Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃

Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню привод...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2017
Hauptverfasser: Бордун, О.М., Бордун, Б.О., Кухарський, І.Й., Медвідь, І.І., Цаповська, Ж.Я., Леонов, Д.С.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133188
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133188
record_format dspace
spelling Бордун, О.М.
Бордун, Б.О.
Кухарський, І.Й.
Медвідь, І.І.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
2018-05-21T14:17:10Z
2018-05-21T14:17:10Z
2017
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.
1816-5230
PACS: 61.05.cp, 61.72.J-, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 72.20.-i, 81.15.Cd
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133188
Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 10¹¹ Ом∙см для свіжонанесених плівок до 10⁶ Ом∙см.
Исследованы структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок β-Ga₂O₃, полученных методом высокочастотного ионноплазменного распыления. Установлено, что свеженанесённые плёнки формируются из кристаллитов, средний диаметр которых составляет 30 нм. Отжиг в атмосфере кислорода, аргона и водорода приводит к увеличению среднего диаметра кристаллитов до 47, 42 и 35 нм соответственно. Исследована проводимость полученных плёнок в зависимости от атмосферы термообработки. Показано, что после отжига в восстановительной атмосфере водорода происходит значительное уменьшение удельного сопротивления плёнок от 10¹¹ Ом∙см для свеженанесённых плёнок до 10⁶ Ом∙см.
The structure, phase composition, and surface morphology of the thin -Ga₂O₃ films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering are investigated. As revealed, the freshly deposited films are formed from crystallites with average diameter of 30 nm. As established, annealing in atmosphere of oxygen, argon, and hydrogen leads to increase in the average diameter of crystallites to 47, 42 and 35 nm, respectively. Conductivity, photoconductivity, and luminescence properties of the thin β-Ga₂O₃ films deposited by highfrequency ion-plasma sputtering are investigated depending on conditions and atmosphere of heat treatment. As found, after annealing in a reducing atmosphere of hydrogen, there is a significant decrease in the resistivity of films from 10¹¹ Ohm∙cm for the freshly prepared films to 10⁶ Ohm∙cm.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
Structure and Electrical Conductivity of the Thin β-Ga₂O₃ Films»
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
spellingShingle Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
Бордун, О.М.
Бордун, Б.О.
Кухарський, І.Й.
Медвідь, І.І.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
title_short Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
title_full Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
title_fullStr Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
title_full_unstemmed Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
title_sort структура та електропровідність тонких плівок β-ga₂o₃
author Бордун, О.М.
Бордун, Б.О.
Кухарський, І.Й.
Медвідь, І.І.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
author_facet Бордун, О.М.
Бордун, Б.О.
Кухарський, І.Й.
Медвідь, І.І.
Цаповська, Ж.Я.
Леонов, Д.С.
publishDate 2017
language Ukrainian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Structure and Electrical Conductivity of the Thin β-Ga₂O₃ Films»
description Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 10¹¹ Ом∙см для свіжонанесених плівок до 10⁶ Ом∙см. Исследованы структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок β-Ga₂O₃, полученных методом высокочастотного ионноплазменного распыления. Установлено, что свеженанесённые плёнки формируются из кристаллитов, средний диаметр которых составляет 30 нм. Отжиг в атмосфере кислорода, аргона и водорода приводит к увеличению среднего диаметра кристаллитов до 47, 42 и 35 нм соответственно. Исследована проводимость полученных плёнок в зависимости от атмосферы термообработки. Показано, что после отжига в восстановительной атмосфере водорода происходит значительное уменьшение удельного сопротивления плёнок от 10¹¹ Ом∙см для свеженанесённых плёнок до 10⁶ Ом∙см. The structure, phase composition, and surface morphology of the thin -Ga₂O₃ films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering are investigated. As revealed, the freshly deposited films are formed from crystallites with average diameter of 30 nm. As established, annealing in atmosphere of oxygen, argon, and hydrogen leads to increase in the average diameter of crystallites to 47, 42 and 35 nm, respectively. Conductivity, photoconductivity, and luminescence properties of the thin β-Ga₂O₃ films deposited by highfrequency ion-plasma sputtering are investigated depending on conditions and atmosphere of heat treatment. As found, after annealing in a reducing atmosphere of hydrogen, there is a significant decrease in the resistivity of films from 10¹¹ Ohm∙cm for the freshly prepared films to 10⁶ Ohm∙cm.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133188
citation_txt Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT bordunom strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT bordunbo strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT kuharsʹkiiíi strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT medvídʹíí strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT capovsʹkažâ strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT leonovds strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokβga2o3
AT bordunom structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
AT bordunbo structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
AT kuharsʹkiiíi structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
AT medvídʹíí structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
AT capovsʹkažâ structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
AT leonovds structureandelectricalconductivityofthethinβga2o3films
first_indexed 2025-12-07T21:04:13Z
last_indexed 2025-12-07T21:04:13Z
_version_ 1850884964455809024

Ähnliche Einträge