Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4

Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4

Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину,...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Божко, В.В., Булатецька, Л.В., Давидюк, Г.Є., Парасюк, О.В., Сачанюк, В.П., Третяк, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Тверде тіло
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13384
record_format dspace
spelling Божко, В.В.
Булатецька, Л.В.
Давидюк, Г.Є.
Парасюк, О.В.
Сачанюк, В.П.
Третяк, А.П.
2010-11-05T14:07:15Z
2010-11-05T14:07:15Z
2010
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
2071-0194
PACS 72.80.Tm, 72.40.+w,
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384
621.315.592
Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка.
Исследованы температурная зависимость электропроводности коэффициента термо-эдс и спектральное распределение фотопроводимости твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Cd → Mn. В соответствии с рентгенофазовым анализом в системе AgCd2-xMnxGaSe4 наблюдается образование протяженного твердого раствора, предельным составом которого является AgCd0,74Mn1,26GaSe. Проанализирована фотопроводимость сплавов системы AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму собственной фотопроводимости оценена ширина запрещенной зоны при 297 К. В пределах твердого раствора она увеличивается от ~ 1,75 эВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 эВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Все однофазные твердые растворы фоточувствительные с кратностью изменения проводимости, при освещении 103 лк, равной ~ 10^1 - 10^3, в зависимости от компонентного состава образца.
Temperature dependences of the conductivity coefficient and the thermal electromotive force, as well as the spectral distribution of photoconductivity, of AgCd2-xMnxGaSe4 solid solutions with the isovalent substitution Cd → Mn have been studied. The results of x-ray phase analysis of the AgCd2-xMnxGaSe4 system testify that an extensive solid solution with the limiting composition AgCd0,74Mn1,26GaSe emerges in it. The photoconductivity of AgCd2-xMnxGaSe4 alloys has been considered, and, by analyzing the position of intrinsic photoconductivity maximum, the band gap width at T ≈ 297 K has been evaluated. Within the solid solutions range, the gap width increases from about 1,75 eV for pure AgCd2GaSe4 to 2,3 eV for the composition containing 40 mol% AgCd2GaSe4 and 60 mol% “AgMn2GaSe4”. All the single-phase solid solutions turned out to be photosensitive with the multiplicity of conductivity variation at the 103-Lx illumination ranging from about 10 to 10^3, depending on the specimen composition.
uk
Відділення фізики і астрономії НАН України
Тверде тіло
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
Особенности электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4
Features of Electric and Photoelectric Properties of AgCd2-xMnxGaSe4 Solid Solutions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
spellingShingle Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
Божко, В.В.
Булатецька, Л.В.
Давидюк, Г.Є.
Парасюк, О.В.
Сачанюк, В.П.
Третяк, А.П.
Тверде тіло
title_short Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
title_full Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
title_fullStr Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
title_full_unstemmed Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
title_sort особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів agcd2-xmnxgase4
author Божко, В.В.
Булатецька, Л.В.
Давидюк, Г.Є.
Парасюк, О.В.
Сачанюк, В.П.
Третяк, А.П.
author_facet Божко, В.В.
Булатецька, Л.В.
Давидюк, Г.Є.
Парасюк, О.В.
Сачанюк, В.П.
Третяк, А.П.
topic Тверде тіло
topic_facet Тверде тіло
publishDate 2010
language Ukrainian
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
format Article
title_alt Особенности электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4
Features of Electric and Photoelectric Properties of AgCd2-xMnxGaSe4 Solid Solutions
description Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка. Исследованы температурная зависимость электропроводности коэффициента термо-эдс и спектральное распределение фотопроводимости твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Cd → Mn. В соответствии с рентгенофазовым анализом в системе AgCd2-xMnxGaSe4 наблюдается образование протяженного твердого раствора, предельным составом которого является AgCd0,74Mn1,26GaSe. Проанализирована фотопроводимость сплавов системы AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму собственной фотопроводимости оценена ширина запрещенной зоны при 297 К. В пределах твердого раствора она увеличивается от ~ 1,75 эВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 эВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Все однофазные твердые растворы фоточувствительные с кратностью изменения проводимости, при освещении 103 лк, равной ~ 10^1 - 10^3, в зависимости от компонентного состава образца. Temperature dependences of the conductivity coefficient and the thermal electromotive force, as well as the spectral distribution of photoconductivity, of AgCd2-xMnxGaSe4 solid solutions with the isovalent substitution Cd → Mn have been studied. The results of x-ray phase analysis of the AgCd2-xMnxGaSe4 system testify that an extensive solid solution with the limiting composition AgCd0,74Mn1,26GaSe emerges in it. The photoconductivity of AgCd2-xMnxGaSe4 alloys has been considered, and, by analyzing the position of intrinsic photoconductivity maximum, the band gap width at T ≈ 297 K has been evaluated. Within the solid solutions range, the gap width increases from about 1,75 eV for pure AgCd2GaSe4 to 2,3 eV for the composition containing 40 mol% AgCd2GaSe4 and 60 mol% “AgMn2GaSe4”. All the single-phase solid solutions turned out to be photosensitive with the multiplicity of conductivity variation at the 103-Lx illumination ranging from about 10 to 10^3, depending on the specimen composition.
issn 2071-0194
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384
citation_txt Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT božkovv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT bulatecʹkalv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT davidûkgê osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT parasûkov osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT sačanûkvp osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT tretâkap osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4
AT božkovv osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT bulatecʹkalv osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT davidûkgê osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT parasûkov osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT sačanûkvp osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT tretâkap osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4
AT božkovv featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
AT bulatecʹkalv featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
AT davidûkgê featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
AT parasûkov featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
AT sačanûkvp featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
AT tretâkap featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions
first_indexed 2025-12-07T15:48:56Z
last_indexed 2025-12-07T15:48:56Z
_version_ 1850865129367797760

Схожі ресурси