Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации. У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | Левченко, И.В., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Маланич, Г.П., Станецкая, А.С., Корчевой, А.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
by: Станецкая, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Станецкая, А.С., et al.
Published: (2014)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2015)
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2015)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
GaSb whiskers in sensor electronics
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
by: Павлович, И.И., et al.
Published: (2011)
by: Павлович, И.И., et al.
Published: (2011)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
by: Омельчук, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.А., et al.
Published: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
Влияние введения модификатора вязкости в растворы H₂O₂–HBr–этиленгликоль на химическое травление монокристаллов PbTe и твёрдых растворов Pb₁₋ₓSnₓTe
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2017)
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2017)
Кинетика и субстратная селективность окисления насыщенных углеводородов сернокислотными растворами (NH₄)₂S₂O₈ и H₂O₂
by: Рудаков, Е.С., et al.
Published: (1983)
by: Рудаков, Е.С., et al.
Published: (1983)
Вплив рН на іонний обмін у системі CdSb—Cu²⁺—H₂O
by: Сема, О.В., et al.
Published: (2013)
by: Сема, О.В., et al.
Published: (2013)
Magnetoresistance oscillations up to 32 K in the organic metal β″-(ET)₄(H₃O)[Fe(C₂O₄)₃]⋅C₆H₄Cl₂
by: Laukhin, V.N., et al.
Published: (2011)
by: Laukhin, V.N., et al.
Published: (2011)
Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H₂O₂—HBr—етиленгліколь
by: Стратійчук, І.Б.
Published: (2011)
by: Стратійчук, І.Б.
Published: (2011)
Low-temperature magnetic viscosity in GaMnSb thin films, containing MnSb clusters
by: A. I. Dmitriev, et al.
Published: (2016)
by: A. I. Dmitriev, et al.
Published: (2016)
Peculiarities of ZnSe dissolution in H₂O₂—HBr -ethylene glycol (oxalic acid) etchant compositions
by: Kravtsova, A.S., et al.
Published: (2013)
by: Kravtsova, A.S., et al.
Published: (2013)
Взаимодействие в системе ZnS—ZnO—Sb₂S₃
by: Зинченко, В.Ф., et al.
Published: (2011)
by: Зинченко, В.Ф., et al.
Published: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)
Chemical bonds deviation in NH₃, PH₃, AsH₃, and SbH₃ molecules
by: Okhrimenko, B.A., et al.
Published: (2004)
by: Okhrimenko, B.A., et al.
Published: (2004)
Магниторезонансные свойства низкоразмерного антиферромагнетика Mn[C₁₀H₆(OH)(COO⁻)]₂×2H₂O
by: Дергачев, К.Г., et al.
Published: (2006)
by: Дергачев, К.Г., et al.
Published: (2006)
Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
by: A. S. Stanetskaja, et al.
Published: (2014)
by: A. S. Stanetskaja, et al.
Published: (2014)
Расчет изменения температуры при конверсии CO C H₂O
by: Лобойко, А.Я., et al.
Published: (1983)
by: Лобойко, А.Я., et al.
Published: (1983)
The photovoltaic effect in segnetoelectric of SbSJ and piroelectric ZnO
by: Kh. Karimov
Published: (2008)
by: Kh. Karimov
Published: (2008)
Interaction in the system ZnS—ZnO—Sb2S3
by: V. F. Zinchenko, et al.
Published: (2011)
by: V. F. Zinchenko, et al.
Published: (2011)
Низкотемпературный спектр ЭПР в порошковом образце Cu(C₁₀H₈N₂)(H₂O)₂SO₄
by: Кравчина, О.В., et al.
Published: (2004)
by: Кравчина, О.В., et al.
Published: (2004)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
Control of energy parameters of plasma flows of N–O–C–H system
by: V. M. Pashchenko
Published: (2022)
by: V. M. Pashchenko
Published: (2022)
Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations
by: G. P. Malanich, et al.
Published: (2015)
by: G. P. Malanich, et al.
Published: (2015)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
Similar Items
-
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018) -
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017) -
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
by: Станецкая, А.С., et al.
Published: (2014) -
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006) -
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2015)