СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии

Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2018
Main Authors: Сидоренко, В.П., Радкевич, А.И., Прокофьев, Ю.В., Таякин, Ю.В., Вирозуб, Т.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133229
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133229
record_format dspace
spelling Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
2018-05-21T17:20:53Z
2018-05-21T17:20:53Z
2018
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2018.1.13
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133229
621.3.049.77: 681.325
Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16.
Розроблено спеціалізовану надвелику інтегральну схему (НВІС) для приладів МКЧД нового покоління — багатокристальних детекторів з розширеним полем аналізу і більш високими технічними характеристиками, які можуть використовуватися в приладах елементного аналізу речовини, забезпечуючи одночасний аналіз елементного складу з високою чутливістю і точністю.
VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії
VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
spellingShingle СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_full СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_fullStr СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_full_unstemmed СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_sort сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
author Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
author_facet Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2018
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії
VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry
description Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16. Розроблено спеціалізовану надвелику інтегральну схему (НВІС) для приладів МКЧД нового покоління — багатокристальних детекторів з розширеним полем аналізу і більш високими технічними характеристиками, які можуть використовуватися в приладах елементного аналізу речовини, забезпечуючи одночасний аналіз елементного складу з високою чутливістю і точністю. VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133229
fulltext
citation_txt СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sidorenkovp sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT radkevičai sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT prokofʹevûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT taâkinûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT virozubtm sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT sidorenkovp nvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí
AT radkevičai nvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí
AT prokofʹevûv nvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí
AT taâkinûv nvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí
AT virozubtm nvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí
AT sidorenkovp vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry
AT radkevičai vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry
AT prokofʹevûv vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry
AT taâkinûv vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry
AT virozubtm vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry
first_indexed 2025-11-24T11:44:30Z
last_indexed 2025-11-24T11:44:30Z
_version_ 1850846087664893952

Similar Items