Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неодно...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |