Изменение магнитных и оптических свойств неферромагнитных кристаллов после экспонирования в электрическом и магнитном полях - Бродовой, А.В.; Бродовой, В.А.; Колисниченко, В.Г.; Скороход, В.В. (Успехи физики металлов, 2001)
Изучено влияние экспозиции в электрическом или магнитном полях на магнитную восприимчивость кристаллов цинка, кремния, арсенида галлия, а также на спектральное распределение фотопроводимости GaAs и Si. Показано, что во всех случаях, первоначально диамагнитные образцы после механической обработки существенно изменяли магнитные свойства, а в спектре фототока GaAs появились дополнительные примесные максимумы. Длительная экспозиция таких кристаллов в магнитном или электрическом полях приводила к восстановлению их диамагнитных свойств, а в случае GaAs также и к исчезновению максимумов примесного фототока. Вивчено вплив експозиції в електричному або магнітному полях на магнітну сприйнятливість кристалів цинку, кремнію, арсеніду галію, а також на спектральний розподіл фотопровідності GaAs і Si. Показано, що в усіх випадках, спочатку діамагнітні зразки після механічної обробки істотно змінювали магнітні властивості, а в спектрі фотоструму GaAs з'явилися додаткові домішкові максимуми. Тривала експозиція таких кристалів у магнітному або електричному полях призводила до відновлення їхніх діамагнітних властивостей, а у випадку GaAs також і до зникнення домішкових максимумів фотоструму. The influence of exposure on the magnetic susceptibility of zinc, silicon, and gallium arsenide crystals as well as on the spectral distribution of GaAs and Si photoconduction in electrical or magnetic fields is investigated. In the all cases, initially diamagnetic samples are shown to change their magnetic properties essentially after mechanical processing, and additional impurity maximums are appeared in the GaAs photoelectric spectrum. Continuous exposure of such crystals in magnetic or electrical fields results in restitution of their diamagnetic properties, and in the GaAs case, it causes disappearance of impurity-photocurrent maximums.