Surface defects of BGO crystals

The surface defects of Bi₄Ge₃O₁₂ crystals grown by Czochralski have been considered. The influence of the melt level lowering in the crucible and the growth atmosphere composition on the formation of defects have been described. A mechanism of defect formation has been proposed making in possible to...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2008
Main Authors: Galenin, E.P., Gerasymov, I.V., Nahornyak, V.T., Sidletskiy, O.Ts., Tkachenko, S.A.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2008
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134537
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Surface defects of BGO crystals // E.P. Galenin, I.V. Gerasymov, V.T. Nahornyak, O.Ts. Sidletskiy, S.A. Tkachenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 274-278. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:The surface defects of Bi₄Ge₃O₁₂ crystals grown by Czochralski have been considered. The influence of the melt level lowering in the crucible and the growth atmosphere composition on the formation of defects have been described. A mechanism of defect formation has been proposed making in possible to judge of the crystallization front stability and morphology during the crystal growth and the presence of blocks in the crystals basing on the observed defect character. Розглянуто поверхневі дефекти кристалів Bi₄Ge₃O₁₂, вирощених методом Чохральського. Описано вплив зменшення рівню розплаву у тиглі й складу середовища вирощування на утворення дефектів. Запропоновано механізм їх виникнення, який дає можливість за характером дефектів оцінювати морфологію і стабільність фронту кристалізації під час росту кристала, наявність блоків у кристалах. Рассмотрены поверхностные дефекты кристаллов Bi₄Ge₃O₁₂, выращенных классическим методом Чохральского. Описано влияние уменьшения уровня расплава в тигле и состава среды выращивания на образование дефектов. Предложен механизм их возникновения, позволяющий по характеру дефектов судить о морфологии и стабильности фронта кристаллизации во время роста кристалла, размерах ячеек и наличии блоков в кристаллах.
ISSN:1027-5495