Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации. У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-133493 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Левченко, И.В. Стратийчук, И.Б. Томашик, В.Н. Маланич, Г.П. Станецкая, А.С. Корчевой, А.А. 2018-05-29T05:03:46Z 2018-05-29T05:03:46Z 2017 Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1816-5230 PACS: 61.72.uj, 68.35.bg, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 81.65.Cf, 81.65.Ps, 82.65.+r https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493 В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации. У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації. In this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Influence of the C₆H₈O₇ Concentration Change on the Chemical Interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with the Etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Solutions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ |
| spellingShingle |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Левченко, И.В. Стратийчук, И.Б. Томашик, В.Н. Маланич, Г.П. Станецкая, А.С. Корчевой, А.А. |
| title_short |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ |
| title_full |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ |
| title_fullStr |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ |
| title_full_unstemmed |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ |
| title_sort |
влияние изменения концентрации c₆h₈o₇ на характер химического взаимодействия inas, insb, gaas и gasb с травильными растворами (nh₄)₂cr₂o₇–hbr–c₆h₈o₇ |
| author |
Левченко, И.В. Стратийчук, И.Б. Томашик, В.Н. Маланич, Г.П. Станецкая, А.С. Корчевой, А.А. |
| author_facet |
Левченко, И.В. Стратийчук, И.Б. Томашик, В.Н. Маланич, Г.П. Станецкая, А.С. Корчевой, А.А. |
| publishDate |
2017 |
| language |
Russian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Influence of the C₆H₈O₇ Concentration Change on the Chemical Interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with the Etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Solutions |
| description |
В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации.
У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації.
In this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493 |
| citation_txt |
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT levčenkoiv vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT stratiičukib vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT tomašikvn vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT malaničgp vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT staneckaâas vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT korčevoiaa vliânieizmeneniâkoncentraciic6h8o7naharakterhimičeskogovzaimodeistviâinasinsbgaasigasbstravilʹnymirastvoraminh42cr2o7hbrc6h8o7 AT levčenkoiv influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions AT stratiičukib influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions AT tomašikvn influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions AT malaničgp influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions AT staneckaâas influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions AT korčevoiaa influenceofthec6h8o7concentrationchangeonthechemicalinteractionofinasinsbgaasandgasbwiththeetchingnh42cr2o7hbrc6h8o7solutions |
| first_indexed |
2025-11-28T13:47:12Z |
| last_indexed |
2025-11-28T13:47:12Z |
| _version_ |
1850853845368832000 |