Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
The comparative analysis of the dislocation images obtained by optical and scanning electron microscopy in Ge single crystals has been carried out. The results obtained by both methods agree well with each other. When there is no impurity atmosphere, the etching pit or the image spot on the dislocat...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134869 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724107196432384 |
|---|---|
| author | Nadtochy, V. Golodenko, M. Moskal, D. |
| author_facet | Nadtochy, V. Golodenko, M. Moskal, D. |
| citation_txt | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The comparative analysis of the dislocation images obtained by optical and scanning electron microscopy in Ge single crystals has been carried out. The results obtained by both methods agree well with each other. When there is no impurity atmosphere, the etching pit or the image spot on the dislocation is about 1 pm in diameter. By creating an electric field at the semiconductor surface, the spatial charge area around the dislocation can be polarized. A contrast appears around the dislocation when the area is scanned by electron beam. This enables the distinguishing of dislocations created by low-temperature deformation among neutral impurity inclusions in a crystal.
Проведен сравнительный анализ изображений дислокаций в монокристаллическом Ge, полученных методами оптической и сканирующей электронной микроскопии. Результаты обоих методов хорошо согласуются между собой. При отсутствии примесной атмосферы ямка травления или пятно изображения на дислокации имеют диаметр ~1 мкм. Путем создания электрического поля на поверхности можно добиться поляризации области пространственного заряда вокруг дислокации, а при сканировании этой области электронным пучком — появления контраста. Последнее дает возможность выделить дислокации, созданные низкотемпературной деформацией, среди нейтральных примесных включений в кристалле.
Виконано порівняльний аналіз зображень дислокацій у монокристалічному Ge, одержаних методами оптичної та скануючої електронної мікроскопії. Результати обох методів добре узгоджуються між собою. При відсутності домішкової атмосфери ямка травлення або пляма зображення на дислокації мають діаметр ~1 мкм. Шляхом утворення електричного поля на поверхні можна досягти поляризації області просторового заряду навколо дислокації, а при скануванні цієї області електронним пучком — появи контрасту. Останнє дає можливість виділити дислокації при низькотемпературній деформації серед нейтральних домішкових включень у кристалі.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:45:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-134869 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:45:41Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Nadtochy, V. Golodenko, M. Moskal, D. 2018-06-14T10:26:41Z 2018-06-14T10:26:41Z 2004 Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134869 The comparative analysis of the dislocation images obtained by optical and scanning electron microscopy in Ge single crystals has been carried out. The results obtained by both methods agree well with each other. When there is no impurity atmosphere, the etching pit or the image spot on the dislocation is about 1 pm in diameter. By creating an electric field at the semiconductor surface, the spatial charge area around the dislocation can be polarized. A contrast appears around the dislocation when the area is scanned by electron beam. This enables the distinguishing of dislocations created by low-temperature deformation among neutral impurity inclusions in a crystal. Проведен сравнительный анализ изображений дислокаций в монокристаллическом Ge, полученных методами оптической и сканирующей электронной микроскопии. Результаты обоих методов хорошо согласуются между собой. При отсутствии примесной атмосферы ямка травления или пятно изображения на дислокации имеют диаметр ~1 мкм. Путем создания электрического поля на поверхности можно добиться поляризации области пространственного заряда вокруг дислокации, а при сканировании этой области электронным пучком — появления контраста. Последнее дает возможность выделить дислокации, созданные низкотемпературной деформацией, среди нейтральных примесных включений в кристалле. Виконано порівняльний аналіз зображень дислокацій у монокристалічному Ge, одержаних методами оптичної та скануючої електронної мікроскопії. Результати обох методів добре узгоджуються між собою. При відсутності домішкової атмосфери ямка травлення або пляма зображення на дислокації мають діаметр ~1 мкм. Шляхом утворення електричного поля на поверхні можна досягти поляризації області просторового заряду навколо дислокації, а при скануванні цієї області електронним пучком — появи контрасту. Останнє дає можливість виділити дислокації при низькотемпературній деформації серед нейтральних домішкових включень у кристалі. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam Дослідження дислокацій у монокристалічному Ge скануючим електронним пучком Article published earlier |
| spellingShingle | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam Nadtochy, V. Golodenko, M. Moskal, D. |
| title | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam |
| title_alt | Дослідження дислокацій у монокристалічному Ge скануючим електронним пучком |
| title_full | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam |
| title_fullStr | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam |
| title_full_unstemmed | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam |
| title_short | Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam |
| title_sort | investigation of dislocations in ge single crystals by scanning electron beam |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134869 |
| work_keys_str_mv | AT nadtochyv investigationofdislocationsingesinglecrystalsbyscanningelectronbeam AT golodenkom investigationofdislocationsingesinglecrystalsbyscanningelectronbeam AT moskald investigationofdislocationsingesinglecrystalsbyscanningelectronbeam AT nadtochyv doslídžennâdislokacíiumonokristalíčnomugeskanuûčimelektronnimpučkom AT golodenkom doslídžennâdislokacíiumonokristalíčnomugeskanuûčimelektronnimpučkom AT moskald doslídžennâdislokacíiumonokristalíčnomugeskanuûčimelektronnimpučkom |