Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс

Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс

Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму змін...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Доповіді НАН України
Дата:2018
Автори: Потоцька, В.В., Гічан, О.І., Скриптун, І.М., Омельчук, А.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2018
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/132407
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-132407
record_format dspace
spelling Потоцька, В.В.
Гічан, О.І.
Скриптун, І.М.
Омельчук, А.О.
2018-04-19T14:22:54Z
2018-04-19T14:22:54Z
2018
Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1025-6415
DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2018.01.034
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/132407
530.1;544.6.018.2; 544.636/.638
Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок.
Показано, что с увеличением толщины диффузионного слоя Нернста импеданс приэлектродного слоя возрастает. Приведена количественная оценка фазового угла диффузионного импеданса в зависимости от частоты при разных значениях толщины диффузионного слоя. Установлено, что диффузия обусловливает запаздывание по фазе относительно тока изменения поверхностной концентрации электроактивных частиц.
It is shown that the impedance of a near-electrode layer increases with the thickness of the Nernst diffusion layer. A qualitative estimation of the phase angle of the diffusion impedance depending on the frequency at different diffusion layer thicknesses is obtained. It is shown that the diffusion is a reason for a delay in the phase of changes in the surface concentration of species with respect to the current.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Фізика
Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
Влияние толщины приэлектродного слоя на диффузионный импеданс
Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
spellingShingle Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
Потоцька, В.В.
Гічан, О.І.
Скриптун, І.М.
Омельчук, А.О.
Фізика
title_short Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
title_full Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
title_fullStr Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
title_full_unstemmed Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
title_sort вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
author Потоцька, В.В.
Гічан, О.І.
Скриптун, І.М.
Омельчук, А.О.
author_facet Потоцька, В.В.
Гічан, О.І.
Скриптун, І.М.
Омельчук, А.О.
topic Фізика
topic_facet Фізика
publishDate 2018
language Ukrainian
container_title Доповіді НАН України
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
title_alt Влияние толщины приэлектродного слоя на диффузионный импеданс
Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance
description Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок. Показано, что с увеличением толщины диффузионного слоя Нернста импеданс приэлектродного слоя возрастает. Приведена количественная оценка фазового угла диффузионного импеданса в зависимости от частоты при разных значениях толщины диффузионного слоя. Установлено, что диффузия обусловливает запаздывание по фазе относительно тока изменения поверхностной концентрации электроактивных частиц. It is shown that the impedance of a near-electrode layer increases with the thickness of the Nernst diffusion layer. A qualitative estimation of the phase angle of the diffusion impedance depending on the frequency at different diffusion layer thicknesses is obtained. It is shown that the diffusion is a reason for a delay in the phase of changes in the surface concentration of species with respect to the current.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/132407
citation_txt Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT potocʹkavv vplivtovŝiniprielektrodnogošarunadifuzíiniiímpedans
AT gíčanoí vplivtovŝiniprielektrodnogošarunadifuzíiniiímpedans
AT skriptuním vplivtovŝiniprielektrodnogošarunadifuzíiniiímpedans
AT omelʹčukao vplivtovŝiniprielektrodnogošarunadifuzíiniiímpedans
AT potocʹkavv vliânietolŝinypriélektrodnogosloânadiffuzionnyiimpedans
AT gíčanoí vliânietolŝinypriélektrodnogosloânadiffuzionnyiimpedans
AT skriptuním vliânietolŝinypriélektrodnogosloânadiffuzionnyiimpedans
AT omelʹčukao vliânietolŝinypriélektrodnogosloânadiffuzionnyiimpedans
AT potocʹkavv influenceofanearelectrodelayerthicknessonthediffusionimpedance
AT gíčanoí influenceofanearelectrodelayerthicknessonthediffusionimpedance
AT skriptuním influenceofanearelectrodelayerthicknessonthediffusionimpedance
AT omelʹčukao influenceofanearelectrodelayerthicknessonthediffusionimpedance
first_indexed 2025-12-07T13:29:38Z
last_indexed 2025-12-07T13:29:38Z
_version_ 1850856364733104129

Схожі ресурси