Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс - Потоцька, В.В.; Гічан, О.І.; Скриптун, І.М.; Омельчук, А.О. (Доповіді НАН України, 2018)
Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок. Показано, что с увеличением толщины диффузионного слоя Нернста импеданс приэлектродного слоя возрастает. Приведена количественная оценка фазового угла диффузионного импеданса в зависимости от частоты при разных значениях толщины диффузионного слоя. Установлено, что диффузия обусловливает запаздывание по фазе относительно тока изменения поверхностной концентрации электроактивных частиц. It is shown that the impedance of a near-electrode layer increases with the thickness of the Nernst diffusion layer. A qualitative estimation of the phase angle of the diffusion impedance depending on the frequency at different diffusion layer thicknesses is obtained. It is shown that the diffusion is a reason for a delay in the phase of changes in the surface concentration of species with respect to the current.