Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Потоцька, В.В., Гічан, О.І., Скриптун, І.М., Омельчук, А.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2018
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/132407
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс / В.В. Потоцька, О.І. Гічан, І.М. Скриптун, А.О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 1. — С. 34-42. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Дано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти при різних значеннях товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму змін...