Зображення обкладинки

Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2010
Автори:	Sychikova, J.A., Kidalov, V.V., Sukach, G.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2010
Теми:	Technology
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134204
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution / J.A. Sychikova, V.V. Kidalov, G.A. Sukach // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 131-134. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)

Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)

Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of intensive etching processes on structure and properties of carbon nitride films
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)

Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrochemical deposition of cadmium telluride films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Production of submicron Al₂O₃ powders by electrochemical dissolution of aluminum in the presence of nitric acid
за авторством: Balabanov, S.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Energy saving management system structural-and-functional features construction for HCI of Ukraine
за авторством: Evtukhova T.O.
Опубліковано: (2010)

Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Characterization of TiO₂ oxide films obtained by electrochemical plasma treatment of titanium
за авторством: Chernyayeva, O., та інші
Опубліковано: (2011)

Preparation of heterogeneous film structures by thermally activated mass-transfer
за авторством: Filatov, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Preparation of nanoporous zeolite modified by silver ions with antibacterial properties
за авторством: Z. O. Znak, та інші
Опубліковано: (2020)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)

TiN coating etching from a surface of the instrument in beam-plasma system
за авторством: Bizyukov, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)

The alternative approach to the preparation of complex calcium phosphates and their characterization
за авторством: Livitska, Ok., та інші
Опубліковано: (2017)

Preparation of pellets from uranium dioxide without binder
за авторством: Odeychuk, M.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Preparation of Lu₂O₃:Eu³⁺ nanopowders for optical ceramics
за авторством: Yavetskiy, R.P.
Опубліковано: (2008)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)

Preparation of nanowires based on the tobacco mosaic virus and gold nanoparticles
за авторством: Karbivskyy, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)