Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x

Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2018
Hauptverfasser: Трубаева, O.Г., Чайка, M.A., Зеленская, O.В., Лалаянц, А.И., Галкин, С.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133232
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133232
record_format dspace
spelling Трубаева, O.Г.
Чайка, M.A.
Зеленская, O.В.
Лалаянц, А.И.
Галкин, С.Н.
2018-05-21T17:28:18Z
2018-05-21T17:28:18Z
2018
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2017.1.36
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133232
535-34; 535-36
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов (х = 0,07—0,39) и установлено, что интенсивность спектров рентгенолюминесценции максимальна при х = 0,22. Также показано, что по сравнению с коммерческими кристаллами ZnSe(Te) и ZnSe(Al) смешанные кристаллы ZnSxSe1–x обладают более высоким световыходом и лучшей термической стабильностью.
В даній роботі було досліджено вплив вмісту сірки на основні властивості об'ємних кристалів ZnSxSe1–x і проведено порівняння їх властивостей з властивостями кристалів ZnSe, ZnSe (Al), ZnSe (Te). Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм під тиском інертного газу (Ar, P = 10⁷—10⁹ Па) при температурі 1870—2000 К залежно від складу вихідної шихти. Отримано об'ємні кристали ZnSxSe1–x з різним вмістом компонентів: при х = 0,05; 0,10; 0,15; 0,20; 0,25; 0,30. Встановлено, що сцинтиляційні властивості досліджених кристалів залежать від вмісту сірки, а кращі параметри були отримані при х = 0,22, тобто для зразків ZnS0,22Se0,78. Було показано, що максимум смуги рентгенолюмінесценції знаходиться в області 584—591 нм, що відповідає максимальній чутливості кремнієвих фотодіодів. Виявлено, що інтенсивність рентгенолюмінесценції кристалів зростає зі збільшенням вмісту сірки і досягає максимуму для складу ZnS0,22Se0,78.
ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can change their luminescent properties. Many studies were focused on obtaining ZnSxSe1–x mixed crystals, most using a vapour phase growth methods, and only some of works used the directional solidification. The directional solidification techniques allow growing large ZnSxSe1–x crystals for high-energy particles detectors. Practical use, however, requires the knowledge about luminescent properties of ZnSxSe1–x bulk crystals.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1–x
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
spellingShingle Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
Трубаева, O.Г.
Чайка, M.A.
Зеленская, O.В.
Лалаянц, А.И.
Галкин, С.Н.
Материалы электроники
title_short Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
title_full Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
title_fullStr Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
title_full_unstemmed Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
title_sort влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов znsxse1–x
author Трубаева, O.Г.
Чайка, M.A.
Зеленская, O.В.
Лалаянц, А.И.
Галкин, С.Н.
author_facet Трубаева, O.Г.
Чайка, M.A.
Зеленская, O.В.
Лалаянц, А.И.
Галкин, С.Н.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2018
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1–x
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
description Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов (х = 0,07—0,39) и установлено, что интенсивность спектров рентгенолюминесценции максимальна при х = 0,22. Также показано, что по сравнению с коммерческими кристаллами ZnSe(Te) и ZnSe(Al) смешанные кристаллы ZnSxSe1–x обладают более высоким световыходом и лучшей термической стабильностью. В даній роботі було досліджено вплив вмісту сірки на основні властивості об'ємних кристалів ZnSxSe1–x і проведено порівняння їх властивостей з властивостями кристалів ZnSe, ZnSe (Al), ZnSe (Te). Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм під тиском інертного газу (Ar, P = 10⁷—10⁹ Па) при температурі 1870—2000 К залежно від складу вихідної шихти. Отримано об'ємні кристали ZnSxSe1–x з різним вмістом компонентів: при х = 0,05; 0,10; 0,15; 0,20; 0,25; 0,30. Встановлено, що сцинтиляційні властивості досліджених кристалів залежать від вмісту сірки, а кращі параметри були отримані при х = 0,22, тобто для зразків ZnS0,22Se0,78. Було показано, що максимум смуги рентгенолюмінесценції знаходиться в області 584—591 нм, що відповідає максимальній чутливості кремнієвих фотодіодів. Виявлено, що інтенсивність рентгенолюмінесценції кристалів зростає зі збільшенням вмісту сірки і досягає максимуму для складу ZnS0,22Se0,78. ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can change their luminescent properties. Many studies were focused on obtaining ZnSxSe1–x mixed crystals, most using a vapour phase growth methods, and only some of works used the directional solidification. The directional solidification techniques allow growing large ZnSxSe1–x crystals for high-energy particles detectors. Practical use, however, requires the knowledge about luminescent properties of ZnSxSe1–x bulk crystals.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133232
citation_txt Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT trubaevaog vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvoistvasmešannyhkristallovznsxse1x
AT čaikama vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvoistvasmešannyhkristallovznsxse1x
AT zelenskaâov vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvoistvasmešannyhkristallovznsxse1x
AT lalaâncai vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvoistvasmešannyhkristallovznsxse1x
AT galkinsn vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvoistvasmešannyhkristallovznsxse1x
AT trubaevaog vplivvmístusírkinascintilâcíinívlastivostízmíšanihkristalívznsxse1x
AT čaikama vplivvmístusírkinascintilâcíinívlastivostízmíšanihkristalívznsxse1x
AT zelenskaâov vplivvmístusírkinascintilâcíinívlastivostízmíšanihkristalívznsxse1x
AT lalaâncai vplivvmístusírkinascintilâcíinívlastivostízmíšanihkristalívznsxse1x
AT galkinsn vplivvmístusírkinascintilâcíinívlastivostízmíšanihkristalívznsxse1x
AT trubaevaog effectofsulfuronthescintillationpropertiesofmixedznsxse1xcrystals
AT čaikama effectofsulfuronthescintillationpropertiesofmixedznsxse1xcrystals
AT zelenskaâov effectofsulfuronthescintillationpropertiesofmixedznsxse1xcrystals
AT lalaâncai effectofsulfuronthescintillationpropertiesofmixedznsxse1xcrystals
AT galkinsn effectofsulfuronthescintillationpropertiesofmixedznsxse1xcrystals
first_indexed 2025-12-07T13:15:46Z
last_indexed 2025-12-07T13:15:46Z
_version_ 1850855491984424960

Ähnliche Einträge