Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации....
Saved in:
| Date: | 2017 |
|---|---|
| Main Authors: | Левченко, И.В., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Маланич, Г.П., Станецкая, А.С., Корчевой, А.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006) -
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
by: Станецкая, А.С., et al.
Published: (2014) -
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2015) -
GaSb whiskers in sensor electronics
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016) -
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)