Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices
A new type of quantum size effect in metal-semiconductor superlattices is predicted. Giant oscillations of the transverse tunnel conductivity arise if size quantization of the electron spectrum in the metal layers takes place. This effect is due to the fact that the probability of metal electron tun...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134704 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices / N.Ya. Fogel, R.I. Shekhter, A.A. Slutskin, H.A. Kovtun // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 2. — С. 168-171. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | A new type of quantum size effect in metal-semiconductor superlattices is predicted. Giant oscillations of the transverse tunnel conductivity arise if size quantization of the electron spectrum in the metal layers takes place. This effect is due to the fact that the probability of metal electron tunneling through a semiconductor layer depends sharply on the electron incidence angle. The oscillations have been found to exist even in disordered systems, provided the electrons in metal layers undergo low-angle scattering on imperfections.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |