Анализ условий синтеза сверхтвердых пленок диборида тантала в магнетронных распылительных системах - Гончаров, А.А.; Юнда, А.Н.; Зыков, А.В.; Фареник, В.И.; Шелест, И.В.; Буранич, В.В. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2017)
В данной работе проведены исследования параметров синтеза тонких пленок диборида тантала, полученных в системах ВЧ- и ПТ-магнетронного распыления. Сделан сравнительный анализ энергетических условий синтеза этих пленок. Показано, что в зависимости от метода, используемого для получения пленки (ВЧ или ПТ), существенно меняется количество и энергия ионов и нейтральных частиц, которые принимают участие в осаждении и формировании пленки на поверхности подложки, что приводит к формированию покрытий в различных структурных состояниях от аморфноподобного до нанокристаллического с текстурой роста перпендикулярной плоскости (00.1). У даній роботі проведено дослідження параметрів синтезу тонких плівок дибориду танталу, отриманих в системах ВЧ і ПТ-магнетронного розпилення. Зроблено порівняльний аналіз енергетичних умов синтезу цих плівок. Показано, що в залежності від методу, використовуваного для отримання плівки (ВЧ або ПТ), істотно змінюється кількість і енергія іонів та нейтральних частинок, які беруть участь в осадженні і формуванні плівки на поверхні підкладки, що призводить до формування покриттів в різних структурних станах від аморфноподібного до нанокристалічного з текстурою зростання перпендикулярною площині (00.1). Study of the synthesis parameters of tantalum diboride thin films obtained in RF and DC magnetron sputtering systems was carried out in this paper. A comparative analysis of the synthesis energy conditions of these films was performed. It was shown that the amount, energy of the ions and neutral particles, participating in the deposition and formation of film on the surface of substrate, changes significantly depending on the method (RF or DC) used for film obtaining, which leads to the formation of coatings in different structural states from an amorphous to nanocrystalline with growth texture perpendicular to the plane (00.1).