Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного крист...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13405 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А.В. Федосов, С.В. Луньов, С.А. Федосов // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 323-326. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |