Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | Трубаева, O.Г., Чайка, M.A., Зеленская, O.В., Лалаянц, А.И., Галкин, С.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133232 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
von: Kovalenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Kovalenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
von: Galkin, S.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Galkin, S.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Flexible composite scintillators based on ZnWO₄ micro- and nanopowders
von: Tinkova, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Tinkova, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
von: Ляшков, А.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ляшков, А.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Экструзионные сцинтилляционные стрипы для эксперимента OPERA
von: Гринев, Б.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Гринев, Б.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Равновесные и фактические значения содержания серы и магния при глубоком рафинировании чугуна
von: Булахтин, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Булахтин, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)