Создание основ интегральной динамической дифрактометрии микро- и нанонеоднородностей структуры кристаллов с дефектами и нарушенным поверхностным слоем
Разработан и реализован практически на основе использования обнаруженных эффектов асимметрии азимутальной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции подход для неразрушающей диагностики профиля неоднородного распределения микродефектов в монокристаллах. В частности, впервые...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133185 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Создание основ интегральной динамической дифрактометрии микро- и нанонеоднородностей структуры кристаллов с дефектами и нарушенным поверхностным слоем / В.Б. Молодкин, А.И. Низкова, Е.И. Богданов, С.В. Дмитриев, В.В. Лизунов, Е.С. Скакунова, Н.Г. Толмачев, Я.В. Василик, А.Г. Карпов, О.Г. Войток, В.П. Почекуев // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 261-275. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Разработан и реализован практически на основе использования обнаруженных эффектов асимметрии азимутальной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции подход для неразрушающей диагностики профиля неоднородного распределения микродефектов в монокристаллах. В частности, впервые получен профиль распределения микродефектов (преципитатов и дислокационных петель без ограничений на их размеры) по глубине динамически рассеивающего слоя монокристалла, а также показана принципиальная возможность и фактически определена кинетика изменения его сложной структуры после обработки высокоэнергетическими электронами. |
|---|