Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Semen’ko, M.P., Bilyavina, N.M., Nakonechna, O.I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130438 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Физико-химические свойства сплавов двойных систем Y—B (Al, Ga, In)
von: Кудин, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудин, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Physico-chemical properties of the alloys of binary Y—B (Al, Ga, In) systems
von: V. G. Kudin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. G. Kudin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Radiation resistance of composite scintillators containing grains of Y₂SiO₅:Ce or Y₃Al₅O₁₂:Ce obtained by solid-phase synthesis
von: Boyarintsev, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Boyarintsev, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ізотермічне окиснення сполук та фаз системи Y—Cu—Ga
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Кристалічна структура багатих на мідь фаз системи Y—Cu—Ga
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
von: N. M. Biliavyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: N. M. Biliavyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
von: Fodchuk, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Fodchuk, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Heat-resistance of spark coatings Ni – Cr – Al – Y alloys system
von: O. V. Paustovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. V. Paustovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
Получение прозрачной наноструктурированной керамики Y₃Al₅O₁₂
von: Вовк, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Вовк, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Effect of Y on structure and properties of cast intermetallic Ti-36Al. 1. Structure and hardness of cast Ti-36Al-Y alloy
von: I. D. Horna, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: I. D. Horna, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Ähnliche Einträge
-
Физико-химические свойства сплавов двойных систем Y—B (Al, Ga, In)
von: Кудин, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Physico-chemical properties of the alloys of binary Y—B (Al, Ga, In) systems
von: V. G. Kudin, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x
von: Білявина, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Radiation resistance of composite scintillators containing grains of Y₂SiO₅:Ce or Y₃Al₅O₁₂:Ce obtained by solid-phase synthesis
von: Boyarintsev, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)