Зміна наноструктури та мікропластичних характеристик кристалів кремнію під впливом сильних магнетних полів - Стебленко, Л.П.; Трачевський, В.В.; Мельник, А.К.; Курилюк, А.М.; Кріт, О.М.; Науменко, С.М.; Кобзар, Ю.Л.; Юргелевич, І.В.; Розуван, С.Г.; Теселько, П.О. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)
В роботі вивчається вплив сильних магнетних полів (В = 9,4 Тл) на наноструктуру та мікропластичність кристалів кремнію. Встановлені магнетостимульовані ефекти вказують на наявність залежности між еволюцією наноструктури та типом леґувальних домішок (Фосфор, Бор). При цьому виявлено, що сильні магнетні поля здійснюють діяметрально протилежний вплив на зміну наноструктури в кристалах Si n- та р-типу провідности. Виявлено, що сильні магнетні поля викликають довготривалі процеси структурної релаксації, які позначаються на характері зміни мікропластичних характеристик. Встановлено, що в кристалах Si з різним типом провідности залежність між рухливістю дислокацій і домішкою, яка визначає природу мікропластичности в кремнії (Оксиґен), носить ідентичний характер. В работе изучается влияние сильных магнитных полей (В = 9,4 Тл) на наноструктуру и микропластичность кристаллов кремния. Обнаруженные магнитостимулированные эффекты указывают на существование зависимости между эволюцией наноструктуры и типом легирующих примесей (фосфор, бор) и зависимости между подвижностью дислокаций и примесью, которая определяет природу микропластичности в кремнии (кислород). In this paper, the influences of strong magnetic fields (B = 9.4 Tl) on the nanostructure and the microplasticity of silicon crystal are studied. Revealed magnetostimulated effects show dependence between the evolution of nanostructure and the type of dopant impurities (phosphorus, boron). As found, the strong magnetic fields lead to different changes in nanostructure of Si crystal of the n- and p-type conductivity. As shown, the strong magnetic fields cause long-term structural relaxation processes, which effect on the changes of microplastic characteristics. As established, the dependence between the mobility of dislocations and the impurity, which determines the origin of microplasticity in silicon (namely, oxygen), is identical in Si crystals with different types of conductivity.