Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного крист...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862746150782631936 |
|---|---|
| author | Федосов, А.В. Луньов, С.В. Федосов, С.А. |
| author_facet | Федосов, А.В. Луньов, С.В. Федосов, С.А. |
| citation_txt | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною.
Исследовано пьезосопротивление 
-облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине.
The piezoresistance of 
-irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:43:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13405 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2071-0194 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:43:57Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Відділення фізики і астрономії НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Федосов, А.В. Луньов, С.В. Федосов, С.А. 2010-11-08T14:38:40Z 2010-11-08T14:38:40Z 2010 Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 2071-0194 PACS 72.20.Fr https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405 621.315.592 Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною. Исследовано пьезосопротивление 
 -облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине. The piezoresistance of 
 -irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical. uk Відділення фізики і астрономії НАН України Тверде тіло Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів Особенности пьезосопротивления γ-облученных кристаллов n-Si для случая симметричного расположения оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов Peculiarities of Piezoresistance of γ-Irradiated n-Si Crystals in the Case of Symmetric Position of the Deformation Axis Relative to All Isoenergetic Ellipsoids Article published earlier |
| spellingShingle | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів Федосов, А.В. Луньов, С.В. Федосов, С.А. Тверде тіло |
| title | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| title_alt | Особенности пьезосопротивления γ-облученных кристаллов n-Si для случая симметричного расположения оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов Peculiarities of Piezoresistance of γ-Irradiated n-Si Crystals in the Case of Symmetric Position of the Deformation Axis Relative to All Isoenergetic Ellipsoids |
| title_full | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| title_fullStr | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| title_full_unstemmed | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| title_short | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| title_sort | особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів |
| topic | Тверде тіло |
| topic_facet | Тверде тіло |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405 |
| work_keys_str_mv | AT fedosovav osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív AT lunʹovsv osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív AT fedosovsa osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív AT fedosovav osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov AT lunʹovsv osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov AT fedosovsa osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov AT fedosovav peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids AT lunʹovsv peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids AT fedosovsa peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids |