Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері
Дослiджено вплив низькотемпературних вiдпалiв в iнтервалi 350–480 К на повiтрi на люмiнесцентнi характеристики квантових точок CdSe, вмiщених в матрицю з желатину або полiвiнiлового спирту. Показано, що спектри фотолюмiнесценцiї (ФЛ) обох типiв плiвок подiбнi i складаються з двох смуг, пов’язаних з...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13429 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері / К.Ю. Печерська, Л.П. Гермаш, Н.О. Корсунська, Т.Р. Стара, В.О. Бондаренко, Л.В. Борковська, О.Л. Строюк, О.Є. Раєвська // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 405-411. — Бібліогр.: 30 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13429 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Печерська, К.Ю. Гермаш, Л.П. Корсунська, Н.О. Стара, Т.Р. Бондаренко, В.О. Борковська, Л.В. Строюк, О.Л. Раєвська, О.Є. 2010-11-08T17:09:11Z 2010-11-08T17:09:11Z 2010 Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері / К.Ю. Печерська, Л.П. Гермаш, Н.О. Корсунська, Т.Р. Стара, В.О. Бондаренко, Л.В. Борковська, О.Л. Строюк, О.Є. Раєвська // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 405-411. — Бібліогр.: 30 назв. — укр. 2071-0194 PACS 42.70.Jk, 61.46.Df, 78.67.Hc, 78.55.-m https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13429 535.37, 538.958 Дослiджено вплив низькотемпературних вiдпалiв в iнтервалi 350–480 К на повiтрi на люмiнесцентнi характеристики квантових точок CdSe, вмiщених в матрицю з желатину або полiвiнiлового спирту. Показано, що спектри фотолюмiнесценцiї (ФЛ) обох типiв плiвок подiбнi i складаються з двох смуг, пов’язаних з рекомбiнацiєю носiїв через рiвнi поверхневих дефектiв. Виявлено, що термiчний вiдпал протягом 10 хвилин в iнтервалi 350–480 К приводить до зростання iнтенсивностi люмiнесценцiї та зсуву максимумiв смуг ФЛ в низькоенергетичний бiк спектра. При довготривалому (бiльше 1 години) вiдпалi спостерiгається зменшення iнтенсивностi ФЛ. Всi ефекти релаксують з часом при витримуваннi зразкiв за кiмнатної температури на повiтрi i вiдновлюються пiсля повторного вiдпалу. Запропоновано, що причиною низькоенергетичного зсуву максимумiв смуг ФЛ є збiльшення густини поверхневих дефектiв, якi дiють як центри випромiнювальної рекомбiнацiї i утворюються внаслiдок розриву зв’язкiв поверхневих атомiв кадмiю з функцiональними групами молекул желатину. В той же час причиною зростання iнтенсивностi ФЛ може бути збiльшення висоти потенцiального бар’єра для звiльнення носiїв з рiвнiв квантових точок та переходу їх на центри безвипромiнювальної рекомбiнацiї. Iншою причиною зростання iнтенсивностi ФЛ може бути зменшення концентрацiї центрiв безвипромiнювальної рекомбiнацiї. Причина зменшення iнтенсивностi ФЛ при довготривалому вiдпалi поки що не з’ясована. Исследовано влияние низкотемпературных отжигов в области температур 350–440 К на воздухе на люминесцентные характеристики квантовых точек CdSe, помещённых в матрицу из желатина или поливинилового спирта. Показано, что спектры фотолюминесценции (ФЛ) обоих типов плёнок подобны и состоят из двух полос, связанных с рекомбинацией носителей через уровни поверхностных дефектов. Установлено, что отжиг в течение 10 минут в интервале 350–450 К приводит к росту интенсивности люминесценции и сдвигу максимумов полос ФЛ в низкоэнергетическую сторону спектра. При длительном (более 1 часа) отжиге наблюдалось уменьшение интенсивности ФЛ. Обнаружено, что все эффекты релаксируют при выдерживании образцов при комнатной температуре на воздухе и возобновляются при повторном отжиге. Предположено, что причиной низкоэнергетического сдвига максимумов полос ФЛ является увеличение плотности поверхностных дефектов, которые действуют как центры излучательной рекомбинации и образуются в результате разрыва связей поверхностных атомов кадмия с функциональными группами молекул желатина. В то же время причиной обратимого возрастания интенсивности ФЛ может быть увеличение высоты потенциального барьера для освобождения носителей с уровней квантовых точек и перехода их на центры безызлучательной рекомбинации. Другой причиной возрастания интенсивности ФЛ может быть уменьшение концентрации центров безызлучательной рекомбинации. Причина уменьшения интенсивности ФЛ при длительном отжиге пока ещё не выяснена. The influence of low-temperature annealing in the range of 350–480 K in air on the luminescent properties of CdSe quantum dots embedded in a gelatine or polyvinyl alcohol matrix is studied. The photoluminescence (PL) spectra of the films of both types are the same and consist of two bands originating from recombination of carriers through the surface defect states. It is found that thermal annealing at 350–480 K during 10 min results in both the enhancement of the PL intensity and the shift of the PL bands to low-energy spectral region. At a long annealing time (more than 1 hour) the decrease of PL intensity is observed. All the effects relax during the storage (ageing) of samples at room temperature in air and appear after repeated annealing. The shift of the PL bands to low-energy region is explained by an increase of the density of surface defects, which act as the centres of radiative recombination and tentatively arise due to the break of the bonds of cadmium surface atoms with functional groups of gelatine molecules. The enhancement of the PL intensity is supposed to be due to the increase of the height of potential barrier for carrier transition from quantum dots to the centres of nonradiative recombination. Another possible reason of PL enhancement can be the decrease of nonradiative defect density. The mechanism of the reduction of PL intensity at long annealing time is not clear now. uk Відділення фізики і астрономії НАН України Оптика, лазери, квантова електроніка Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері Влияние отжигов на люминесцентные характеристики квантовых точек CdSe в полимере Effect of Annealing on the Luminescent Characteristics of CdSe Quantum Dots in a Polymer Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері |
| spellingShingle |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері Печерська, К.Ю. Гермаш, Л.П. Корсунська, Н.О. Стара, Т.Р. Бондаренко, В.О. Борковська, Л.В. Строюк, О.Л. Раєвська, О.Є. Оптика, лазери, квантова електроніка |
| title_short |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері |
| title_full |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері |
| title_fullStr |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері |
| title_full_unstemmed |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері |
| title_sort |
вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок сdse в полімері |
| author |
Печерська, К.Ю. Гермаш, Л.П. Корсунська, Н.О. Стара, Т.Р. Бондаренко, В.О. Борковська, Л.В. Строюк, О.Л. Раєвська, О.Є. |
| author_facet |
Печерська, К.Ю. Гермаш, Л.П. Корсунська, Н.О. Стара, Т.Р. Бондаренко, В.О. Борковська, Л.В. Строюк, О.Л. Раєвська, О.Є. |
| topic |
Оптика, лазери, квантова електроніка |
| topic_facet |
Оптика, лазери, квантова електроніка |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| publisher |
Відділення фізики і астрономії НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Влияние отжигов на люминесцентные характеристики квантовых точек CdSe в полимере Effect of Annealing on the Luminescent Characteristics of CdSe Quantum Dots in a Polymer |
| issn |
2071-0194 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13429 |
| citation_txt |
Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок СdSe в полімері / К.Ю. Печерська, Л.П. Гермаш, Н.О. Корсунська, Т.Р. Стара, В.О. Бондаренко, Л.В. Борковська, О.Л. Строюк, О.Є. Раєвська // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 405-411. — Бібліогр.: 30 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT pečersʹkakû vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT germašlp vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT korsunsʹkano vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT staratr vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT bondarenkovo vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT borkovsʹkalv vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT stroûkol vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT raêvsʹkaoê vplivvídpalívnalûmínescentníharakteristikikvantovihtočoksdsevpolímerí AT pečersʹkakû vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT germašlp vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT korsunsʹkano vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT staratr vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT bondarenkovo vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT borkovsʹkalv vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT stroûkol vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT raêvsʹkaoê vliânieotžigovnalûminescentnyeharakteristikikvantovyhtočekcdsevpolimere AT pečersʹkakû effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT germašlp effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT korsunsʹkano effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT staratr effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT bondarenkovo effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT borkovsʹkalv effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT stroûkol effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer AT raêvsʹkaoê effectofannealingontheluminescentcharacteristicsofcdsequantumdotsinapolymer |
| first_indexed |
2025-12-01T04:40:12Z |
| last_indexed |
2025-12-01T04:40:12Z |
| _version_ |
1850859340749078528 |
| description |
Дослiджено вплив низькотемпературних вiдпалiв в iнтервалi 350–480 К на повiтрi на люмiнесцентнi характеристики квантових точок CdSe, вмiщених в матрицю з желатину або полiвiнiлового спирту. Показано, що спектри фотолюмiнесценцiї (ФЛ) обох типiв плiвок подiбнi i складаються з двох смуг, пов’язаних з рекомбiнацiєю носiїв через рiвнi поверхневих дефектiв. Виявлено, що термiчний вiдпал протягом 10 хвилин в iнтервалi 350–480 К приводить до зростання iнтенсивностi люмiнесценцiї та зсуву максимумiв смуг ФЛ в низькоенергетичний бiк спектра. При довготривалому (бiльше 1 години) вiдпалi спостерiгається зменшення iнтенсивностi ФЛ. Всi ефекти релаксують з часом при витримуваннi зразкiв за кiмнатної температури на повiтрi i вiдновлюються пiсля повторного вiдпалу. Запропоновано, що причиною низькоенергетичного зсуву максимумiв смуг ФЛ є збiльшення густини поверхневих дефектiв, якi дiють як центри випромiнювальної рекомбiнацiї i утворюються внаслiдок розриву зв’язкiв поверхневих атомiв кадмiю з функцiональними групами молекул желатину. В той же час причиною зростання iнтенсивностi ФЛ може бути збiльшення висоти потенцiального бар’єра для звiльнення носiїв з рiвнiв квантових точок та переходу їх на центри безвипромiнювальної рекомбiнацiї. Iншою причиною зростання iнтенсивностi ФЛ може бути зменшення концентрацiї центрiв безвипромiнювальної рекомбiнацiї. Причина зменшення iнтенсивностi ФЛ при довготривалому вiдпалi поки що не з’ясована.
Исследовано влияние низкотемпературных отжигов в области температур 350–440 К на воздухе на люминесцентные характеристики квантовых точек CdSe, помещённых в матрицу из желатина или поливинилового спирта. Показано, что спектры фотолюминесценции (ФЛ) обоих типов плёнок подобны и состоят из двух полос, связанных с рекомбинацией носителей через уровни поверхностных дефектов. Установлено, что отжиг в течение 10 минут в интервале 350–450 К приводит к росту интенсивности люминесценции и сдвигу максимумов полос ФЛ в низкоэнергетическую сторону спектра. При длительном (более 1 часа) отжиге наблюдалось уменьшение интенсивности ФЛ. Обнаружено, что все эффекты релаксируют при выдерживании образцов при комнатной температуре на воздухе и возобновляются при повторном отжиге. Предположено, что причиной низкоэнергетического сдвига максимумов полос ФЛ является увеличение плотности поверхностных дефектов, которые действуют как центры излучательной рекомбинации и образуются в результате разрыва связей поверхностных атомов кадмия с функциональными группами молекул желатина. В то же время причиной обратимого возрастания интенсивности ФЛ может быть увеличение высоты потенциального барьера для освобождения носителей с уровней квантовых точек и перехода их на центры безызлучательной рекомбинации. Другой причиной возрастания интенсивности ФЛ может быть уменьшение концентрации центров безызлучательной рекомбинации. Причина уменьшения интенсивности ФЛ при длительном отжиге пока ещё не выяснена.
The influence of low-temperature annealing in the range of 350–480 K in air on the luminescent properties of CdSe quantum dots embedded in a gelatine or polyvinyl alcohol matrix is studied. The photoluminescence (PL) spectra of the films of both types are the same and consist of two bands originating from recombination of carriers through the surface defect states. It is found that thermal annealing at 350–480 K during 10 min results in both the enhancement of the PL intensity and the shift of the PL bands to low-energy spectral region. At a long annealing time (more than 1 hour) the decrease of PL intensity is observed. All the effects relax during the storage (ageing) of samples at room temperature in air and appear after repeated annealing. The shift of the PL bands to low-energy region is explained by an increase of the density of surface defects, which act as the centres of radiative recombination and tentatively arise due to the break of the bonds of cadmium surface atoms with functional groups of gelatine molecules. The enhancement of the PL intensity is supposed to be due to the increase of the height of potential barrier for carrier transition from quantum dots to the centres of nonradiative recombination. Another possible reason of PL enhancement can be the decrease of nonradiative defect density. The mechanism of the reduction of PL intensity at long annealing time is not clear now.
|