323, Nos. 1–2: 136 (1998).
14. N. T. Gladkikh, S. V. Dukarov, V. N. Sukhov, and I. G. Churilov, Functional
Materials, 18, No. 4: 529 (2011).
15. M. M. Kolendovskii, S. I. Bogatyrenko, A. P. Kryshtal, and N. T. Gladkikh,
Technical Physics, 57, No. 6: 849 (2012).
16. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Journal of Nano- and
Electronic Physics, 8, No. 4: 04073 (2016).
1084 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
17. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Vacuum, 122: 208 (2015).
18. P. Y. Khan and K. Biswas, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 15,
No. 1: 309 (2015).
19. M. Peterlechner, A. Moros, H. Rösner, S. Lazar, P. Ericus, and G. Wilde, Acta
Mater., 128: 284 (2017).
20. S. Bhatt and M. Kumar, J. Phys. Chem. Solids, 106: 112 (2017).
21. S. Chaubey, Indian Journal of Engineering and Materials Sciences, 15, No. 3:
241 (2008).
22. M. J. Castro, R. Serna, J. Toudert, J. F. Navarro, and E. Haro-Poniatowski,
Ceramics International, 41, No. 6: 8216 (2015).
23. E. Johnson, H. H. Andersen, and U. Dahmen, Microsc. Res. Tech., 64: 356
(2004).
24. V. Bhattacharya and K. Chattopadhyay, Mater. Sci. Eng. A, 375–377: 932
(2004).
25. P. Y. Khan, M. M. Devi, and K. Biswas, Metall. Mater. Trans. A, 46, No. 8:
3365 (2015).
26. J. H. Lee, D. Y. Kim, and Y. W. Kim, Journal of the European Ceramic Society,
26, No. 7: 1267 (2006).
27. O. Nast and A. J. Hartmann, J. Appl. Phys., 88, No. 2: 716 (2000).
28. V. B. Neimash, A. O. Goushcha, P. E. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk,
V. A. Dan’ko, V. V. Melnyk, and A. G. Kuzmich, Ukr. J. Phys., 59, No. 12: 1168
(2014).
29. C.-F. Han, G.-S. Hu, T.-C. Li, and J. F. Lin, Thin Solid Films, 599: 151 (2016).
30. S. B. Luo, W. L. Wang, J. Chang, Z. C. Xia, and B. Wei, Acta Mater., 69: 355
(2014).
31. À. П. Крышталь, À. À. Ìиненков, С. С. Джус, Журнал нано- и электронной
ôизики, 7, № 1: 01024 (2015).
32. С. И. Петрушенко, С. В. Дукаров, В. Н. Сухов, И. Ã. Чурилов, Журнал нано-
и электронной ôизики, 7, № 2: 02033-1 (2015).
33. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Vacuum, 142: 29 (2017).
34. С. И. Петрушенко, С. В. Дукаров, В. Н. Сухов, Ìеталлоôиз. новейøие
технол., 38, № 10: 1351 (2016).
35. S. V. Dukarov, S. I. Petrushenko, V. N. Sukhov, and O. I. Skryl, Functional
Materials, 23, No. 2: 218 (2016).
36. À. À. Ìиненков, С. И. Богатыренко, À. П. Крышталь, Журнал нано- и
электронной ôизики, 6, № 4: 04026 (2014).
37. A. P. Kryshtal, S. I. Bogatyrenko, R. V. Sukhov, and A. A. Minenkov,
Appl. Phys. A, 116, No. 4: 1891 (2014).
38. V. O. Yukhymchuk, O. M. Hreshchuk, M. Ya. Valakh, M. A. Skoryk,
V. S. Efanov, and N. A. Matveevskaya, Semiconductor Physics, Quantum
Electronics & Optoelectronics, 17, No. 3: 217 (2014).
39. H.-H. Jeong, A. G. Mark, M. Alarcуn-Correa, I. Kim, P. Oswald, T.-C. Lee, and
P. Fischer, Nature Communications, 7: 11331 (2016).
40. J. Chen, H. Che, K. Huang, C. Liu, and W. Shi, Appl. Catalysis B:
Environmental, 192, No. 5: 134 (2016).
41. A. A. Minenkov, S. I. Bogatyrenko, R. V. Sukhov, and A. P. Kryshtal,
Phys. Solid State, 56, No. 4: 823 (2014).
42. S. I. Bogatyrenko, N. T. Gladkikh, A. P. Kryshtal, A. L. Samsonik, and
V. N. Sukhov, Phys. Met. Metallogr., 109, No. 3: 255 (2010).
ПЕРЕОХЛÀЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТÀЛЛИЗÀЦИИ ТОНКИХ СЛОЁВ СПЛÀВÀ 1085
REFERENCES
1. R. I. Bihun, Z. V. Stasyuk, O. V. Stroganov, V. M. Gavrylyukh, and
D. S. Leonov, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 13, No. 3: 459
(2015) (in Ukrainian).
2. R. I. Bigun, V. M. Gavrylyukh, Z. V. Stasyuk, and D. S. Leonov, Metallofiz.
Noveishie Tekhnol., 38, No. 3: 329 (2016) (in Ukrainian).
3. R. I. Bihun, Z. V. Stasyuk, and O. A. Balitskii, Physica B: Condensed Matter,
487: 73 (2016).
4. L. Hu, W. L. Wang, S. J. Yang, L. H. Li, D. L. Geng, L. Wang, and B. Wei,
J. Appl. Phys., 121, No. 8: 085901 (2017).
5. J. Chang, H. P. Wang, K. Zhou, and B. Wei, Appl. Phys. A, 109, No. 1: 139
(2012).
6. N. T. Gladkikh, S. V. Dukarov and V. N. Sukhov, Fiz. Met. Metalloved., 78,
No. 3: 87 (1994) (in Russian).
7. S. I. Bogatyrenko, A. V. Voznyy, N. T. Gladkikh, and A. P. Kryshtal, Fiz. Met.
Metalloved., 97, No. 3: 54 (2004) (in Russian).
8. V. Neimash, V. Poroshin, P. Shepeliavyi, V. Yukhymchuk, V. Melnyk,
A. Kuzmich, V. Makara, and A. O. Goushcha, J. Appl. Phys., 114, No. 21:
213104 (2013).
9. A. P. Kryshtal, A. A. Minenkov, and P. J. Ferreira, Appl. Surf. Sci., 409: 343
(2017).
10. V. Neimash, P. Shepelyavyi, G. Dovbeshko, A. O. Goushcha, M. Isaiev,
V. Melnyk, O. Didukh, and A. Kuzmich, Journal of Nanomaterials, 2016:
7920238 (2016).
11. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Voprosy Atomnoy Nauki i
Tekhniki, 104, No. 4: 118 (2016) (in Russian).
12. N. T. Gladkikh, S. V. Dukarov, A. P. Kryshtal and V. I. Larin, Fiz. Met.
Metalloved., 85, No. 5: 51 (1998) (in Russian).
13. S. V. Dukarov, Thin Solid Films, 323, Nos. 1–2: 136 (1998).
14. N. T. Gladkikh, S. V. Dukarov, V. N. Sukhov, and I. G. Churilov, Functional
Materials, 18, No. 4: 529 (2011).
15. M. M. Kolendovskii, S. I. Bogatyrenko, A. P. Kryshtal, and N. T. Gladkikh,
Technical Physics, 57, No. 6: 849 (2012).
16. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Journal of Nano- and
Electronic Physics, 8, No. 4: 04073 (2016).
17. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Vacuum, 122: 208 (2015).
18. P. Y. Khan and K. Biswas, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 15,
No. 1: 309 (2015).
19. M. Peterlechner, A. Moros, H. Rösner, S. Lazar, P. Ericus, and G. Wilde, Acta
Mater., 128: 284 (2017).
20. S. Bhatt and M. Kumar, J. Phys. Chem. Solids, 106: 112 (2017).
21. S. Chaubey, Indian Journal of Engineering and Materials Sciences, 15, No. 3:
241 (2008).
22. M. J. Castro, R. Serna, J. Toudert, J. F. Navarro, and E. Haro-Poniatowski,
Ceramics International, 41, No. 6: 8216 (2015).
23. E. Johnson, H. H. Andersen, and U. Dahmen, Microsc. Res. Tech., 64: 356
(2004).
24. V. Bhattacharya and K. Chattopadhyay, Mater. Sci. Eng. A, 375–377: 932
https://doi.org/10.15407/mfint.38.03.0329
https://doi.org/10.15407/mfint.38.03.0329
https://doi.org/10.1016/j.physb.2016.02.003
https://doi.org/10.1016/j.physb.2016.02.003
https://doi.org/10.1063/1.4976566
https://doi.org/10.1007/s00339-012-7017-0
https://doi.org/10.1007/s00339-012-7017-0
https://doi.org/10.1063/1.4837661
https://doi.org/10.1063/1.4837661
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.03.037
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.03.037
https://doi.org/10.1155/2016/7920238
https://doi.org/10.1155/2016/7920238
https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)01206-6
https://doi.org/10.1134/S1063784212060175
https://doi.org/10.21272/jnep.8(4(2)).04073
https://doi.org/10.21272/jnep.8(4(2)).04073
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2015.09.030
https://doi.org/10.1166/jnn.2015.9221
https://doi.org/10.1166/jnn.2015.9221
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.01.062
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.01.062
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2017.03.010
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2015.02.063
https://doi.org/10.1002/jemt.20097
https://doi.org/10.1002/jemt.20097
https://doi.org/10.1016/j.msea.2003.10.044
1086 С. В. ДÓКÀРОВ, С. И. ПЕТРÓШЕНКО, В. Н. СÓХОВ и др.
(2004).
25. P. Y. Khan, M. M. Devi, and K. Biswas, Metall. Mater. Trans. A, 46, No. 8:
3365 (2015).
26. J. H. Lee, D. Y. Kim, and Y. W. Kim, Journal of the European Ceramic Society,
26, No. 7: 1267 (2006).
27. O. Nast and A. J. Hartmann, J. Appl. Phys., 88, No. 2: 716 (2000).
28. V. B. Neimash, A. O. Goushcha, P. E. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk,
V. A. Dan’ko, V. V. Melnyk, and A. G. Kuzmich, Ukr. J. Phys., 59, No. 12: 1168
(2014).
29. C.-F. Han, G.-S. Hu, T.-C. Li, and J. F. Lin, Thin Solid Films, 599: 151 (2016).
30. S. B. Luo, W. L. Wang, J. Chang, Z. C. Xia, and B. Wei, Acta Mater., 69: 355
(2014).
31. A. P. Kryshtal, A. A. Minenkov, and S. S. Dzhus, Journal of Nano- and
Electronic Physics, 7, No. 1: 01024 (2015) (in Russian).
32. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, V. N. Sukhov, and I. G. Churilov, Journal of
Nano- and Electronic Physics, 7, No. 2: 02033-1 (2015) (in Russian).
33. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Vacuum, 142: 29 (2017).
34. S. I. Petrushenko, S. V. Dukarov, and V. N. Sukhov, Metallofiz. Noveishie
Tekhnol., 38, No. 10: 1351 (2016) (in Russian).
35. S. V. Dukarov, S. I. Petrushenko, V. N. Sukhov, and O. I. Skryl, Functional
Materials, 23, No. 2: 218 (2016).
36. A. A. Minenkov, S. I. Bogatyrenko, and A. P. Kryshtal, Journal of Nano- and
Electronic Physics, 6, No. 4: 04026 (2014) (in Russian).
37. A. P. Kryshtal, S. I. Bogatyrenko, R. V. Sukhov, and A. A. Minenkov,
Appl. Phys. A, 116, No. 4: 1891 (2014).
38. V. O. Yukhymchuk, O. M. Hreshchuk, M. Ya. Valakh, M. A. Skoryk,
V. S. Efanov, and N. A. Matveevskaya, Semiconductor Physics, Quantum
Electronics & Optoelectronics, 17, No. 3: 217 (2014).
39. H.-H. Jeong, A. G. Mark, M. Alarcуn-Correa, I. Kim, P. Oswald, T.-C. Lee, and
P. Fischer, Nature Communications, 7: 11331 (2016).
40. J. Chen, H. Che, K. Huang, C. Liu, and W. Shi, Appl. Catalysis B:
Environmental, 192, No. 5: 134 (2016).
41. A. A. Minenkov, S. I. Bogatyrenko, R. V. Sukhov, and A. P. Kryshtal,
Phys. Solid State, 56, No. 4: 823 (2014).
42. S. I. Bogatyrenko, N. T. Gladkikh, A. P. Kryshtal, A. L. Samsonik, and
V. N. Sukhov, Phys. Met. Metallogr., 109, No. 3: 255 (2010).
https://doi.org/10.1016/j.msea.2003.10.044
https://doi.org/10.1007/s11661-015-2983-4
https://doi.org/10.1007/s11661-015-2983-4
https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2005.01.050
https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2005.01.050
https://doi.org/10.1063/1.373727
https://doi.org/10.15407/ujpe59.12.1168
https://doi.org/10.15407/ujpe59.12.1168
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.12.053
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2013.12.009
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2013.12.009
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.04.037
https://doi.org/10.15407/mfint.38.10.1351
https://doi.org/10.15407/mfint.38.10.1351
https://doi.org/10.15407/fm23.02.218
https://doi.org/10.15407/fm23.02.218
https://doi.org/10.1007/s00339-014-8349-8
https://doi.org/10.15407/spqeo17.03.217
https://doi.org/10.15407/spqeo17.03.217
https://doi.org/10.1038/ncomms11331
https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2016.03.056
https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2016.03.056
https://doi.org/10.1134/S1063783414040210
https://doi.org/10.1134/S0031918X10030075
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <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>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <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>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <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>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <FEFF004e006100750064006f006b0069007400650020016100690075006f007300200070006100720061006d006500740072007500730020006e006f0072011700640061006d00690020006b0075007200740069002000410064006f00620065002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400750073002c0020006b00750072006900650020006c0061006200690061007500730069006100690020007000720069007400610069006b007900740069002000610075006b01610074006f00730020006b006f006b007900620117007300200070006100720065006e006700740069006e00690061006d00200073007000610075007300640069006e0069006d00750069002e0020002000530075006b0075007200740069002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400610069002000670061006c006900200062016b007400690020006100740069006400610072006f006d00690020004100630072006f006200610074002000690072002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000610072002000760117006c00650073006e0117006d00690073002000760065007200730069006a006f006d00690073002e>
/LVI <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>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/POL <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>
/PTB <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>
/RUM <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>
/RUS <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>
/SKY <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>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/TUR <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>
/UKR <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130397 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:00:53Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дукаров, С.В. Петрушенко, С.И. Сухов, В.Н. Бигун, Р.И. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. 2018-02-12T15:14:59Z 2018-02-12T15:14:59Z 2017 Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью / С.В. Дукаров, С.И. Петрушенко, В.Н. Сухов, Р.И. Бигун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 8. — С. 1069-1086. — Бібліогр.: 42 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 64.70.D-, 64.70.kd, 68.35.Dv, 68.37.-d, 68.55.J-, 73.61.At, 81.15.Ef, 81.40.Ef DOI: doi.org/10.15407/mfint.39.08.1069 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130397 В работе представлены результаты изучения влияния условий получения образцов на величину переохлаждения легкоплавкого сплава в многослойных плёнках Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Путём прямых insituinsitu электронографических исследований установлено, что отжиг плёнок Cu/Bi, выполняемый перед осаждением слоя олова, увеличивает величину переохлаждения от 65 К в неотожжённых плёнках до 140 К в образцах, отожжённых при 300°С в течение 5 минут. Это связано с последующим диспергированием отожжённых плёнок, происходящим в первом цикле нагрева плёнок Cu/(Bi + 7% масс. Sn). Так, легкоплавкий сплав в неотожжённых образцах присутствует в виде частиц размером более 50 мкм. Кристаллизация таких частиц будет происходить на сторонних центрах. Однако в диспергированных плёнках условия метода микрообъёмов оказываются выполненными, и имеется возможность регистрировать переохлаждения, характерные для контактной пары Cu/(Bi + 7% масс. Sn). У роботі представлено результати вивчення впливу умов одержання зразків на величину переохолодження легкотопкого стопу в багатошарових плівках Cu/(Bi + 7% мас. Sn). Шляхом прямих іnsіtuіnsіtu електронографічних досліджень встановлено, що відпал плівок Cu/Bі, виконаний перед осадженням шару цини, збільшує величину переохолодження від 65 К в невідпалених плівках до 140 К у зразках, відпалених при 300°С впродовж 5 хвилин. Це пов’язано з наступним дисперґуванням відпалених плівок, що відбувається в першому циклі нагрівання плівок Cu/(Bi + 7% мас. Sn). Так, легкотопкий стоп у невідпалених зразках присутній у вигляді частинок розміром більше 50 мкм. Кристалізація таких частинок буде відбуватися на сторонніх центрах. Однак у дисперґованих плівках умови методи мікрооб’ємів виявляються виконаними, і є можливість реєструвати переохолодження, характерні для контактної пари Cu/(Bi + 7% мас. Sn). The results of studies of supercooling of the Bi + 7% wt. Sn alloy in multi-layer Cu/Bi/Sn films are presented. The crystallization temperature is determined by direct insituinsitu electron diffraction methods during heating and cooling of the samples. Effects of the distinctions in conditions of samples’ fabrication on both the temperature of supercooling of a low-melting alloy and the pattern of its crystallization are revealed. Annealing of Cu/Bi films at 300°C for 5 minutes, performed before the deposition of the tin layer, increases the supercooling value from 65 K to 140 K. Additionally, because of intermediate annealing, crystallization becomes diffusive instead of avalanche-like one, and crystallization period stretches to a 20 K interval. This is due to the dispersion of the pre-annealed samples that occurs in the first heating cycle of Cu/(Bi + 7% wt. Sn) films. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Металлические поверхности и плёнки Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью Переохолодження при кристалізації тонких шарів стопу Bi + 7% мас. Sn, які знаходяться в контакті з кристалічною міддю Supercooling During a Crystallization of Thin Layers of the Bi + 7% wt. Sn Alloy Being Contact to Crystalline Copper Article published earlier |
| spellingShingle | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью Дукаров, С.В. Петрушенко, С.И. Сухов, В.Н. Бигун, Р.И. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. Металлические поверхности и плёнки |
| title | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| title_alt | Переохолодження при кристалізації тонких шарів стопу Bi + 7% мас. Sn, які знаходяться в контакті з кристалічною міддю Supercooling During a Crystallization of Thin Layers of the Bi + 7% wt. Sn Alloy Being Contact to Crystalline Copper |
| title_full | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| title_fullStr | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| title_full_unstemmed | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| title_short | Переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава Bi + 7% масс. Sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| title_sort | переохлаждение при кристаллизации тонких слоёв сплава bi + 7% масс. sn, находящихся в контакте с кристаллической медью |
| topic | Металлические поверхности и плёнки |
| topic_facet | Металлические поверхности и плёнки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130397 |
| work_keys_str_mv | AT dukarovsv pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT petrušenkosi pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT suhovvn pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT bigunri pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT stasûkzv pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT leonovds pereohlaždenieprikristallizaciitonkihsloevsplavabi7masssnnahodâŝihsâvkontakteskristalličeskoimedʹû AT dukarovsv pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT petrušenkosi pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT suhovvn pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT bigunri pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT stasûkzv pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT leonovds pereoholodžennâprikristalízacíítonkihšarívstopubi7massnâkíznahodâtʹsâvkontaktízkristalíčnoûmíddû AT dukarovsv supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper AT petrušenkosi supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper AT suhovvn supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper AT bigunri supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper AT stasûkzv supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper AT leonovds supercoolingduringacrystallizationofthinlayersofthebi7wtsnalloybeingcontacttocrystallinecopper |