Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим

• Date: 2010
• Main Authors: Бурбело, Р.М., Ісаєв, М.В., Кузьмич, А.Г.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
• Subjects: Тверде тіло
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13404
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неодно...