Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками

• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Кондратенко, С.В., Вакуленко, О.В., Козирев, Ю.М., Рубежанська, М.Ю., Дадикін, О.А., Наумовець, А.Г., Хофер, С., Тайхерт, С.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
• Schlagworte: Оптика, лазери, квантова електроніка
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13426
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками / С.В. Кондратенко, О.В. Вакуленко, Ю.М. Козирев, М.Ю. Рубежанська, О.А. Дадикін, А.Г. Наумовець, С. Хофер, С. Тайхерт // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 381-388. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Дослiджено спектри поздовжньої фотопровiдностi та вольтампернi характеристики фотопольової електронної емiсiї багатошарових гетероструктур Ge/Si з квантовими точками SiGe. Зображення верхнього шару, зробленi за допомогою атомносилової мiкроскопiї, показали, що наноострiвцi мали форму тетраедральних...