Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862612686181761024 |
|---|---|
| author | Сидоренко, В.П. Жора, В.Д. Радкевич, А.И. Грунянская, В.П. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. |
| author_facet | Сидоренко, В.П. Жора, В.Д. Радкевич, А.И. Грунянская, В.П. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. |
| citation_txt | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую надежность изделий за счет применения многослойных керамических оснований и ультразвуковой сварки, используемых при изготовлении микроэлектронной аппаратуры специального назначения, в том числе стойкой к воздействию специальных внешних воздействующих факторов. Показаны преимущества выбранной технологии в сравнении с другими методами сборки.
Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії. Основою приладу є кристал спеціалізованої надвеликої інтегральної схеми (НВІС), що виготовляється по КМОН-технології і містить зарядочутливу матрицю, призначену для детектування іонів ізотопів елементів у широкому спектрі мас досліджуваної речовини. Діапазон концентрацій, вимірюваних приладом, також є широким і складає від 10⁻⁷ до 100%. Кристал НВІС розміщується на багатошаровій керамічній основі. Прилад містить також мікроканальну пластину (МКП) фірми Hamamatsu (Японія), електроди для підводу до МКП високої напруги (2,0 кВ), немагнітний металевий екран для захисту елементів конструкції приладу, роз'єм та інші конструктивні елементи.
The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10⁻⁷ to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements.
|
| first_indexed | 2025-11-29T05:11:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133230 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T05:11:48Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сидоренко, В.П. Жора, В.Д. Радкевич, А.И. Грунянская, В.П. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. 2018-05-21T17:23:38Z 2018-05-21T17:23:38Z 2018 Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.1.21 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230 539.1.074 Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую надежность изделий за счет применения многослойных керамических оснований и ультразвуковой сварки, используемых при изготовлении микроэлектронной аппаратуры специального назначения, в том числе стойкой к воздействию специальных внешних воздействующих факторов. Показаны преимущества выбранной технологии в сравнении с другими методами сборки. Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії. Основою приладу є кристал спеціалізованої надвеликої інтегральної схеми (НВІС), що виготовляється по КМОН-технології і містить зарядочутливу матрицю, призначену для детектування іонів ізотопів елементів у широкому спектрі мас досліджуваної речовини. Діапазон концентрацій, вимірюваних приладом, також є широким і складає від 10⁻⁷ до 100%. Кристал НВІС розміщується на багатошаровій керамічній основі. Прилад містить також мікроканальну пластину (МКП) фірми Hamamatsu (Японія), електроди для підводу до МКП високої напруги (2,0 кВ), немагнітний металевий екран для захисту елементів конструкції приладу, роз'єм та інші конструктивні елементи. The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10⁻⁷ to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов Сидоренко, В.П. Жора, В.Д. Радкевич, А.И. Грунянская, В.П. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. Технологические процессы и оборудование |
| title | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| title_alt | Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors |
| title_full | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| title_fullStr | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| title_full_unstemmed | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| title_short | Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| title_sort | особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230 |
| work_keys_str_mv | AT sidorenkovp osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT žoravd osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT radkevičai osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT grunânskaâvp osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT prokofʹevûv osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT taâkinûv osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT virozubtm osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov AT sidorenkovp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT žoravd osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT radkevičai osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT grunânskaâvp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT prokofʹevûv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT taâkinûv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT virozubtm osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT sidorenkovp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT žoravd assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT radkevičai assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT grunânskaâvp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT prokofʹevûv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT taâkinûv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT virozubtm assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors |