Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників

• Date: 2010
• Main Authors: Дегода, В.Я., Софієнко, А.О.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
• Subjects: Тверде тіло
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13383
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.

При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iм...