Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов

Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2018
Main Authors: Сидоренко, В.П., Жора, В.Д., Радкевич, А.И., Грунянская, В.П., Прокофьев, Ю.В., Таякин, Ю.В., Вирозуб, Т.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133230
record_format dspace
spelling Сидоренко, В.П.
Жора, В.Д.
Радкевич, А.И.
Грунянская, В.П.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
2018-05-21T17:23:38Z
2018-05-21T17:23:38Z
2018
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2018.1.21
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230
539.1.074
Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую надежность изделий за счет применения многослойных керамических оснований и ультразвуковой сварки, используемых при изготовлении микроэлектронной аппаратуры специального назначения, в том числе стойкой к воздействию специальных внешних воздействующих факторов. Показаны преимущества выбранной технологии в сравнении с другими методами сборки.
Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії. Основою приладу є кристал спеціалізованої надвеликої інтегральної схеми (НВІС), що виготовляється по КМОН-технології і містить зарядочутливу матрицю, призначену для детектування іонів ізотопів елементів у широкому спектрі мас досліджуваної речовини. Діапазон концентрацій, вимірюваних приладом, також є широким і складає від 10⁻⁷ до 100%. Кристал НВІС розміщується на багатошаровій керамічній основі. Прилад містить також мікроканальну пластину (МКП) фірми Hamamatsu (Японія), електроди для підводу до МКП високої напруги (2,0 кВ), немагнітний металевий екран для захисту елементів конструкції приладу, роз'єм та інші конструктивні елементи.
The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10⁻⁷ to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
spellingShingle Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
Сидоренко, В.П.
Жора, В.Д.
Радкевич, А.И.
Грунянская, В.П.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
Технологические процессы и оборудование
title_short Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
title_full Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
title_fullStr Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
title_full_unstemmed Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
title_sort особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
author Сидоренко, В.П.
Жора, В.Д.
Радкевич, А.И.
Грунянская, В.П.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
author_facet Сидоренко, В.П.
Жора, В.Д.
Радкевич, А.И.
Грунянская, В.П.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2018
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors
description Рассмотрены особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов заряженных частиц для спектроскопии с использованием гибких носителей типа «алюминий — полиимид». Данная конструкция, основой которой является специализированная СБИС, обеспечивает высокую надежность изделий за счет применения многослойных керамических оснований и ультразвуковой сварки, используемых при изготовлении микроэлектронной аппаратуры специального назначения, в том числе стойкой к воздействию специальных внешних воздействующих факторов. Показаны преимущества выбранной технологии в сравнении с другими методами сборки. Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії. Основою приладу є кристал спеціалізованої надвеликої інтегральної схеми (НВІС), що виготовляється по КМОН-технології і містить зарядочутливу матрицю, призначену для детектування іонів ізотопів елементів у широкому спектрі мас досліджуваної речовини. Діапазон концентрацій, вимірюваних приладом, також є широким і складає від 10⁻⁷ до 100%. Кристал НВІС розміщується на багатошаровій керамічній основі. Прилад містить також мікроканальну пластину (МКП) фірми Hamamatsu (Японія), електроди для підводу до МКП високої напруги (2,0 кВ), немагнітний металевий екран для захисту елементів конструкції приладу, роз'єм та інші конструктивні елементи. The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10⁻⁷ to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133230
citation_txt Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов / В.П. Сидоренко, В.Д. Жора, А.И. Радкевич, В.П. Грунянская, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sidorenkovp osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT žoravd osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT radkevičai osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT grunânskaâvp osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT prokofʹevûv osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT taâkinûv osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT virozubtm osobennostikonstrukciiitehnologiisborkimikroélektronnyhkoordinatnočuvstvitelʹnyhdetektorov
AT sidorenkovp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT žoravd osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT radkevičai osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT grunânskaâvp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT prokofʹevûv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT taâkinûv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT virozubtm osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT sidorenkovp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT žoravd assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT radkevičai assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT grunânskaâvp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT prokofʹevûv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT taâkinûv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT virozubtm assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
first_indexed 2025-11-29T05:11:48Z
last_indexed 2025-11-29T05:11:48Z
_version_ 1850854543018950656