Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неодно...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723538664816640 |
|---|---|
| author | Бурбело, Р.М. Ісаєв, М.В. Кузьмич, А.Г. |
| author_facet | Бурбело, Р.М. Ісаєв, М.В. Кузьмич, А.Г. |
| citation_txt | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неоднорiдностi (модифiкованого шару) та врахування впливу нелiнiйної залежностi коефiцiєнта температуропровiдностi приводить до суттєвої трансформацiї областi (її зменшення), локалiзацiї теплової енергiї та збiльшення температури в приповерхневому шарi матерiалу.
В работе представлены результаты анализа, которые объясняют общую тенденцию процессов распространения тепла в полупроводниковых структурах на основе Si с модифицированными свойствами приповерхностного слоя при облучении их коротким лазерным импульсом. Показано, что наличие структурной неоднородности (модифицированного слоя) и учет нелинейной зависимости коэффициента температуропроводности приводит к существенной трансформации области (ее уменьшению) локализации тепловой энергии и увеличению температуры в приповерхностном слое образца.
We present the results explaining the general tendency in peculiarities of the process of heat distribution in semiconductor structures with modified properties of the surface layer under a pulse laser irradiation. It is shown that the presence of a structural inhomogeneity (modified layer) and the influence of a nonlinear dependence of the thermal diffusivity coefficient result in both a substantial transformation of the area of localization (its decrease) of thermal energy and an increase of the surface temperature.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:41:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13404 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2071-0194 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:41:50Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Відділення фізики і астрономії НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бурбело, Р.М. Ісаєв, М.В. Кузьмич, А.Г. 2010-11-08T14:34:56Z 2010-11-08T14:34:56Z 2010 Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 2071-0194 PACS 65.40.-b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404 535.16:534.341 У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неоднорiдностi (модифiкованого шару) та врахування впливу нелiнiйної залежностi коефiцiєнта температуропровiдностi приводить до суттєвої трансформацiї областi (її зменшення), локалiзацiї теплової енергiї та збiльшення температури в приповерхневому шарi матерiалу. В работе представлены результаты анализа, которые объясняют общую тенденцию процессов распространения тепла в полупроводниковых структурах на основе Si с модифицированными свойствами приповерхностного слоя при облучении их коротким лазерным импульсом. Показано, что наличие структурной неоднородности (модифицированного слоя) и учет нелинейной зависимости коэффициента температуропроводности приводит к существенной трансформации области (ее уменьшению) локализации тепловой энергии и увеличению температуры в приповерхностном слое образца. We present the results explaining the general tendency in peculiarities of the process of heat distribution in semiconductor structures with modified properties of the surface layer under a pulse laser irradiation. It is shown that the presence of a structural inhomogeneity (modified layer) and the influence of a nonlinear dependence of the thermal diffusivity coefficient result in both a substantial transformation of the area of localization (its decrease) of thermal energy and an increase of the surface temperature. uk Відділення фізики і астрономії НАН України Тверде тіло Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим Формирование температурных полей в легированных структурах на основе Si при лазерном облучении: импульсный режим Evolution of Tempe¬rature Distribution in Implanted Si-based Structures: Pulse Mode Laser Irradiation Article published earlier |
| spellingShingle | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим Бурбело, Р.М. Ісаєв, М.В. Кузьмич, А.Г. Тверде тіло |
| title | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| title_alt | Формирование температурных полей в легированных структурах на основе Si при лазерном облучении: импульсный режим Evolution of Tempe¬rature Distribution in Implanted Si-based Structures: Pulse Mode Laser Irradiation |
| title_full | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| title_fullStr | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| title_full_unstemmed | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| title_short | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| title_sort | формування температурних полів в легованих структурах на основі si при лазерному опроміненні: імпульсний режим |
| topic | Тверде тіло |
| topic_facet | Тверде тіло |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404 |
| work_keys_str_mv | AT burbelorm formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsniirežim AT ísaêvmv formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsniirežim AT kuzʹmičag formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsniirežim AT burbelorm formirovanietemperaturnyhpoleivlegirovannyhstrukturahnaosnovesiprilazernomoblučeniiimpulʹsnyirežim AT ísaêvmv formirovanietemperaturnyhpoleivlegirovannyhstrukturahnaosnovesiprilazernomoblučeniiimpulʹsnyirežim AT kuzʹmičag formirovanietemperaturnyhpoleivlegirovannyhstrukturahnaosnovesiprilazernomoblučeniiimpulʹsnyirežim AT burbelorm evolutionoftemperaturedistributioninimplantedsibasedstructurespulsemodelaserirradiation AT ísaêvmv evolutionoftemperaturedistributioninimplantedsibasedstructurespulsemodelaserirradiation AT kuzʹmičag evolutionoftemperaturedistributioninimplantedsibasedstructurespulsemodelaserirradiation |