Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів

Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів

Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного крист...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Федосов, А.В., Луньов, С.В., Федосов, С.А.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Тверде тіло
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13405
record_format dspace
spelling Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
2010-11-08T14:38:40Z
2010-11-08T14:38:40Z
2010
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
2071-0194
PACS 72.20.Fr
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405
621.315.592
Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною.
Исследовано пьезосопротивление -облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине.
The piezoresistance of -irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical.
uk
Відділення фізики і астрономії НАН України
Тверде тіло
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
Особенности пьезосопротивления γ-облученных кристаллов n-Si для случая симметричного расположения оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов
Peculiarities of Piezoresistance of γ-Irradiated n-Si Crystals in the Case of Symmetric Position of the Deformation Axis Relative to All Isoenergetic Ellipsoids
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
spellingShingle Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
Тверде тіло
title_short Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_full Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_fullStr Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_full_unstemmed Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
title_sort особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
author Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
author_facet Федосов, А.В.
Луньов, С.В.
Федосов, С.А.
topic Тверде тіло
topic_facet Тверде тіло
publishDate 2010
language Ukrainian
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
format Article
title_alt Особенности пьезосопротивления γ-облученных кристаллов n-Si для случая симметричного расположения оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов
Peculiarities of Piezoresistance of γ-Irradiated n-Si Crystals in the Case of Symmetric Position of the Deformation Axis Relative to All Isoenergetic Ellipsoids
description Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною. Исследовано пьезосопротивление -облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине. The piezoresistance of -irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical.
issn 2071-0194
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405
citation_txt Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT fedosovav osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
AT lunʹovsv osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
AT fedosovsa osoblivostípêzooporuγopromínenihkristalívnsiuvipadkusimetričnogorozmíŝennâosídeformacíívídnosnovsíhízoenergetičnihelípsoídív
AT fedosovav osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov
AT lunʹovsv osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov
AT fedosovsa osobennostipʹezosoprotivleniâγoblučennyhkristallovnsidlâslučaâsimmetričnogoraspoloženiâosideformaciiotnositelʹnovsehizoénergetičeskihéllipsoidov
AT fedosovav peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids
AT lunʹovsv peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids
AT fedosovsa peculiaritiesofpiezoresistanceofγirradiatednsicrystalsinthecaseofsymmetricpositionofthedeformationaxisrelativetoallisoenergeticellipsoids
first_indexed 2025-12-07T20:43:57Z
last_indexed 2025-12-07T20:43:57Z
_version_ 1850883689615982592

Схожі ресурси