Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | Shtan'ko, A.D., Litvinova, M.B., V.V., Kurak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134161 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Features of exciton localization in a single J-aggregate
за авторством: Katrunov, I.K., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katrunov, I.K., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Peculiarities of excitonic energy transfer at the distance variation between J-aggregates and exciton traps
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Features of exciton migration in pseudoisocyanine J-aggregates
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
The point radiation defects in Li₆YB₃O₉:Eu³⁺ single crystals
за авторством: Yavetskiy, R.P.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yavetskiy, R.P.
Опубліковано: (2008)
Exciton absorption spectra of KPb₂Br₅ thin films
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Exciton absorption spectrum of Cs₄PbCl₆ thin films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2015)
Exciton migration in pseudoisocyanine J-aggregates formed in polymer films
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanisms of microvoid formation within KCl single crystals in the pulse energy release area of laser focused radiation
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
The thermal expansion of single-walled carbon nanotubes at low temperatures
за авторством: Dolbin, A.V.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dolbin, A.V.
Опубліковано: (2009)
Comparison of two polymethine dyes used as exciton traps for amphi-PIC J-aggregates
за авторством: Grynyov, R.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grynyov, R.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
Characteristics of lasers based on binary vanadate and orthoborate single crystals with disordered structure
за авторством: Kosmyna, M.B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kosmyna, M.B., та інші
Опубліковано: (2015)
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
Research on stress intensity factors of elliptical hole in infinite body
за авторством: Baoliang Liu, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baoliang Liu, та інші
Опубліковано: (2016)
Enhanced pinning in high-temperature superconducting cuprate single crystals at low magnetic field
за авторством: Monarkha, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Monarkha, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2013)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
Growth peculiarities of doped lithium dihydrogen phosphate single crystals from nonstoichiometric solution
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of pressure on paraconductivity in HoBa₂Cu₃O₇-δ single crystals with oxygen deficiency
за авторством: Tiutierieva, K.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Tiutierieva, K.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Single-file diffusion in oxygen underdoped ReBa₂Cu₃O₇₋ₓ (Re=Y, Ho) single crystals
за авторством: Boiko, Y.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Boiko, Y.I., та інші
Опубліковано: (2017)
The peculiarity of electric conductance of KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Thermionic properties of lutetium borides single crystals
за авторством: Voronovich, D.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Voronovich, D.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Diflavonols as single emitters for polymer-based WOLEDs
за авторством: Kosach, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kosach, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Surface-radiative modes and longitudinal excitons in the spectra of low-temperature photoluminescence
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Optical absorption and diffusion of iron in ZnS single crystals
за авторством: Nitsuk, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nitsuk, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Intensities of quantum transitions in hexagonal nanotubes within the exciton spectral range
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006) -
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006) -
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003) -
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)