Зображення обкладинки

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇

В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации. У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:	2017
Автори:	Левченко, И.В., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Маланич, Г.П., Станецкая, А.С., Корчевой, А.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
за авторством: Станецкая, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
за авторством: Маланич, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)

Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние введения модификатора вязкости в растворы H₂O₂–HBr–этиленгликоль на химическое травление монокристаллов PbTe и твёрдых растворов Pb₁₋ₓSnₓTe
за авторством: Маланич, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Кинетика и субстратная селективность окисления насыщенных углеводородов сернокислотными растворами (NH₄)₂S₂O₈ и H₂O₂
за авторством: Рудаков, Е.С., та інші
Опубліковано: (1983)

Вплив рН на іонний обмін у системі CdSb—Cu²⁺—H₂O
за авторством: Сема, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetoresistance oscillations up to 32 K in the organic metal β″-(ET)₄(H₃O)[Fe(C₂O₄)₃]⋅C₆H₄Cl₂
за авторством: Laukhin, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)

Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H₂O₂—HBr—етиленгліколь
за авторством: Стратійчук, І.Б.
Опубліковано: (2011)

Low-temperature magnetic viscosity in GaMnSb thin films, containing MnSb clusters
за авторством: A. I. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of ZnSe dissolution in H₂O₂—HBr -ethylene glycol (oxalic acid) etchant compositions
за авторством: Kravtsova, A.S., та інші
Опубліковано: (2013)

Взаимодействие в системе ZnS—ZnO—Sb₂S₃
за авторством: Зинченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Chemical bonds deviation in NH₃, PH₃, AsH₃, and SbH₃ molecules
за авторством: Okhrimenko, B.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Магниторезонансные свойства низкоразмерного антиферромагнетика Mn[C₁₀H₆(OH)(COO⁻)]₂×2H₂O
за авторством: Дергачев, К.Г., та інші
Опубліковано: (2006)

Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
за авторством: A. S. Stanetskaja, та інші
Опубліковано: (2014)

Расчет изменения температуры при конверсии CO C H₂O
за авторством: Лобойко, А.Я., та інші
Опубліковано: (1983)

The photovoltaic effect in segnetoelectric of SbSJ and piroelectric ZnO
за авторством: Kh. Karimov
Опубліковано: (2008)

Interaction in the system ZnS—ZnO—Sb2S3
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Низкотемпературный спектр ЭПР в порошковом образце Cu(C₁₀H₈N₂)(H₂O)₂SO₄
за авторством: Кравчина, О.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Control of energy parameters of plasma flows of N–O–C–H system
за авторством: V. M. Pashchenko
Опубліковано: (2022)

Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2015)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)