Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник

Дослiджено вплив пружних деформацiй, що виникають як за рахунок невiдповiдностi параметрiв ґраток контактуючих напiвпровiдникових матерiалiв, так i в околi кластера дефектiв мiжвузловинного кадмiю у легованiй напiвпровiдниковiй пiдкладцi CdTe, на iнжекцiю електронiв в iзолюючий шар структури метал–н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Пелещак, Р.М., Кузик, О.В., Даньків, О.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13435
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 437-442. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13435
record_format dspace
spelling Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
2010-11-08T17:27:07Z
2010-11-08T17:27:07Z
2010
Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 437-442. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
2071-0194
PACS 61.72.JJ
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13435
533.3+537.2
Дослiджено вплив пружних деформацiй, що виникають як за рахунок невiдповiдностi параметрiв ґраток контактуючих напiвпровiдникових матерiалiв, так i в околi кластера дефектiв мiжвузловинного кадмiю у легованiй напiвпровiдниковiй пiдкладцi CdTe, на iнжекцiю електронiв в iзолюючий шар структури метал–нелегований напiвпровiдник ZnxCd1-xTe–напiвпровiдникова пiдкладка n-CdTe.
Исследовано влияние упругих деформаций, вызванных как несоответствием параметров решеток контактирующих полупроводниковых материалов, так и наличием кластера дефектов междоузельного кадмия в легированной полупроводниковой подложке CdTe, на инжекцию электронов в изолирующий слой структуры металл–нелегированный полупроводник ZnxCd1-xTe–полупроводниковая подложка n-CdTe.
The influence of elastic deformations that arise owing to a mismatch between the lattice parameters of contacting semiconductor materials and in a vicinity of the defect cluster induced by interstitial cadmium in a doped semiconductor CdTe substrate on the electron injection into the insulating layer of the metal–undoped ZnxCd1-xTe semiconductor–n-CdTe semiconductor substrate structure has been studied.
uk
Відділення фізики і астрономії НАН України
Тверде тіло
Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
Влияние деформационных эффектов на электрические свойства структуры металл–полупроводник–легированный полупроводник
Influence of Deformation Effects on Electrical Properties of Structure Metal−Semiconductor−Doped Semiconductor
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
spellingShingle Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
Тверде тіло
title_short Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
title_full Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
title_fullStr Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
title_full_unstemmed Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
title_sort вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
author Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
author_facet Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
topic Тверде тіло
topic_facet Тверде тіло
publishDate 2010
language Ukrainian
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
format Article
title_alt Влияние деформационных эффектов на электрические свойства структуры металл–полупроводник–легированный полупроводник
Influence of Deformation Effects on Electrical Properties of Structure Metal−Semiconductor−Doped Semiconductor
description Дослiджено вплив пружних деформацiй, що виникають як за рахунок невiдповiдностi параметрiв ґраток контактуючих напiвпровiдникових матерiалiв, так i в околi кластера дефектiв мiжвузловинного кадмiю у легованiй напiвпровiдниковiй пiдкладцi CdTe, на iнжекцiю електронiв в iзолюючий шар структури метал–нелегований напiвпровiдник ZnxCd1-xTe–напiвпровiдникова пiдкладка n-CdTe. Исследовано влияние упругих деформаций, вызванных как несоответствием параметров решеток контактирующих полупроводниковых материалов, так и наличием кластера дефектов междоузельного кадмия в легированной полупроводниковой подложке CdTe, на инжекцию электронов в изолирующий слой структуры металл–нелегированный полупроводник ZnxCd1-xTe–полупроводниковая подложка n-CdTe. The influence of elastic deformations that arise owing to a mismatch between the lattice parameters of contacting semiconductor materials and in a vicinity of the defect cluster induced by interstitial cadmium in a doped semiconductor CdTe substrate on the electron injection into the insulating layer of the metal–undoped ZnxCd1-xTe semiconductor–n-CdTe semiconductor substrate structure has been studied.
issn 2071-0194
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13435
citation_txt Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 437-442. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT peleŝakrm vplivdeformacíinihefektívnaelektričnívlastivostístrukturimetalnapívprovídniklegovaniinapívprovídnik
AT kuzikov vplivdeformacíinihefektívnaelektričnívlastivostístrukturimetalnapívprovídniklegovaniinapívprovídnik
AT danʹkívoo vplivdeformacíinihefektívnaelektričnívlastivostístrukturimetalnapívprovídniklegovaniinapívprovídnik
AT peleŝakrm vliâniedeformacionnyhéffektovnaélektričeskiesvoistvastrukturymetallpoluprovodniklegirovannyipoluprovodnik
AT kuzikov vliâniedeformacionnyhéffektovnaélektričeskiesvoistvastrukturymetallpoluprovodniklegirovannyipoluprovodnik
AT danʹkívoo vliâniedeformacionnyhéffektovnaélektričeskiesvoistvastrukturymetallpoluprovodniklegirovannyipoluprovodnik
AT peleŝakrm influenceofdeformationeffectsonelectricalpropertiesofstructuremetalsemiconductordopedsemiconductor
AT kuzikov influenceofdeformationeffectsonelectricalpropertiesofstructuremetalsemiconductordopedsemiconductor
AT danʹkívoo influenceofdeformationeffectsonelectricalpropertiesofstructuremetalsemiconductordopedsemiconductor
first_indexed 2025-12-07T15:59:28Z
last_indexed 2025-12-07T15:59:28Z
_version_ 1850865791566610432