Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник

• Дата: 2010
• Автори: Пелещак, Р.М., Кузик, О.В., Даньків, О.О.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
• Теми: Тверде тіло
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13435
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 437-442. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Дослiджено вплив пружних деформацiй, що виникають як за рахунок невiдповiдностi параметрiв ґраток контактуючих напiвпровiдникових матерiалiв, так i в околi кластера дефектiв мiжвузловинного кадмiю у легованiй напiвпровiдниковiй пiдкладцi CdTe, на iнжекцiю електронiв в iзолюючий шар структури метал–нелегований напiвпровiдник ZnxCd1-xTe–напiвпровiдникова пiдкладка n-CdTe. Исследовано влияние упругих деформаций, вызванных как несоответствием параметров решеток контактирующих полупроводниковых материалов, так и наличием кластера дефектов междоузельного кадмия в легированной полупроводниковой подложке CdTe, на инжекцию электронов в изолирующий слой структуры металл–нелегированный полупроводник ZnxCd1-xTe–полупроводниковая подложка n-CdTe. The influence of elastic deformations that arise owing to a mismatch between the lattice parameters of contacting semiconductor materials and in a vicinity of the defect cluster induced by interstitial cadmium in a doped semiconductor CdTe substrate on the electron injection into the insulating layer of the metal–undoped ZnxCd1-xTe semiconductor–n-CdTe semiconductor substrate structure has been studied.