Зображення обкладинки

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt

Main problems appearing during heteroepitaxy from solution-melts and requirements to time-temperature profiles at the crystallization front have been considered. The substrate cooling possibility by gas feeding to the reactor from outside to provide the crystallization conditions that consecutively...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2006
Автори:	Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134185
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt / Ye.O. Baganov, S.V. Shutov // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 438-442. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Thermal state of hardening disc during extraction from melt in induction melting in sectional crystallizer
за авторством: D. A. Kalashnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt
за авторством: Deshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Modelling of processes of formation of pyramidal structures during epitaxial growth
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Crystallizations of solid solutions of bismuth and antimony tellurides by zone melting and normal crystallization
за авторством: A. I. Anukhin, та інші
Опубліковано: (2016)

Phase and structural transformations during crystallization of Fe –W – C melt
за авторством: O. V. Movchan, та інші
Опубліковано: (2014)

Inhomogeneity of dielectric properties of cadmium zinc-telluride crystals grown from melt
за авторством: Poluboiarov, O.O., та інші
Опубліковано: (2016)

Modelling of Epitaxial Growth of Diamond Crystals in High-Carbon Fe—Al Alloys
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of complex phosphates K₂MᴵᴵᴵSn(PO₄)₃ from solutions in melts under crystallization conditions
за авторством: Zatovsky, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Crystallization of iron (III) phosphates from tungstate melts
за авторством: K. V. Terebilenko
Опубліковано: (2014)

Monitoring system of the front of the melt crystallization
за авторством: Adonkin, G.T., та інші
Опубліковано: (2012)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Relaxation of active acoustic emission sources during the natural aging of A³B⁵ epitaxial structures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

Hydrodynamical conditions in the melt at the growth of sapphire and YAG crystals by horizontal directed crystallization
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Differential scanning tensodilatometry in study of crystallization processes and melting of cryoprotective solutions
за авторством: S. S. Sevastjanov, та інші
Опубліковано: (2013)

Control of melt dosing
за авторством: V. S. Bogushevskij, та інші
Опубліковано: (2017)

The effect of vibrational disturbances on heat and hydrodynamic processes in a melt during the crystal growing by the Bridgman method
за авторством: O. P. Fedorov, та інші
Опубліковано: (2015)

The effect of a constant electric current on the quality of the steel during the crystallization of the melt in the mold
за авторством: V. T. Kalinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Mathematical modeling of hydrodynamic and thermal processes at crystal growing from the melt
за авторством: V. F. Demchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of binary melt solidification at variable crystal pulling rate
за авторством: Kanishchev, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)

On the cellular structure period of the crystallization front of a binary melt
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Volume defects of crystal structure in alkali halide crystals grown from melt by continuous automated method
за авторством: Goriletsky, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)

Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
за авторством: Kanishchev, V.N., та інші
Опубліковано: (2004)

Crystallization of a binary melt under the sample spontaneous cooling-down
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Aspects of crystallization of melt at its cooling
за авторством: V. N. Tsurkin, та інші
Опубліковано: (2018)

Arrangement control of BOF melting
за авторством: V. S. Bogushevskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical fundamentals of metallurgical heredity of alloys at melting and crystallization
за авторством: Yu. Volosevych, та інші
Опубліковано: (2016)

Monitoring of thermal fields on surface of alkali halide single crystals grown from the melt
за авторством: Sidletskiy, O.Ts., та інші
Опубліковано: (2005)