Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим

У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неодно...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Бурбело, Р.М., Ісаєв, М.В., Кузьмич, А.Г.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine