NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134552 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-134552 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. 2018-06-13T16:59:55Z 2018-06-13T16:59:55Z 2008 NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134552 The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10. Досліджено спектри ¹²⁷l ЯКР нових напівпровідникових змішаних кристалів Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, що при низьких значеннях концентрації Cdl₂ відбувається значне викривлення внутрішньошарової симетрії базового кристала Pb₂ . Це є наслідком формування внутрішньошарових механічних напруг, котрі визначаються різницею розмірів основних та домішкових атомів (відповідно РЬ та Cd). Показано, що при х>0,1 утворюються внутрішньошарові гетерофазні (острівкові) структури Cdl₂. Обговорюються питання відносно утворення склоподібної фази змішаного кристала Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,1. Исследованы спектры ¹²⁷l ЯКР новых полупроводниковых смешанных кристаллов Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, что при низких значениях концентрации Cdl₂ происходит существенное искажение внутрислоевой симметрии базового кристалла Pb₂. Это происходит благодаря формированию внутрислоевых механических напряжений, которые определяются различием размеров основных и примесных атомов (соответственно РЬ и Cd). Показано, что при х>0,10 образуются внутрислоевые гетерофазные (островковые) структуры Cdl₂. Обсуждаются результаты, указывающие на образование стеклоподобной аморфной фазы смешанного кристалла Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,10. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors ЯКР дослідження особливостей структури шаруватих напівпровідників Pbₓ₋₁Cdₓl₂ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
| spellingShingle |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. Characterization and properties |
| title_short |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
| title_full |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
| title_fullStr |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
| title_full_unstemmed |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
| title_sort |
nqr investigation of crystal structure peculiarities of layered pbₓ₋₁cdₓl₂ semiconductors |
| author |
Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. |
| author_facet |
Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. |
| topic |
Characterization and properties |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| publishDate |
2008 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
ЯКР дослідження особливостей структури шаруватих напівпровідників Pbₓ₋₁Cdₓl₂ |
| description |
The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10.
Досліджено спектри ¹²⁷l ЯКР нових напівпровідникових змішаних кристалів Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, що при низьких значеннях концентрації Cdl₂ відбувається значне викривлення внутрішньошарової симетрії базового кристала Pb₂ . Це є наслідком формування внутрішньошарових механічних напруг, котрі визначаються різницею розмірів основних та домішкових атомів (відповідно РЬ та Cd). Показано, що при х>0,1 утворюються внутрішньошарові гетерофазні (острівкові) структури Cdl₂. Обговорюються питання відносно утворення склоподібної фази змішаного кристала Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,1.
Исследованы спектры ¹²⁷l ЯКР новых полупроводниковых смешанных кристаллов Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, что при низких значениях концентрации Cdl₂ происходит существенное искажение внутрислоевой симметрии базового кристалла Pb₂. Это происходит благодаря формированию внутрислоевых механических напряжений, которые определяются различием размеров основных и примесных атомов (соответственно РЬ и Cd). Показано, что при х>0,10 образуются внутрислоевые гетерофазные (островковые) структуры Cdl₂. Обсуждаются результаты, указывающие на образование стеклоподобной аморфной фазы смешанного кристалла Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,10.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134552 |
| citation_txt |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT gnatenkoyup nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT beinikia nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT barabashai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT vertegelig nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT chesnokoved nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT ovcharenkoai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT ivanovals nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT gnatenkoyup âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT beinikia âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT barabashai âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT vertegelig âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT chesnokoved âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT ovcharenkoai âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 AT ivanovals âkrdoslídžennâosoblivosteistrukturišaruvatihnapívprovídnikívpbx1cdxl2 |
| first_indexed |
2025-12-02T02:21:37Z |
| last_indexed |
2025-12-02T02:21:37Z |
| _version_ |
1850861375530729472 |