The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix
The existence of n-n⁺ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134811 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, V.P. Tupichak, D.D. Shuptar // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 201-205. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-134811 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Tupichak, V.P. Shuptar, D.D. 2018-06-14T09:10:29Z 2018-06-14T09:10:29Z 2004 The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, V.P. Tupichak, D.D. Shuptar // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 201-205. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134811 The existence of n-n⁺ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus the plane, which corresponds to the border of transition, is shifted to the border of elasticity with the increase of n. В рамках электрон-деформационной модели раскрыто существование n-n⁺ перехода в упругой области имплантированной кристаллической матрицы GaAs(100) + Ar(Si). Показано, что с ростом степени заполнения зоны проводимости (0 <= n <= 0.5) переход становится более резким. При этом плоскость, соответствующая границе перехода, с ростом n сдвигается к границе упругости. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| spellingShingle |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Tupichak, V.P. Shuptar, D.D. |
| title_short |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| title_full |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| title_fullStr |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| title_full_unstemmed |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| title_sort |
formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix |
| author |
Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Tupichak, V.P. Shuptar, D.D. |
| author_facet |
Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Tupichak, V.P. Shuptar, D.D. |
| publishDate |
2004 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| description |
The existence of n-n⁺ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus the plane, which corresponds to the border of transition, is shifted to the border of elasticity with the increase of n.
В рамках электрон-деформационной модели раскрыто существование n-n⁺ перехода в упругой области имплантированной кристаллической матрицы GaAs(100) + Ar(Si). Показано, что с ростом степени заполнения зоны проводимости (0 <= n <= 0.5) переход становится более резким. При этом плоскость, соответствующая границе перехода, с ростом n сдвигается к границе упругости.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134811 |
| citation_txt |
The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, V.P. Tupichak, D.D. Shuptar // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 201-205. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT peleshchakrm theformationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT kuzykov theformationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT tupichakvp theformationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT shuptardd theformationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT peleshchakrm formationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT kuzykov formationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT tupichakvp formationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix AT shuptardd formationofnntransitionintheimplantedcrystalmatrix |
| first_indexed |
2025-12-07T18:55:49Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:55:49Z |
| _version_ |
1850876886984425472 |