Зображення обкладинки

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x

Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2018
ISSN:	2225-5818
Автори:	Трубаева, O.Г., Чайка, M.A., Зеленская, O.В., Лалаянц, А.И., Галкин, С.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133232
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
за авторством: Майструк, Е.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Flexible composite scintillators based on ZnWO₄ micro- and nanopowders
за авторством: Tinkova, V.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
за авторством: Станецкая, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
за авторством: Ляшков, А.Ю.
Опубліковано: (2013)