Зображення обкладинки

Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type

Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Металлофизика и новейшие технологии
Дата:	2017
Автори:	Semen’ko, M.P., Bilyavina, N.M., Nakonechna, O.I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Теми:	Электронные структура и свойства
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130438
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Физико-химические свойства сплавов двойных систем Y—B (Al, Ga, In)
за авторством: Кудин, В.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

Physico-chemical properties of the alloys of binary Y—B (Al, Ga, In) systems
за авторством: V. G. Kudin, та інші
Опубліковано: (2012)

Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x
за авторством: Білявина, Н.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Radiation resistance of composite scintillators containing grains of Y₂SiO₅:Ce or Y₃Al₅O₁₂:Ce obtained by solid-phase synthesis
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Ізотермічне окиснення сполук та фаз системи Y—Cu—Ga
за авторством: Білявина, Н.М., та інші
Опубліковано: (2009)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Кристалічна структура багатих на мідь фаз системи Y—Cu—Ga
за авторством: Білявина, Н.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Heat-resistance of spark coatings Ni – Cr – Al – Y alloys system
за авторством: O. V. Paustovskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)

Получение прозрачной наноструктурированной керамики Y₃Al₅O₁₂
за авторством: Вовк, Е.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of Y on structure and properties of cast intermetallic Ti-36Al. 1. Structure and hardness of cast Ti-36Al-Y alloy
за авторством: I. D. Horna, та інші
Опубліковано: (2010)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)