Зображення обкладинки

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam

The comparative analysis of the dislocation images obtained by optical and scanning electron microscopy in Ge single crystals has been carried out. The results obtained by both methods agree well with each other. When there is no impurity atmosphere, the etching pit or the image spot on the dislocat...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2004
Автори:	Nadtochy, V., Golodenko, M., Moskal, D.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134869
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

System of control of beam scanning in electron beam welding
за авторством: Ju. N. Lankin, та інші
Опубліковано: (2009)

Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Programming electron beam scan pattern for welding with heat treatment
за авторством: V. H. Soloviov, та інші
Опубліковано: (2022)

Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity
за авторством: Moskal, D., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Dislocation distribution in ruby single crystals under loading at high temperatures
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

A РС-controlled beam scanning system at the technological electron LINAC
за авторством: Karasyov, S.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
за авторством: Peleschak, R.M.
Опубліковано: (2000)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

A suggestion of the graphene/Ge(111) structure based on ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy investigation
за авторством: A. Horiachko, та інші
Опубліковано: (2016)

A suggestion of the graphene/Ge(111) structure based on ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy investigation
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2016)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: Galiy, P., та інші
Опубліковано: (2015)

Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Electron beam welding of heat exchangers with single and double refraction of electron beam
за авторством: L. A. Kravchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Development of a method of absorbed dose on-line monitoring at product processing by scanned electron beam
за авторством: Pomatsalyuk, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Development of a method of absorbed dose on-line monitoring at product processing by scanned electron beam
за авторством: Pomatsalyuk, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)

The dislocation unpinning from stoppers in KBr single crystals сaused by elastic stresses and temperature
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Application of acoustic pulse echo-method for the investigation of dynamic and structural dislocation characteristics of crystals
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Study of dynamic drag of dislocations in KCI crystals with impurities and different dislocation structure
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

On possibility of high frequency electron beam scanning with application of focusing system for X-ray generation
за авторством: Bondarenko, T.V.
Опубліковано: (2014)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Calculated images of dislocations in crystals on section topograms
за авторством: Novіkov, S.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

Тhe investigation of X-rays irradiation effect on the mobility of dislocations in LiF crystals
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)