Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134161 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862749491051888640 |
|---|---|
| author | Shtan'ko, A.D. Litvinova, M.B. V.V., Kurak |
| author_facet | Shtan'ko, A.D. Litvinova, M.B. V.V., Kurak |
| citation_txt | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| first_indexed | 2025-12-07T21:00:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-134161 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T21:00:29Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Shtan'ko, A.D. Litvinova, M.B. V.V., Kurak 2018-06-12T16:28:39Z 2018-06-12T16:28:39Z 2010 Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134161 en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field Зниження інтенсивності екситонного випромінювання під впливом слабкого електричного поля у монокристалах компенсованого арсеніду гелію Article published earlier |
| spellingShingle | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field Shtan'ko, A.D. Litvinova, M.B. V.V., Kurak Characterization and properties |
| title | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| title_alt | Зниження інтенсивності екситонного випромінювання під впливом слабкого електричного поля у монокристалах компенсованого арсеніду гелію |
| title_full | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| title_fullStr | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| title_full_unstemmed | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| title_short | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| title_sort | decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134161 |
| work_keys_str_mv | AT shtankoad decreaseofexcitonradiationintensityincompensatedgalliumarsenidesinglecrystalsunderinfluenceoflowelectricfield AT litvinovamb decreaseofexcitonradiationintensityincompensatedgalliumarsenidesinglecrystalsunderinfluenceoflowelectricfield AT vvkurak decreaseofexcitonradiationintensityincompensatedgalliumarsenidesinglecrystalsunderinfluenceoflowelectricfield AT shtankoad znižennâíntensivnostíeksitonnogovipromínûvannâpídvplivomslabkogoelektričnogopolâumonokristalahkompensovanogoarsenídugelíû AT litvinovamb znižennâíntensivnostíeksitonnogovipromínûvannâpídvplivomslabkogoelektričnogopolâumonokristalahkompensovanogoarsenídugelíû AT vvkurak znižennâíntensivnostíeksitonnogovipromínûvannâpídvplivomslabkogoelektričnogopolâumonokristalahkompensovanogoarsenídugelíû |