Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс
Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму змін...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | Потоцька, В.В., Гічан, О.І., Скриптун, І.М., Омельчук, А.О. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/132407 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Закономірності сумісного розряду іонів. Теорія електрохімічного синтезу
за авторством: Потоцька, В.В., та інші
Опубліковано: (2021) -
Динамічні нестійкості на зарядженій границі: вплив масопереносу
за авторством: Гічан, О.І.
Опубліковано: (2016) -
Особливості виникнення нестійкості Хопфа на зарядженій границі плоскої, циліндричної та сферичної форми
за авторством: Гічан, О.І.
Опубліковано: (2013) -
Вплив товщини оксидного шару на опір кераміко-алюмінійового покриття індентуванню
за авторством: Роп’як, Л.Я., та інші
Опубліковано: (2017) -
Вплив матеріалу й товщини розділового шару на формування структури конденсатів Сu-Mo
за авторством: Гречанюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)