Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину,...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862680922273349632 |
|---|---|
| author | Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. |
| author_facet | Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. |
| citation_txt | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка.
Исследованы температурная зависимость электропроводности коэффициента термо-эдс и спектральное распределение фотопроводимости твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Cd → Mn. В соответствии с рентгенофазовым анализом в системе AgCd2-xMnxGaSe4 наблюдается образование протяженного твердого раствора, предельным составом которого является AgCd0,74Mn1,26GaSe. Проанализирована фотопроводимость сплавов системы AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму собственной фотопроводимости оценена ширина запрещенной зоны при 297 К. В пределах твердого раствора она увеличивается от ~ 1,75 эВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 эВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Все однофазные твердые растворы фоточувствительные с кратностью изменения проводимости, при освещении 103 лк, равной ~ 10^1 - 10^3, в зависимости от компонентного состава образца.
Temperature dependences of the conductivity coefficient and the thermal electromotive force, as well as the spectral distribution of photoconductivity, of AgCd2-xMnxGaSe4 solid solutions with the isovalent substitution Cd → Mn have been studied. The results of x-ray phase analysis of the AgCd2-xMnxGaSe4 system testify that an extensive solid solution with the limiting composition AgCd0,74Mn1,26GaSe emerges in it. The photoconductivity of AgCd2-xMnxGaSe4 alloys has been considered, and, by analyzing the position of intrinsic photoconductivity maximum, the band gap width at T ≈ 297 K has been evaluated. Within the solid solutions range, the gap width increases from about 1,75 eV for pure AgCd2GaSe4 to 2,3 eV for the composition containing 40 mol% AgCd2GaSe4 and 60 mol% “AgMn2GaSe4”. All the single-phase solid solutions turned out to be photosensitive with the multiplicity of conductivity variation at the 103-Lx illumination ranging from about 10 to 10^3, depending on the specimen composition.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:48:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13384 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2071-0194 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:48:56Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Відділення фізики і астрономії НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. 2010-11-05T14:07:15Z 2010-11-05T14:07:15Z 2010 Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 2071-0194 PACS 72.80.Tm, 72.40.+w, https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384 621.315.592 Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка. Исследованы температурная зависимость электропроводности коэффициента термо-эдс и спектральное распределение фотопроводимости твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Cd → Mn. В соответствии с рентгенофазовым анализом в системе AgCd2-xMnxGaSe4 наблюдается образование протяженного твердого раствора, предельным составом которого является AgCd0,74Mn1,26GaSe. Проанализирована фотопроводимость сплавов системы AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму собственной фотопроводимости оценена ширина запрещенной зоны при 297 К. В пределах твердого раствора она увеличивается от ~ 1,75 эВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 эВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Все однофазные твердые растворы фоточувствительные с кратностью изменения проводимости, при освещении 103 лк, равной ~ 10^1 - 10^3, в зависимости от компонентного состава образца. Temperature dependences of the conductivity coefficient and the thermal electromotive force, as well as the spectral distribution of photoconductivity, of AgCd2-xMnxGaSe4 solid solutions with the isovalent substitution Cd → Mn have been studied. The results of x-ray phase analysis of the AgCd2-xMnxGaSe4 system testify that an extensive solid solution with the limiting composition AgCd0,74Mn1,26GaSe emerges in it. The photoconductivity of AgCd2-xMnxGaSe4 alloys has been considered, and, by analyzing the position of intrinsic photoconductivity maximum, the band gap width at T ≈ 297 K has been evaluated. Within the solid solutions range, the gap width increases from about 1,75 eV for pure AgCd2GaSe4 to 2,3 eV for the composition containing 40 mol% AgCd2GaSe4 and 60 mol% “AgMn2GaSe4”. All the single-phase solid solutions turned out to be photosensitive with the multiplicity of conductivity variation at the 103-Lx illumination ranging from about 10 to 10^3, depending on the specimen composition. uk Відділення фізики і астрономії НАН України Тверде тіло Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 Особенности электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 Features of Electric and Photoelectric Properties of AgCd2-xMnxGaSe4 Solid Solutions Article published earlier |
| spellingShingle | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. Тверде тіло |
| title | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_alt | Особенности электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 Features of Electric and Photoelectric Properties of AgCd2-xMnxGaSe4 Solid Solutions |
| title_full | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_fullStr | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_full_unstemmed | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_short | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_sort | особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів agcd2-xmnxgase4 |
| topic | Тверде тіло |
| topic_facet | Тверде тіло |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13384 |
| work_keys_str_mv | AT božkovv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT bulatecʹkalv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT davidûkgê osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT parasûkov osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT sačanûkvp osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT tretâkap osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteitverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT božkovv osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT bulatecʹkalv osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT davidûkgê osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT parasûkov osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT sačanûkvp osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT tretâkap osobennostiélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvtverdyhrastvorovagcd2xmnxgase4 AT božkovv featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions AT bulatecʹkalv featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions AT davidûkgê featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions AT parasûkov featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions AT sačanûkvp featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions AT tretâkap featuresofelectricandphotoelectricpropertiesofagcd2xmnxgase4solidsolutions |