Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134037 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862579556598153216 |
|---|---|
| author | Savkina, R.K. |
| author_facet | Savkina, R.K. |
| citation_txt | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical composition of semiconductor surface. Microstructures formation as well as change of the chemical composition of the surface was found. The morphology of the structures is highly dependent on the acoustic parameters.
Зразки арсеніду галію і кремнію піддано впливу кавітації, збудженої у кріогенній рідині сфокусованим високочастотним ультразвуком. Морфологія поверхні оброблених зразків вивчалася методом оптичної та атомної силової мікроскопії, а також методом електронної мікроскопії з елементним аналізом. Виявлено утворення субмікронних структур і зміну хімічного складу поверхні. Морфологія структур залежить від акустичних параметрів.
Образцы арсенида галлия и кремния подвергнуты воздействию кавитации, возбужденной в криогенной жидкости сфокусированным высокочастотным ультразвуком. Морфология поверхности обработанных образцов изучалась методом оптической и атомной силовой микроскопии, а также методом электронной микроскопии с элементным анализом. Обнаружено образование субмикронных структур и изменение химического состава поверхности. Морфология структур зависит от акустических параметров.
|
| first_indexed | 2025-11-26T19:11:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-134037 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T19:11:23Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Savkina, R.K. 2018-06-11T16:40:54Z 2018-06-11T16:40:54Z 2012 Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134037 Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical composition of semiconductor surface. Microstructures formation as well as change of the chemical composition of the surface was found. The morphology of the structures is highly dependent on the acoustic parameters. Зразки арсеніду галію і кремнію піддано впливу кавітації, збудженої у кріогенній рідині сфокусованим високочастотним ультразвуком. Морфологія поверхні оброблених зразків вивчалася методом оптичної та атомної силової мікроскопії, а також методом електронної мікроскопії з елементним аналізом. Виявлено утворення субмікронних структур і зміну хімічного складу поверхні. Морфологія структур залежить від акустичних параметрів. Образцы арсенида галлия и кремния подвергнуты воздействию кавитации, возбужденной в криогенной жидкости сфокусированным высокочастотным ультразвуком. Морфология поверхности обработанных образцов изучалась методом оптической и атомной силовой микроскопии, а также методом электронной микроскопии с элементным анализом. Обнаружено образование субмикронных структур и изменение химического состава поверхности. Морфология структур зависит от акустических параметров. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound Структуризація напівпровідникових поверхонь, індукована ультразвуком Article published earlier |
| spellingShingle | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound Savkina, R.K. Characterization and properties |
| title | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_alt | Структуризація напівпровідникових поверхонь, індукована ультразвуком |
| title_full | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_fullStr | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_full_unstemmed | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_short | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_sort | semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134037 |
| work_keys_str_mv | AT savkinark semiconductorsurfacesstructurizationinducedbyultrasound AT savkinark strukturizacíânapívprovídnikovihpoverhonʹíndukovanaulʹtrazvukom |